نتائج البحث : يوجد 2

قائمة 1 - 2 من 2
فرز

مقالة
The Effects of Rapid Thermal Annealing on Photoluminescence Properties of Nanostructures Silicon

المؤلفون: Alwan M. Alwan --- Mehdi Q. Zayer
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 السنة: 2012 المجلد: 15 الاصدار: 2 الصفحات: 88-92
الجامعة: Al-Nahrain University جامعة النهرين - جامعة النهرين

Loading...
Loading...
الخلاصة

The photoluminescence spectrums (PL) of as-prepared and rapid thermal annealing RTA of nanostructures silicon have been investigated. p-Type porous silicon (psi) fabricated by electrochemical etching method .The (PL) of as-prepared sample, showed top of photoluminescence (PL) peak centered at about 540.9 nm. After the annealing process of nanostructures silicon in temperature 450°c, 600°c and 750°c at annealing time 15 sec, the (PL) peaks shifted,to 743.99nm, 747.49nm and 757.37 nm rspectively . The intensity of( PL) of annealed samples also shown a conspicuous decrease in intensity Compare with as-prepared sample .The intensity reach to (50%),(39%) and (29%)from its intial value whenthe temperature increase 450, 600°c and 750°c rspectively. This behavour is due to the increase in the average skeleton size

الكلمات المفتاحية


مقالة
The Influence of Substrate Temperature on In2O3 being Structured
تأثير درجة حرارة القاعدة على تركيب الغشاء In2O3

المؤلفون: Mehdi Q. Zayer --- Yasmeen Z. Dawood --- Mohamad S. Mohamad
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2013 المجلد: 31 الاصدار: 1 Part (B) Scientific الصفحات: 115-121
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

In2O3 thin films were grown by the chemical spray pyrolysis (CSP) method using the pneumatic spray set-up and compressed air as a carrier gas. Aqueous solutions containing InCl3.4H2O were deposited onto preheated glass sheets at substrate temperatures Ts=423–573K. X-ray differection (XRD) analysis confirmed the cubic bixbyite structure of indium oxide. The preferred growth orientation along the (211) plane for thin films. The crystallite size extracted from the XRD data corroborates the changes in full width at half maximum due to the variation in substrate temperature. It was shown that grain size of In2O3 thin film was (30)nm. Optical properties of In2O3 was studies and showed that the optical parameters (n, k α) were affected by substrate temperature.

تم تحضير اغشية رقيقة من In2O3 باستخدام طريقة الترسيب الكيميائي الحراري . المحلول المستخدم يحتوي على كلوريد الانديوم المائي والذي يرسب على على قواعد زجاجية وبدرجات حرارية تتراوح من 423 الى 573 كلفن. تم دراسة حيود الاشعة السينية لايجاد تركيب غشاء اوكسيد الانديوم. الطور السائد هو (211) لهذه الاغشية الرقيقة. تم حساب الحجم البلوري من قياس حيود الاشعة السينية وان التغير الحاصل في نتيجة للتغير في درجة حرارة القاعدة. لقد وجد ان الحجم الحبيبي لغشاء In2O3 يساوي 30 نانومتر. اما الخصائص البصرية لاغشية In2O3 والمبينة بالثوابت البصرية (معامل الانكسار, معامل الخمود و معامل الامتصاص) والتي تتاثر بدرجة حرارة القاعدة.

الكلمات المفتاحية

Indium oxide --- optical properties --- nanostructure

قائمة 1 - 2 من 2
فرز
تضييق نطاق البحث

نوع المصادر

مقالة (2)


اللغة

English (2)


السنة
من الى Submit

2013 (1)

2012 (1)