نتائج البحث : يوجد 2

قائمة 1 - 2 من 2
فرز

مقالة
Electrical Properties of Oxidized Porous Silicon

المؤلف: Narges Z. Abdulzahra
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Al-Mustansiriyah Journal of Science مجلة علوم المستنصرية ISSN: 1814635X السنة: 2009 المجلد: 20 الاصدار: 4 الصفحات: 59-68
الجامعة: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية - الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
الخلاصة

In this research, we studying the effect of rapid thermal oxidation treatment on the electrical and conduction mechanism properties for porous silicon prepared by photo electrochemical etching by using diode laser has 810nm wavelength with power 2W. Oxidation process occurs by using tungsten halogen lamp with power 1000W. Dark I-V characteristics of Al/ PS/ Si/ Al structure shows a behavior of PS/n-Si isotype heterojunction for fresh device and a MIS (metal-insulator-semiconductor) for device after oxidation due to contribution of Al/PS schottky barrier after oxidation process. After investigated current–voltage (J-V) measurement, we found increase in barrier height and rectification ratio with increasing oxidation time, the barrier height changed (0.65 to0.72 eV), rectification ratio was varied from (4 to 22). The resistivity and saturation current density will be decreased after oxidation process where the reasistivity was decreased from ((98 to 65 Ω.cm), saturation current density was decreased from (1.2 to 0. 06 µA/cm2).

في هذا البحث، تم دراسة تأثير الأكسدة الحرارية السريعة على الخصائص الكهربائية وميكانيكية التوصيل للسليكون المسامي المحضر بطريقة تشعيع الليزر أثناء عملية القشط الكهروكيميائي باستخدام ليزر ثنائي الوصلة يمتلك طول موجي nm 810 مع قدرة 2W ، عملية الأكسدة تمت باستخدام مصباح التنكستن الهالوجيني يمتلك قدرة1000W . خصائص تيار- فولتية في حالة الظلام لتركيب Al/ PS/ Si/ Alبينت تصرف مفرق هجين متجانس PS/n-Si للعينات بدون أكسدة وMIS (معدن-عازل- شبه موصل) للعينات المؤكسدة ناتج من حاجز شوتكي بعد عملية الأكسدة. من خلال دراسة الخصائص الكهربائية وجد زيادة حاجز الجهد ونسبة التقويم مع زيادة زمن الأكسدة، قيمة حاجز الجهد تغيرت من 0.65) إلى (0.72 eV ،نسبة التقويم تغيرت من (4 الى22). المقاومية و تيار الإشباع قلت بعد عملية الأكسدة حيث قلت المقاومية من (98 إلى (65 Ω.cm ،تيار الإشباع قل من1.2) إلى (0.06µA/cm2.

الكلمات المفتاحية


مقالة
Physical Properties of MOS Porous Silicon Detector Fabricated under RTO Method
الخصائصا لفیزیائیة لكاشف السلیكون المسامي MOS المحضر بطریقة الأكسدة الحراریة السریعة

المؤلفون: Narges Z. Abdulzahra --- Wafaa K. Khalaf --- Alwan M. Alwan
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2009 المجلد: 27 الاصدار: 11 الصفحات: 2286-2291
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

In this research we studying the sensitivity of a porous silicon photo detector, wefound it improved through rapid thermal oxidation processes. Under our optimumpreparation conditions, photocurrent can reach about 3408 μA (under power density 100mW/cm2 tungsten lamp illumination) and dark current is about 300μA(at reverse bias of 5V).

الكلمات المفتاحية

Photo detector --- porous silicon --- rapid thermal oxidation

قائمة 1 - 2 من 2
فرز
تضييق نطاق البحث

نوع المصادر

مقالة (2)


اللغة

English (2)


السنة
من الى Submit

2009 (2)