research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Preparation and Characterization of High Quality SnO2 Films Grown by (HPCVD)
تحضيراغشية اوكسيد القصدير عالية النوعية باستخدام الترسيب الكيمياوي ذو الاساس الحار

Authors: Baha T. Chiad --- Nathera Ali --- Nagam Th.Ali
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 801-810
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research SnO2 thin films have been prepared by using hot plate atmospheric pressure chemical vapor deposition (HPCVD) on glass and Si (n-type) substrates at various temperatures. Optical properties have been measured by UV-VIS spectrophotometer, maximum transmittance about (94%) at 400 0C. Structure properties have been studied by using X-ray diffraction (XRD) , its shows that all films have a crystalline structure in nature and by increasing growth temperature from(350-500) 0C diffraction peaks becomes sharper and grain size has been change. Atomic force microscopy (AFM) uses to analyze the morphology of the Tine Oxides surface structure. Roughness & Root mean square for different temperature have been investigated. The results show that both increase with substrate temperature increase this measurements deal with X-Ray diffraction results, that there is large change in the structure state of SnO2 thin f film by changing temperature parameter.

في هذا البحث تم تحضير أغشية اوكسيد القصدير بطريقة الترسيب الكيماوي بالبخار بالضغط الجوي على قاعدة ساخنة من الزجاج وسيلكون لدرجات حرارة مختلفة. الخصائص البصرية للغشاء تم قياسها باستخدام جهاز مطياف (UV-Vis.) اقصى نفاذية كانت بحدود(94%) عند 400 0C . أما الخصائص التركيبية تم دراستها باستخدام حيود الأشعة السينية التي أوضحت انه جميع الاغشية هي ذات تركيب بلوري بطبيعتها وبتغيير حرارة نمو الغشاء لمدى (300-500 ) 0C فان قمم الحيود أصبحت اكثر حدة والحجم الحبيبي يتغير. استخدم مجهر القوى الذرية لتحليل طوبوغرافية وتركيب سطح أغشية اوكسيد القصدير حيث تم حساب الخشونة ومعدل الجذر التربيعي للعينات المحضرة ولدرجات حرارة مختلفة واظهرت النتائج بأن كلاهما يزداد مع ازدياد درجة حرارة الاساس وهذا يتفق مع نتائج حيود الاشعة السينية كما ان هنالك تغيير كبير بالحالة التركيبية لغشاء SnO2 مع تغيير مؤثر الحرارة.

Keywords

Sno2 --- Thin Films --- Hpcvd

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2014 (1)