In2O3 thin films have been deposited on silicon substrate by chemical spray pyrolysis. These films show high transparency in the visible and near-IR regions. Photoresponse of In2O3/c-Si isotype hetero-photodiode without post-deposition heat treatment has been investigated in the visible and infrared regions. Peak response situated at 600nm was observed. External quantum efficiency was 32% at peak response. C-V measurements revealed that the junction was abrupt type and built-in potential around 1eV has been obtained.

Thin films --- Spray Pyrolysis --- Optical response --- Heterojunction

Background: Hepatitis B virus (HBV) and C virus (HCV) known to be transmitted through blood and blood products and has been implicated as a major cause of chronic liver disease and hepatocellular carcinoma worldwide. Objective: This study aim to detect the relationship between the HBV and HCV infections with ABO blood groups and age of blood donor in Al- Ramadi city. Patients & Methods: We conducted Hepatitis B surface antigen test strip (ACON Laboratories) (USA) and HCVAb, as step to detect the infections among blood donors at the laboratories for central blood bank in Alanbar health directory, M.O.H.The results of this study were analyzed statistically using the T-test to find the significance of probability level according to SPSS ver12 program. (P) Value < 0.05 were considered significant.Results: Among (430) volunteer blood donors, there were 71(16.511%) positive for HBs Ag and 12(2.790%) for HCVAb. Hepatitis B and C infections were significantly associated with blood group of the donors; percentage of HBs Ag and HCVAb were found to be higher in donors who has blood group O and lowest in blood group AB donors, while the distribution of Rh in hepatitis infected donors was higher among Rh positive donors. HCV infections show a high percentage at age group (26–35) years old, while the percentage of HBV infections increase with progress of age group among blood donors.Conclusion: There were a significant association between blood group of donors and hepatitis infections and the infections of HCV increase among (26-35) years old blood donors while the HBV infections increase with progress of age groups.

خلفية الدراسة: يشكل فيروس التهاب الكبد "B" و " C" مشاكل صحية كبرى مثيرة للقلق وذلك لانتشاره الكبير بين مختلف فئات المجتمع.الهدف: هدف هذا البحث للتحقق من العلاقة بين نسبة الإصابة بهذا المرض وفصائل الدم في الأشخاص الواهبين للدم .المرضى وطرق العمل: تم استخدام طريقة تحليلية مناعية سريعة تتضمن استخدام شرائط فحص الإصابة بالتهاب الكبد الفيروسي في مختبر الصحة المركزي التابع لدائرة صحة الانبار.كما ان التحليل الإحصائي المستخدم في تحليل نتائج الدراسة هو اختبارT وذلك لإيجاد مستوى الاحتمالية اعتمادا على برنامج SPSS ver12 حيث إذا كانت قيمة P > 0.05 تعتبر الفروق معنوية .النتائج: من بين (430) واهب كان هناك 71 (16.511%) مصابين بفايروس التهاب الكبد نوع " B" و 12 (2.790%) مصابين بالنوع " C". لقد بينت النتائج ان الاشخاص الواهبين الذين يحملون صنف الدم O اكثر تعرضا لخطر الإصابة بالتهاب الكبد الفيروسي نوع B و Cبينما كانت اقل بسبة اصلبة في الاشخاص الواهبين الذين يحملون صنف الدم AB, وان اعلى نسبة اصابة تمثلت في الاشخاص الواهبين ذوي العامل الريسي الموجب. وكانت الفئة العمرية (26-35) سنة الاكثر تعرضا للاصابة بالتهاب الكبد الفيروسي نوع C, في حين الاصابة بالتهاب الكبد الفيروسي نوع B تزداد بتقدم العمر.الاستنتاجات: توجد علاقة احصائية معنوية بين فصيلة دم الواهبين والاصابة بالتهاب الكبد الفايروسي , كما ان الاصابة التهاب الكبد " C" تكون اكثر احتمالية في الفئة العمرية (26-35) سنة في حين الاصابة بالتهاب الكبد الفيروسي نوع B تزداد بتقدم العمر.

Hepatitis B virus --- Hepatitis C virus --- Blood group --- Rh. --- التهاب الكبد الفيروسي --- فصائل الدم --- العامل الرريسي.

Near-ideal p-CdS/n-Si heterojunction band edge lineup has been investigated for the first time with aid of I-V and C-V measurements. The heterojunction was manufactured by deposition of CdS films prepared by chemical spray pyrolysis technique (CSP) on monocrystalline n-type silicon. The experimental data of the conduction band offset Ec and valence band offset Ec were compared with theoretical values. The band offset Ec=530meV and Ev=770meV obtained at 300K. The energy band diagram of p-CdS/n-Si HJ was constructed. C-V measurements depict that the junction was an abrupt type and the built-in voltage was determined from C-2-V plot.

في هذا البحث، تم وصف المخطط الطاقي للمفرق الهجين (شبه المثالي) ولأول مره من خلال خصائص تيار-جهد و سعة-جهد. تم تصنيع المفرق الهجين من خلال ترسيب غشاء من مادة CdS بواسطة طريقة الرش الكيماوي الحراري على سليكون أحادي التبلور نوع-n. إن النتائج العملية أوضحت أن مقدار كل من Ec و Ev كانت بحدود 530meV و 770meV على التوالي عند درجة حرارة الغرفة، وقد تم مقارنتها مع القيم النظرية. إن قياسات سعة - جهد أوضحت أن المفرق من النوع الحاد وان جهد البناء الداخلي قد تم تحديده من خلال العلاقة البيانية C-2-V.