نتائج البحث : يوجد 3

قائمة 1 - 3 من 3
فرز

مقالة
Gain Characteristics of Silicon Transistor Treated by Laser

المؤلف: Rana O. Mahdi
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2007 المجلد: 25 الاصدار: 7 الصفحات: 890-896
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

In this work, profiles of laser-induced diffusion of arsenic in silicon arepresented. These profiles are considered to attempt increasing of the currentgain of silicon transistors. The current gain is well enhanced. Thisenhancement is attributed to the increase achieved in the diffusion lengthwithin a certain layer of emitter region. Laser-induced diffusion is a perfecttechnique for improving the characteristics of electronic devices since it isflexible, contactless, clean and well controlled.

في هذا البحث، جرى تقديم أنماط الانتشار المحتث بالليزر لشوائب الزرنيخ في السيليكون.تم اعتماد هذه الأنماط في محاولة لزيادة ربح التيار للترانزستورات المصنعة من السيليكون،وقد جرى تحسين ربح التيار بشكل جيد. يعزى هذا التحسن في ربح التيار إلى الزيادة المتحققةفي طول الانتشار خلال طبقة محددة من منطقة الباعث. تعد تقنية الانتشار المحتث بالليزرمثالية لتحسين خصائص النبائط الإلكترونية إذ أنها تتم بشكل مرن وبدون تماس ما بين الآلةوالعينة كما أنها نظيفة من حيث مخلفات العمل ويمكن التحكم بها بشكل جيد.

الكلمات المفتاحية

Silicon devices --- Laser-induced diffusion --- Gain characteristics


مقالة
MEASUREMENT OF DIFFUSION LENGTH IN P-N JUNCTIONSILICON SOLAR CELL

المؤلفون: Oday N. Slman --- Jehan E. Simon --- Rana O. Mahdi
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 السنة: 2008 المجلد: 11 الاصدار: 1 الصفحات: 59-63
الجامعة: Al-Nahrain University جامعة النهرين - جامعة النهرين

Loading...
Loading...
الخلاصة

In this work, p-n junction silicon solar cells were fabricated using Plasma-assisted deposition technique, The minority-carriers diffusion length in the base region of a silicon solar cell has been determined by measuring the short-circuit current as a function of the wavelength of incident light. The incident light intensity required to produce a given short-circuit current is a linear function of the reciprocal absorption coefficient for each wavelength. and the extrapolation of this relation to zero intensity yields the diffusion length. The accuracy of this method appears to be greatly accepted.

في هذا البحث ، جرى تصنيع خلية شمسية سيليكونية بنمط الوصلة الثنائية باستخدام منظومة الترسيب المعزز بالبلازما جرى تحديد طول الانتشار للحاملات الاقلية في منطقة القاعدة للخلية الشمسية المصنعة من خلال قياس تيار دائرة القصر كدالة للطول الموجي للضوء الساقط . كانت شدة الضوء الساقط اللازمة للحصول على قيمة معينة لتيار الدائرة القصيرة دالة خطية لمقلوب معامل الامتصاص لكل طول موجي ومن قيمة هذه الدالة عند الصفر يمكن الحصول على قيمة طول الانتشار . لوحظ ان هذه الطريقة في حساب طول الانتشار ذات دقة عالية .

الكلمات المفتاحية


مقالة
Normalized Characteristics of Laser-Induced Diffusion of Arsenic Dopants in Silicon

المؤلفون: Aseel A.K. Hadi --- Salma M. Hussain --- Oday A. Hamadi --- Rana O. Mahdi
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2007 المجلد: 25 الاصدار: 4 الصفحات: 584-590
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

In this work, normalized characteristics of laser-induced diffusion ofarsenic in silicon are presented. These characteristics are considered as areenhancing the As-doped silicon-based devices. This enhancement is attributedto the increasing in the diffusion length within a certain layer of the activeregion in the device. Laser-induced diffusion is a perfect technique forimproving the characteristics of electronic devices because it is flexible,contactless, clean and well controlled

في هذا البحث، جرى تقديم الخصائص المقومة للانتشار المحتث بالليزر لشوائب الزرنيخفي السيليكون . يمكن اعتماد هذه الخصائص في محاولة تحسين خصائص النبائط المصنعة منالسيليكون المش  وب بالزرنيخ . يعزى هذا التحسن في الخصائص إلى الزيادة المتحققة في طولالانتشار خلال طبقة محددة من المنطقة الفعالة في مثل هذه النبائط . تعد تقنية الانتشار المحتثبالليزر تقنية مثالية لتحسين خصائص النبائط الإلكترونية لأنها تتم بشكل مرن وبدون تماس مابين الآلة والعينة كما أنها نظيفة من حيث مخلفات العمل ويمكن التحكم بها بشكل جيد.

الكلمات المفتاحية

Laser-induced diffusion --- Arsenic-doped silicon --- Transistor current gain

قائمة 1 - 3 من 3
فرز
تضييق نطاق البحث

نوع المصادر

مقالة (3)


اللغة

English (3)


السنة
من الى Submit

2008 (1)

2007 (2)