research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
D.C conductivity of In2O3: SnO2 thin films and manufacturing of gas sensor
التوصيلية الكهربائية المستمرة وتصنيع متحسس غازي من اغشية اوكسد الانديوم المطعم باوكسيد القصدير

Authors: Bushra A. Hasan بشرى عباس حسن --- Rusul M. Abdallah رسل محمد عبدالله
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2018 Volume: 16 Issue: 37 Pages: 32-45
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Compounds were prepared from In2O3 doped SnO2 with different doping ratio by mixing and sintering at 1000oC. Pulsed Laser Deposition PLD was used to deposit thin films of different doping ratio In2O3: SnO2 (0, 1, 3, 5, 7 and 9 % wt.) on glass and p-type wafer Si(111) substrates at ambient temperature under vacuum of 10-3 bar thickness of ~100nm. X-ray diffraction and atomic force microscopy were used to examine the structural type, grain size and morphology of the prepared thin films. The results show the structures of thin films was also polycrystalline, and the predominate peaks are identical with standard cards ITO. On the other side the prepared thin films declared a reduction of degree of crystallinity with the increase of doping ratio. Atomic Force Microscopy (AFM) measurements show the average grain size exhibit to change in non-systematic manner with the increase of doping ratio with tin oxide. The average grain size increases at doping ratios 1, 5 and 7 % from 52.48 to 79.12, 87.57, and 105.59 nm respectively and decreases at residual doping ratio. The average surface roughness increases from 0.458 to 26.8 nm with the increase of doping ratio. The gas sensing measurements of In2O3:SnO2 thin films prepared on p-Si to NO2 gas showed good sensitivity and Maximum sensitivity (50) obtained for In2O3:SnO2 prepared on p-Si at operating temperature 573 K and doping ratio 7 % and 9 %. Maximum speed of response time (8 sec) at operating temperature 573 K and doping ratio 1 %.

حضرت مركبات من اوكسد الانديوم المطعم باوكسيد القصدير وبنسب تطعيم مختلفة وذلك بمزج المركبين وتلبيدها عند درجة 1000 oC. تم استخدام طريقة التبخير بالليزر النبضي لتحضير اغشية رقيقة من المركب In2O3:SnO2 وبنسب تطعيم 9 % wt.) (0, 1, 3, 5, 7, على قواعد من الزجاج ورقائق السليكون مفرد االبلورة. وعند درجة حرارة المحيط وعند ضغط فراغ 10-3 تور وبسمك 150نانومينر. تم استخدام حيود الاشعة السينية ومطياف القوى الذرية لفحص تركيب, الحجم الحبيبي وطبوغرافية الاغشية المحضرة. اظهرت النتائج ان الاغشية المحضرة كانت متعددة البلورة وان المستوي المفضل للنمو متطابق مع بطاقات اوكسيد الانديوم- القصدير ومن جهة اخرى اظهرت الاغشية المحضرة هبوطا في درجة التبلور مع زيادة نسبة التطعيم. قياسات مطياف القوى الذري اظهرت ان حجم الحبيبة تغير بشكل غير منتظم مع نسبة التطعيم. حيث ازداد حجم الحبيبة عند نسب التطعيم 1, 5, 7 % من 52 الى 79, 87و 105 نانوميتر على التوالي وهبط عند نسب التطعيم الباقية. خشونة السطح ازدادت من0.458 الى26.8 نانوميترمع زيادة نسبة التطعيم. قياسات التحسسية لاغشية In2O3:SnO2 المحضرة على قواعد من السليكون نوع p لغاز NO2 كانت جيدة و اقصى قيمة للتحسسية كانت (50) لاغشية In2O3:SnO2 المحضرة عند درجة تشغيل 573 K ونسب تطعيم 7 % ,.9% اقصى زمن استجابة كان(8 sec) عند درجة تشغيل 573 K و نسبة تطعيم 1%.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2018 (1)