research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Effect of Temperature on Reliability and Degradation of 0.63μm Laser Diode
تأثير الحرارة على الموثوقية والتقادم الثنائي ليزر 0,63مايكروميتر

Author: Saman Q. Mawlud سامان قادر مولود
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2012 Volume: 9 Issue: 1 Pages: 141-147
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The reliability of optical sources is strongly dependent on the degradation and device characteristics are critically dependent on temperature. The degradation behaviours and reliability test results for the laser diode device (Sony-DL3148-025) will be presented .These devices are usually highly reliable. The degradation behaviour was exhibited in several aging tests, and device lifetimes were then estimated. The temperature dependence of 0.63μm lasers was studied. An aging test with constant light power operation of 5mW was carried out at 10, 25, 50 and 70°C for 100hours. Lifetimes of the optical sources have greatly improved, and these optical sources can be applied to various types of transmission systems. Within this degradation range, the device life for system application is estimated to be more than 100 h at 70 ºC at a constant power of 5mW.

إنّ الموثوقيةَ في المصادر الضوئية تعتمد بشكل كبير على التقادم و إنّ خصائص ثنائي الليزر تعتمد بشكل حرج على درجةِ الحرارة. تمت دراسة نَتائِجَ إختبار سلوكيات التقادم و الموثوقية لثنائي الليزر (Sony-DL3148-025), وتبين بأن هذه الليزرات تكون عادة ذات موثوقية عالية, وسلوك التقادم قد تم تعرضه في عِدّة إختبارات عمرية، وتم من خلالها تقدير العمر الزمني لهذه الثنائيات، وأجريت دراسة إعتمادية الليزر دايود ذات الطول الموجي 0.63 مايكروميتر على درجة الحرارة. تم أجراء الاختبار العمري لقدرة ضوئية ثابتة 5 ملي واط عند درجات حرارة مختلفة 10و25و50و70 م° و لمدة 100 ساعة. فقد تم تحسن العمر الزمني لهذه المصادر الضوئية بشكل, ويُمْكِنُ لهذه المصادرِ الضوئية تطبيقها في الأنواعِ المُخْتَلِفةِ مِنْ أنظمةِ الإرسال. وضمن هذا المدى من التقادم فقد تم تقدير العمر الزمني لهذه الليزرات فوجد أنه أكثر من 100 ساعة عند درجة حرارة 70 م° وعند قدرة ثابتة مقدارها 5 ملي واط.


Article
Bias-Voltage Dependence on Thermoelectric Cooler Coefficient for Al0.7Ga0.3As and In0.2Ga0.8As SQW Laser Diode
اعتمادية فولتية الانحياز على معامل الكهروحراري لليزرات Al0.7Ga0.3As , In0.2Ga0.8As ذات البئر المنفرد

Author: Saman Q. Mawlud سامان قادر مولود
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2011 Volume: 16 Issue: 4 Pages: 165-170
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

The theoretical investigation of thermoelectric phenomena in single quantum well (SQW) laser diode was described in this work. Diode laser devices can be modeled by introducing a bias-dependent Peltier coefficient at interfaces that takes into account the variation of the carriers’ average transport energy. The effective Peltier coefficient can vary as a function of applied bias voltage, and can give rise to interfacial thermoelectric cooling or heating depending on device parameters. The temperature dependences of the threshold current at different temperature are investigated for the laser diode, a record characteristic temperature T0=110 K has been achieved for AlGaAs and T0=50 K for InGaAs. The bias voltage dependent bipolar Peltier coefficient is modeled for SQW laser diodes, and the different regimes of bias voltage for which cooling is achieved are described. In this work two type of SQW laser diode were studied they are AlGaAs and InGaAs. The comparison of the theoretically calculated laser parameters; namely, confinement factor, threshold current density and the output power density of SQW GaAs/Al0.7Ga0.3As and GaAs/In0.2Ga0.8As laser showed that the confinement factor is a very important parameter for the performance of this quantum well laser.

الهدف من البحث هو التحقيق النظري لظاهرة التبريد الكهروحراري في ليزر دايود ذات بئر كمي منفرد (SQW)، حيث أستخدم نوعين من هذه الليزرات لغرض المقارنة النظرية من حيث عامل الحصر وهما Al0.7Ga0.3As و In0.2Ga0.8As ، أن معامل بلتير يعتمد اعتمادا شديداً على فولتية الانحياز ويمكن أن ينتج عنها تبريداً كهروحرارياً جيداً للسطوح البينية من خلال الاعتماد على عوامل النبيطة وأتضح أن اعتماد كثافة قدرة التبريد على كثافة تيار العتبة يرتبط الى حد كبير بعوامل تركيب الطبقات في المنطقة الفعالة ، وتمت دراسة أعتمادية التيار العتبة على درجة الحرارة ووجدت بأن T0=110 K بالنسبة الى Al0.7Ga0.3As و T0=50 K بالنسبة الى In0.2Ga0.8As و جرى تحليل أمثل لعوامل الثنائي الليزري المتمثلة في عامل الحصر و كثافة تيار العتبة و كثافة القدرة الخارجة لبئر كمي منفرد حيث أستخدم برنامج MATLAB إصدار 7.8 وذلك لتحليل و مقارنة النتائج. وقد ظهرت من خلال هذه البحث أن العامل الحصر هو معيار مهم لأجل أداء جيدا لهذه النوع من ليزر دايود ذات بئر كمي منفرد.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2012 (1)

2011 (1)