research centers


Search results: Found 11

Listing 1 - 10 of 11 << page
of 2
>>
Sort by

Article
Electrical and Optoelectronic Properties of p-PbSe/n-Si Heterojunction
دراسة الخصائص الكهربائية والكهروبصرية للمفرق الهجيني p-PbSe/n-Si

Author: Uday M. Nayef
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2005 Volume: 24 Issue: 1 Pages: 21-24
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Keywords


Article
Characteristics of Nanostructure Porous Silicon Prepared by Anodization Technique
توصيف السليكون المسامي النانوي المحضر بالتقنية الانودية

Authors: Ayoub H. Jaafar --- Uday M. Nayef
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 339-347
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon (PS) layers are prepared by anodization for different current densities. The samples are then characterized the nanocrystalline porous silicon layer by X-Ray Diffraction (XRD), Atomic Force Microscopy (AFM), Fourier Transform Infrared (FTIR), Reflectivity and Raman. PS layers were formed on a p-type Si wafer. anodized electrically with a 10 and 40 mA/cm2 current density for fixed 20 min etching times.We have estimated crystallites size from X-Ray diffraction about nanoscale for porous silicon and AFM confirms the nanometric size and therefore optical properties about nanocrystalline silicon yields a Raman spectrum showing a broadened peak shifted below 520 cm-1.

حضرت طبقات السليكون المسامي بالتقنية الانودية لكثافة تيار مختلفة. درست خصائص طبقات السليكون المسامي نانوية التركيب مثل الصفات التركيبية والمورفولوجية والكيميائية و البصرية (الانعكاسية ورامان). طبقات السليكون المسامي كونت على شرائح سليكون من النوع القابل. وكانت كثافة التيار المستخدم بتقنية الانودية هو 10 و 40 ملي امبير/سم2 وزمن تنميش ثابت 20 دقيقة.وجد ان الحجم البلوري من خلال قياسات حيود الاشعة السينية هو الحجم النانوي للسليكون المسامي و فحوصات مجهر القوة الذري اثبت ذلك وكذلك من الصفات البصرية حول التركيب النانوي للسليكون هو طيف رامان اظهر توسع وازاحة القمة عند 520 سم-1.


Article
Study of The Effect of laser Pulses on Synthesis of SnO2 Nanoparticles by Laser Ablation in Methanol
دراسة تأثير عدد النبضات على تحضير دقائق SnO2 النانوية بالتشظية بالليزر في الميثانول

Authors: Uday M. Nayef --- Ali J. Hadi
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 6 Part (B) Scientific Pages: 1059-1067
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

SnO2 nanoparticles were prepared by laser ablation of tin in methanol at room temperature. The particles were characterized by means of TEM, AFM, FTIR, UV-Visible absorption spectrum and electrical properties. AFM micrographs show that the obtained material is spherical nanoparticles, the size and size distribution of which depends on the experimental conditions.From FTIR spectrum show the peak absorption of SnO2NPssuspension at 657 cm-1. It is found that the band gap energy of SnO2NPs is higher than that of bulk SnO2 due to the decreases in the particle size according to the quantum confinement model. From the J-V characteristics Al/SnO2 NPs/c-Si/Al hetrojunction the values of ideality factor for these devices is greater than unity which can be attributed to the recombination of electrons and holes in the depletion region as well as the tunneling effect depending on both sides of the heterojunction and on the presence of defect states.

تم تحضير دقائق SnO2 النانوية بتقنية التشظية بالليزر في الميثانول في درجة حرارة الغرفة. تم تشخيص الدقائق بواسطة المجهر الالكتروني النافذ (TEM) ومجهر القوى الذري (AFM) ومطياف تحت الحمراء (FTIR) وطيف الامتصاص الاشعة الفوق البنفسجية والمرئية والخواص الكهربائية. يظهر المجهر الالكتروني النافذ (TEM) لتوصيف شكل وحجم دقائق ثنائي اوكسيد القصدير النانوية حيث اظهرت معدل قطر يتراوح من 17 الى37 نانومتر في محلول الميثانول ذو شكل كروي منتظم وكذلك اظهرت نتائج مجهر القوى الذري (AFM) ان الدقائق التي تم الحصول عليها هي دقائق نانوية كروية. ظهر من مطيافالاشعة تحت الحمراء (FTIR) ان قمة امتصاص عوالق دقائق SnO2 النانوية عند cm-1657 . وجد ان فجوة حزمة الطاقة لدقائق SnO2 النانوية اكبر من SnO2 في حاتها الحجمية يرجع ذلك الى انخفاض حجم الدقائق وفقا لنموذج الحصر الكمي. من خصائص J-V للمفرق الهجين Al/SnO2NPs/c-Si/Al ان قيم عامل المثالية لهذه النبيطة هو اكبر من الواحد التي يمكن ان تعزى الى اعادة اتحاد الكترون – فجوة في منطقة النضوب فضلا عن تاثير التنفيق اعتمادا على كلا الجانبين للمفرق الهجين وعلى وجود مستويات العيوب.


Article
Preparation and the study optical and electrical properties of thin films for optoelectronic applications

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Ammar H. Jraiz --- Uday M. Nayef
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 7 Pages: 824-828
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Conductive transparent In2O3 thin films with (222) preferred orientation wereprepared by thermal oxidation (TO) in static air of indium thin films at condition(250°C/25 min). Detailed structural, electrical, and optical characteristics of thefilm are presented. The data are interpreted to give a direct band gap of(3.6) eV and indirect band gap of (2.5) eV. The In2O3 film has sheet resistance aslow as (20)Ω/□ . in absence of any post-deposition annealing conditions. Themobility of these films was estimated to be (31) cm2. V-1. s-1.

بطريقة الأكسدة الحرارية In2O تم تحضير غشاء رقيق موصل كهربائيا شفاف من 3250° ) تم دراسة خواص البناء الداخلي C/25min) في الهواء لغشاء الانديوم تحت حالة3.6 ) في )eV. والكهربائية والبصرية للغشاء ووجد أن فجوة الطاقة للانتقال المباشر كانت20Ω/□ 2.5 ) ومقاومة سطحية واطئة )eV حين كانت فجوة الطاقة للانتقال غير المباشر.(31) cm2.V-1s- بدون أي تلدين مسبق . أما حركية نواقل الشحنة لهذا الغشاء فكانت


Article
Structural, Chemical and Morphological of Porous Silicon Produced by Electrochemical Etching
تركیبیة وكیمیائیة وتراكیب السطوح السلیكون المسامي المنتج بالتنمیش الكھروكیمیاوي

Authors: Amna A. Salman --- Fatima I. Sultan --- Uday M. Nayef
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 5 Pages: 855-867
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, the nanocrystalline porous silicon (PS) films is prepared by electrochemical etching of p-type silicon wafer with different currents density (15 and 30 mA/cm2) and etching times on the formation nano-sized pore array with a dimension of around few hundreds nanometric. The films were characterized by the measurement of XRD, FTIR spectroscopy and atomic force microscopy properties.We have estimated crystallites size from X-Ray diffraction about nanoscale for porous silicon and Atomic Force microscopy confirms the nanometric size Chemical fictionalization during the electrochemical etching show on surface chemical composition of PS. The etching possesses inhomogeneous microstructures that contain a-Si clusters (Si3–Si–H) dispersed in amorphous silica matrix and (O-SiO,C-SiO). From the FTIR analyses showed that the Si dangling bonds of the as-prepared PS layer have large amount of Hydrogen to form weak Si–H bonds. The atomic force microscopy investigation shows the rough silicon surface, with increasing etching process (current density and etching time) porous structure nucleates which leads to an increase in the depth and width (diameter) of surface pits. Consequently, the surface roughness also increases.

في ھذا البحث تم تحضیر أغشیة السلیكون المسامي النانویة بطریقة التنمیش الكھروكیمیائي لرقائق السلیكون من النوع القابل مع كثافة تیارات ( 15 و 30 ملي امبیر/سم 2) لتكوین حفر بأحجام نانویة منظمة بحدود مئات قلیلة من الأبعاد النانومتریة وازمان تنمیش مختلفة وتم تشخیص الأغشیة من قیاسات حیودالأشعة السینیة ومطیافیة تحویلات فوریر للأشعة تحت الحمراء وخواص مجھر القوى الذري. من حیود الأشعة السینیة تم تخمین الحجم البلوري للسلیكون المسامي بالمقیاس النانو ومجھر القوى الذري یؤكد على ان الحجم بالنانومتر.كما تم تحدید المجامیع الفعالة الكیمیائیة خلال التنمیش الكھرو كیمیاوي تظھر على سطح المركب الكیمیائي للسلیكون المسامي. عملیة التنمیش الكھروكیمیائي التي تحوي على تراكیب غیر متجانسة في المشتتة في السلیكا (O-SiO, C-SiO) وعلى مجموعات (Si3-Si-H) السلیكون العشوائي مثل عناقیدالعشوائیة. من تحلیلات تحویلات فوریر للاشعة تحت الحمراء أظھرت أواصر السلیكون المتدلیة لطبقة Si-H السلیكون المسامي كما تم تم ترسیبھا حیث تحوي كمیة كبیرة من الھیدروجین على شكل أواصر الضعیفة. أظھرت اختبارات مجھر القوى الذري على سطح السیلیكون الخشن ، مع زیادة عملیة التنمیش(كثافة التیار وزمن التنمیش) نوى البنیة المسامیة الذي تؤدي إلى زیادة في عمق وعرض (القطر) من حفر السطح. وبالتالي فإن الزیادة بخشونة السطح أیضا تزداد.


Article
Spectroscopic Study for the Pollutants Gelbstoff In Diyala River and Its Effect on Raman Spectrum
دراسة طيفية للملوثات (Gelbstoff) في نهر ديالى وتأثيرها على طيف رامان

Authors: Rafid A. Ali --- Uday M. Nayef --- Rafah A. Nasif
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2005 Volume: 24 Issue: 4 Pages: 352-360
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Keywords


Article
I-V and C-V Characteristics of Porous Silicon Nanostructures by Electrochemical Etching
خصائص (تيار- فولتية) و (سعة - فولتية) للسليكون المسامي نانوي التركيب بالتنميش الكهروكيمياوي

Authors: Fatima I. Sultan --- Amna A. Slman --- Uday M. Nayef
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 332-338
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon (PS) layers has been prepared in this work by electrochemical etching (ECE) technique of a p-type silicon wafer with resistivity (1.5-4 Ω.cm) in hydrofluoric (HF) acid of 20% concentration. Various affecting studied etching time (10, 30, and 45 min) and current density (15 mA/cm2). We have study the morphological properties (AFM) and the electrical properties (I-V and C-V).The atomic force microscopy investigation shows the rough silicon surface, with increasing etching process (etching time) porous structure nucleates which leads to an increase in the depth and width (diameter) of surface pits. Consequently, the surface roughness also increases.The electrical properties of prepared PS; namely current density-voltage characteristics under dark, show that the pass current through the PS layer decreased by increasing the etching time, due to increase the resistivity of PS layer. The PS layer shows a rectifying behaviour with different rectification ratio. C-V measurements shows that the increase of the etching time decreases the capacitance of the PS layer. This behavior was attributed to the increasing in the depletion region width which leading to the increasing of built-in potential.

في هذا البحث، تم تحضير السليكون المسامي بتقنية التنميش الكهروكيميائي لشريحة سليكون من النوع (p) بمقاومية (1.5-4 أوم.سم)، باستخدام حامض الهيدروفلوريك بتركيز 20%. جرى دراسة تاثير ازمان تنميش مختلفة (10، 30 و 45 دقيقة) وكثافة تيار (15 ملي امبير/سم2). تم دراسة الخصائص الطبوغرافية (AFM) والكهربائية (I-V) و (C-V) لطبقة السليكون المسامي .أظهرت فحوصات مجهر القوى الذري على سطح سليكون خشن ، مع زيادة عملية التنميش (زمن التنميش) نوى البنية المسامية الذي تؤدي إلى زيادة في عمق وعرض (القطر) من حفر السطح. وبالتالي فإن الزيادة بخشونة السطح أيضا تزداد.الخصائص الكهربائية لطبقة السليكون المسامي المحضرة؛ اي خصائص تيار - جهد تحت الظلام٬ أظهرت ان التيار المار خلال طبقة السليكون المسامي يقل بزيادة زمن التنميش٬ نتيجةً لزيادة مقاومية طبقة السليكون المسامي. أوضحت طبقة السليكون المسامي سلوكاً تقويمياً مع نسب تقويم مختلفة. أظهرت قياسات سعة - جهد ان بزيادة زمن التنميش تقل سعة طبقة السليكون المسامي. هذا السلوك يعزى الى الزيادة في عرض منطقة الاستنزاف التي تؤدي الى زيادة في جهد البناء الداخلي.


Article
Chemical, Morphological and Electrical Properties of Porous Silicon Prepared by Photelectrochemical Etching

Authors: Ban K. Mohamid --- Uday M. Nayef --- Zena F. Kadem
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2013 Volume: 16 Issue: 4 Pages: 145-151
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, the nanocrystalline porous silicon (PS) films is prepared by photoelectrochemical etching of n-type silicon wafer with different currents density (20, 35 and 50 mA/cm2) and etching time 15 min on the formation nano-sized pore array with a dimension of around few hundreds nanometric. The films were characterized by the measurement of FTIR spectroscopy and atomic force microscopy properties.Chemical fictionalization during the photoelectrochemical etching show on surface chemical composition of PS. The etching possesses inhomogeneous microstructures that contain a-Si clusters (Si3–Si–H) dispersed in amorphous silica matrix and (O-SiO, C-SiO). It is observed from the FTIR analyses that the Si dangling bonds of the as-prepared PS layer have large amount of Hydrogen to form weak (Si–H) bonds. The atomic force microscopy investigation shows the rough silicon surface; with increasing etching process (current density) porous structure nucleates which leads to an increase in the width (diameter) of surface pits. Consequently, the surface roughness also increases. The electrical properties of prepared PS; namely current density-voltage characteristics under dark, show that the pass current through the PS layer decreased by increasing the current density and etching time, due to increase the resistivity of PS layer. The PS layer shows a rectifying behaviour with different rectification ratio. C-V measurements demonstrate that the behaviour of the resulting junction is more like to Schottky junction. This study makes it clear that the charge carries depletion process occur in PS layer. Moreover, the charge carries decrease and width of depletion layer increase by increasing the current density.

في هذا البحث تم تحضير أغشية السليكون المسامي النانوية بطريقة التنميش الفوتوكهروكيميائي لرقائق السليكون من النوع المانح مع كثافة تيارات (20 و 35 و 50 ملي امبير/ سم2) لتكوين حفر بأحجام نانوية منظمة بحدود مئات قليلة من الأبعاد النانومترية وزمن تنمش ثابت 15 دقيقة وتم تشخيص الأغشية من مطيافية تحويلات فورير للأشعة تحت الحمراء وخواص مجهر القوى الذري. حيث تم تحديد المجاميع الفعالة الكيميائية خلال التنميش الكهروكيمياوي التي تظهر على سطح المركب الكيميائي للسليكون المسامي. ان عملية التنميش الكهروكيميائية الضوئية التي تحوي على تراكيب غير متجانسة في السليكون العشوائي مثل عناقيد (Si3-Si-H) وعلى مجموعات (O-SiO, C-SiO) المشتتة في السليكا العشوائية. من تحليلات تحويلات فورير للاشعة تحت الحمراء أظهرت أواصر السليكون المتدلية لطبقة السليكون المسامي كما تم ترسيبها حيث تحوي كمية كبيرة من الهيدروجين على شكل أواصر (Si-H) الضعيفة.أظهرت اختبارات مجهر القوى الذري على سطح السليكون ان نوى البنية المسامية التي تؤدي إلى زيادة في عرض (القطر) حفر السطح مع زيادة عملية التنميش (كثافة التيار). وبالتالي فإن الزيادة بخشونة السطح أيضا تزداد.الخصائص الكهربائية لطبقة السليكون المسامي المحضرة؛ اي خصائص تيار - جهد تحت الظلام٬ أظهرت ان التيار المار خلال طبقة السليكون المسامي يقل بزيادة كثافة التيار وزمن التنميش٬ نتيجةً لزيادة مقاومية طبقة السليكون المسامي. أوضحت طبقة السليكون المسامي سلوكاً تقويمياً مع نسب تقويم مختلفة. أظهرت قياسات سعة - جهد ان سلوك الوصلة الناتج اشبه بكثير بوصلة شوتكي. هذه الدراسة بينت حدوث عملية استنزاف لحاملات الشحنة في طبقة السليكون المسامي. علاوةً على ذلك٬ نقصان حاملات الشحنة وزيادة عرض منطقة الأستنزاف يحدث بزيادة كثافة التيار.


Article
Investigation of Laser Assisted Etching for Preparation Silicon Nanostructure and Diagnostic Physical Properties
استقصاء التنميش المحتث بالليزر لتحضيرسليكون ذو بنية نانوية وتشخيص خصائصه الفيزيائية

Authors: Zahraa J. Abdulkareem --- Uday M. Nayef --- Kadhim A.Hubeatir
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 595-601
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper; nanostructure porous silicon (PS) was prepared by using photo-electrochemical etching (PECE) of n-type silicon at 10 & 30 mA/cm2 etching current density for 10 minute. X-ray diffraction (XRD) confirms the formation of porous silicon and the crystal size is reduced toward nanometric scale. The Atomic Force Microscope (AFM) investigation shows the sponge like structure of PS, the width of surface pits and surface roughness increase with etching current density.Finally, the Fourier Transform Infrared (FTIR) illustrates the PS layer have large amount of dangling bonds.

في هذا البحث تم تحضير السليكون المسامي ذو تركيب نانوي باستخدام التنميش الكهروكيميائي – الضوئي (PECE) لشريحة سيلكون من النوع المانح (n-type) بتيار تنميش (10& 30 mA/cm2) وزمن تنميش (10 min). اثبت حيود الاشعة السينية (XRD) تكون السيلكون المسامي وان الحجم البلوري يقل باتجاه الابعاد النانوية. بينما بين مجهر القوة الذرية (AFM) البنية المسامية للسيلكون المسامي وان قطر المسام وخشونة السطح تزداد مع تيار التنميش. واخيرا اظهر تحويل فورير للاشعة تحت الحمراء (FTIR) ان سطح السيلكون المسامي يحتوي على كميات كبيرة من الاواصر المتدلية.


Article
A Study of the effect of Porous Silicon Nanoparticles on Human Blood Components
دراسة تأثير الجسيمات النانوية للسيليكون المسامي على مكونات دم الانسان .

Authors: Kareem H. Jwaid --- Majid S. Jabir --- Uday M Nayef
Journal: journal of the college of basic education مجلة كلية التربية الاساسية ISSN: 18157467(print) 27068536(online) Year: 2017 Volume: 23 Issue: 99/ علمي Pages: 77-86
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

The present work demonstrates the toxicity effect of( PSNPs( on blood components which are prepared by electrochemical etching and plus laser ablation (PLA) Nd: YAG laser method. We conformed the synthesis of porous silicon nanoparticles by using structures and optical properties through measuring absorbance of color and scanning electron microscope techniques. The study of toxicity effect of these nanoparticles on the blood human parameters (in vitro) used complete blood count (CBC). The results of hematology parameter (HCT-PCV); (PLT); (HGB –Hb); (RBCs); (WBCs); Count type white blood cells)are compared with the control groups, Our results shows no significant differences in levels (HCT-PCV); (PLT); (HGB –Hb) ; (RBCs); (WBCs); Count type white blood cells) between the test groups when compared with control groups. This result that there indicates no toxic effect of porous silicon nanoparticles in hematology parameter) in vitro).

صممت الدراسه الحاليه لمعرفة التاثيرالسمي للجسيمات النانوية للسليكون المسامى المحضرة بطريقة التنميش الكهروكيمياوي و الليزر النبضي (الاندياك ) على مكونات دم الانسان. تم الاستدلال على الحصول على الجسيمات النانوية للسيلكون المسامي باستعمال الخواص التركيبة والبصرية وذلك من خلال قياس الامتصاصية اللونية واستعمال تقنيات المجهر الالكتروني الماسح. تم دراسة تاثير تلك الجسيمات النانوية للسيليكون المسامي على كريات دم الانسان باستعمال جهاز العد الكامل لمكونات الدم مقارنة مع مجموعة السيطرة باستخدام انابيب الاختبار الحاوية على المادة المانعة للتخثر .اظهرت النتائج عدم وجود فروق معنوية في مستوى مكونات الدم بين مجاميع الاختبار بالمقارنة مع مجموعة السيطرة. تشير النتائج الى عدم وجود تاثير سمي لجسيمات السيليكون النانوية لمكونات الدم خارج الجسم الحي .

Listing 1 - 10 of 11 << page
of 2
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (11)


Language

English (10)

Arabic (1)


Year
From To Submit

2018 (1)

2017 (1)

2015 (1)

2014 (1)

2013 (3)

More...