نتائج البحث : يوجد 1

قائمة 1 - 1 من 1
فرز

مقالة
Physical Properties of MOS Porous Silicon Detector Fabricated under RTO Method
الخصائصا لفیزیائیة لكاشف السلیكون المسامي MOS المحضر بطریقة الأكسدة الحراریة السریعة

المؤلفون: Narges Z. Abdulzahra --- Wafaa K. Khalaf --- Alwan M. Alwan
ﺎﻠﻤﺠﻟﺓ: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 السنة: 2009 المجلد: 27 الاصدار: 11 الصفحات: 2286-2291
الجامعة: University of Technology الجامعة التكنولوجية - الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
الخلاصة

In this research we studying the sensitivity of a porous silicon photo detector, wefound it improved through rapid thermal oxidation processes. Under our optimumpreparation conditions, photocurrent can reach about 3408 μA (under power density 100mW/cm2 tungsten lamp illumination) and dark current is about 300μA(at reverse bias of 5V).

الكلمات المفتاحية

Photo detector --- porous silicon --- rapid thermal oxidation

قائمة 1 - 1 من 1
فرز
تضييق نطاق البحث

نوع المصادر

مقالة (1)


اللغة

English (1)


السنة
من الى Submit

2009 (1)