research centers


Search results: Found 32

Listing 1 - 10 of 32 << page
of 4
>>
Sort by

Article
Optical and Optoelectric Properties in PbCdS Ternary Thin Films Deposited by CBD
الخصائص البصرية والكهروبصرية للاغشية الثلاثية PbCdS المرسبة بطريقة الحمام الكيميائي

Authors: J. P. Ponpon --- Ali M. Musa --- Modaffer A. Mohammed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 6 Pages: 1050-1060
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

PbxCd1-xS films have been prepared in the composition range of 0.05£ x£0.25by using a chemical bath deposition growth technique under optimum conditionsto deposit good photo response. X-ray diffraction study results show that the filmsare of PbS-CdS composite with individual CdS and PbS planes. The filmsexhibited two direct band gaps, 2.4 eV belongs to CdS, and the second variescontinuously from 2.4eV to 1.3eV. The surface morphology of the films is smoothwith crystallite of increasing grain size with increasing the mole fraction (x). Thedecrease in the band gap with increase in lead concentration suggests that theComposite of PbS (Eg=0.41eV) with CdS (Eg=2.4eV).

x ≤ وبتراكيز تتراوح مابين ( 2.5 (Pbx Cd1-x S ) تم ترسيب غشاء رقيق لمركب0.05 ) باستخدام تقنية الترسيب بالحمام الكيمياوي وباعتماد الضروف المثلى للحصول على ≤يشتمل (PbS-CdS) أستجابية ضوئية جيدة. قياسات حيود الأشعة السينية اضهرت إن المركبeV) المنفردة .اضهرت الأغشية قيمتين لفجوة الطاقة المباشرة (CdS و PbS) على مستويات1.3 ) . سطح الأغشية eV) 2.4 ) إلى eV) 2.4 ) عائدة لكبريتيد الرصاص والثانية تتغير منالنقصان بقيمة فجوة الطاقة .(x) كان صقيل مع زيادة في الحجم الحبيبي بزيادة الكسر المولي. (PbS) و (CdS) مع زيادة تركيز الرصاص يؤدي إلى تكوين مركب من


Article
study structural and optical properties of Nanostructure ZnO Thin Film Prepared by Chemical Bath Deposited method
دراسة الخواص التركيبية والبصرية لغشاء اوكسيد الزنك الرقيق نانوي التركيب بطريقة الترسيب بالحمام الكيميائي

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, Prepared ZnO Nanostructure thin flims were synthesized via chemical bath deposition method in the reaction temperature of 70°C without any posterior treatments. Zinc nitrate hexahydrate (Zn(NO3)2.6H2O) were adopted as synthesis precursors and the production of ZnO nanostructures occurred in few hours. The ZnO nanostructures obtained were characterized by X-ray diffraction (XRD,AFM,UV), hexagonal structure ZnO films with grain sizes between 22nm. The transmission film 90%, morphology and optical properties of the film were also studied.

تم في هذا البحث تحضير غشاء نانوي من اوكسيد الزنك ZnOبطريقة الترسيب بالحمام الكيميائي حيث رسبت الأغشية على شرائح زجاجية من محلول نترات الزنك المائية Zn(NO3)2.6H2O وبنسبة (0.2) مول/لتر وبدرجة حرارة70C وقد تم إجراء فحوصات AFM,UV) XRD,) على العينات ولوحظ بان التركيب هو من النوع السداسي متعدد التبلور والحجم الحبيبي هو( 22nm ) وان الأغشية تمتلك نفاذية عالية تصل الى 90%. كذلك تم دراسة طبوغرافية السطح وفجوة الطاقة ومعامل الامتصاص للغشاء.


Article
Preparation and characterization of nanostructure high efficient CdS/Si hetrojunction by CBD

Authors: Selma M.Hassan Al-Jawad --- Adawiya J. Haider --- Ali M. Mousa
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2009 Volume: 7 Issue: 8 Pages: 113-122
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, CdS/Si hetrojunction solar cell has been made by Chemical Bath Deposition (CBD) of CdS thin film on to monocrystalline silicon substrate. XRD measurements approved that CdS film is changing the structure of CdS films from mixed hexagonal and cubic phase to the hexagonal phase with [101] predominant orientation. I-V characterization of the hetrojunction shows good rectification, with high spectral responsivity of 0.41 A/W, quantum efficiency 90%,and specific detectivity 2.9*1014 cmHz1/2W -1

هذا البحث تم تصنيع خلية شمسية متعددة الطبقات CdS/Si باستخدام الترسيب بالحمام الكيميائي لاغشية كبرتيد الكادميوم المرسبة على قواعد من السيلكون الاحادي البلورة.حيث اظهرت قياسات حيود الاشعة السينية ان التركيب البلوري لاغشية كبريتد الكادميوم متكون من تركيب خليط سداسي باتجاهية [101] .و قد اظهرت خصائص تيار-فولتية للمتعددة الطبقات تضخيم جيد مع استجابية طيفية عالية بحدود 0.41AW و ان الكفاءة الكمية 90% و الكشفية النوعية 2.9*1014 cmHz1/2W -1


Article
Effect of Thickness to the Structure Properties of CdO Thin Films

Author: Hadia Kadhim J.Al-Ogili
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2011 Volume: 29 Issue: 8 Pages: 1536-1544
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper CdO thin films were prepared by using chemical bath depositionmethod. Three different thicknesses of CdO films (84.1nm, 165.1nm, 194.23nm) wereused .x-ray diffraction technique has confirmed the formation of cadmium oxide,where reveals the changes in films structure with thickness increase. Many structuralproperties and constants have been studied and calculated by using the formation fromXRD patterns and ASTM chart such as grain size, FWHM, integral breadth, shapefactor, texture coefficient, and number of layers .These structural constants wereplotted as a function of the films thicknesses. The results indicate that the high grainsize (21.557nm) which was calculated for crystalline plane (111) was corresponding tothe high film thickness (194.23nm), while larger number of layer obtained for the filmthickness 165.2nm.


Article
Growth Kinetics of Chemically Deposited CdO Thin Films
ميكانيكية النمو لأغشية اوكسيد الكادميوم ألمرسبه كيميائيا

Authors: Hadia Kadhim J.Alogili --- Selma Mohammed H. Al-Jawad
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 11 Pages: 2335-2344
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work CdO films were prepared by using chemical bath depositiontechnique where the cadmium nitrate salt was used as a source of cadmium ions.The effect of different bath parameters has been considered in this work, namely,cadmium ion concentration, deposition time, temperature of solution and pH value,on the rate of deposition and terminal thickness. Annealing process in air attemperature 573K° and time of 15min. are carried out for the conversion ofcadmium hydroxide film to oxide film. X-Ray diffraction technique has confirmedthe formation of cadmium oxide (CdO).

في هذا البحث تم تحضير اغشية اوكسيد الكادميوم باستخدام تقنية الترسيب بالحمامالكيميائي حيث استخدم ملح خلات الكادميوم كمصدر لايونات الكادميوم . تم دراسة تاثير مختلفظروف الحمام وهي تركيز ايون الكادميوم ,زمن الترسيب ,درجة حرارة المحلول و قيمة ألدالهالحامضيه على معدل الترسيب والسمك النهائي للغشاء.عملية التلدين اجريت في الهواء بدرجةحراره 573 كلفن ولزمن يساوي 15 دقيقه من اجل تحويل غشاء هيدروكسيد الكادميوم الىاوكسيد الكادميوم. تم اثبات تكون غشاء اوكسيد الكادميوم بواسطة تقنية حيود الاشعه السينيه.


Article
Influence of Post- Annealing on The Properties of Cuxs: Al, Fe Films Deposited By C B D
تأثيرالمعالجة الحرارية على خصائص أغشية كبرتيد النحاس المشوبة بالحديد والالمنيوم والمرسبة بطريقة الترسيب بالحمام الكيمياوي

Authors: Ali M . Mousa --- Abbas F. Sabbar
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 14 Pages: 2632-2641
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of copper sulfide (CuxS) were deposited at room temperature on glass substrates from solution containing copper (II) chloride, triethanolamine, and thiourea at appropriate pH (10-11). Two types of doping salts were used (AlCl3 & FeCl3) in four different weights (1, 1.5, 2, and 2.5) mg. The effect of introducing impurities and post-annealing was studied .The as-deposited films were found tobe amorphous, while the post annealed were polycrystalline. The changes in optical and electrical properties of doped films were also studied. The electrical conductivity was found to be highly dependent on annealing conditions, the resistivity of doped films was between (0.022-8.75) Ω cm. Optical band gaps of doped films determined from absorption spectra were found to have values within the range of (2.17-2.33) eV.

في هذا البحث رسبت أغشية رقيقة من مادة كبرتيد النحاس على قواعد زجاجية بدرجة حرارة الغرفة بأستخدام كلوريد النحاس ، تراي ايثانول امين و الثايوريا وبدالة حامضية ملأئمة FeCl 11-10 ). أستخدام نوعين من املاح الاشائبة هما كلوريد الحديد وكلوريد الالمنيوم ( 3 ) بأربعة أوزان مختلفة هي ( 1،1.5،2 و 2) ملغم.درس تأثير كل من أضافة الشوائب (AlCl3 & والمعالجة الحرارية. من خلال دراسة حيود الاشعة السينية تبين ان الاغشية المرسبة من غيرمعالجة حرارية تكون عشوائية بينما تلك المعالجة حراريا كانت متعددة البلورات. درس التغير في الخصائص البصرية و الكهربا ئية للأغشية المشابة . ظهر قياس التوصيلية الكهربا ئية انها تعتمد كثيرا على شروط المعالجة الحرارية. المقاومية الكهربلئية للاغشية المشابة كانت بين حددت فجو ة الطاقة البصرية للاغشية المشوبة من طيف . Ωcm (8.75- 0.022). eV (2.33- الامتصاصية وتتراوحت ( 2.17


Article
Characterization of ZnO thin films grown by chemical bath deposition

Author: Mohammad M. Ali
Journal: Journal of Basrah Researches (Sciences) مجلة ابحاث البصرة ( العلميات) ISSN: 18172695 Year: 2011 Volume: 37 Issue: 3A Pages: 49-56
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

The ZnO thin films were prepared by chemical bath deposition technique using glass substrates with bath temperature 80oC and annealing temperatures 300oC, 350oC and 400oC. The X-ray diffraction analysis shows that the prepared samples are polycrystalline and it exhibits hexagonal structure along with c-axis orientation. The average grain size of ZnO thin films was found to be 36.340nm as calculated by XRD using Debye Scherer’s formula. After annealing the films in air the grain size was 32.420nm, 60.993nm and 34.067nm respectively. The optical absorbance of the deposited films was characterized by UV-VIS-NIR spectrometry and shows the presence of direct transition with band gap energy 3.32eV and after annealing, it decreases to 3.12eV, 3.04eV and 3.10eV respectively.

حضُرة (رُسبت) الأغشية الرقيقة لمركب ZnO على القواعد الزجاجية باستعمال تقنية الترسيب الكيميائي CBD بدرجة حرارة ترسيب 80oC، بعدها تمت معاملة تلك الأغشية حراريا بدرجات حرارية مختلفة (عملية التلدين) 300oC و 350oC و 400oC في الهواء. تم تحليل التركيب البلوري للأغشية المحضرة والملدنة عن طريق حيود الأشعة السينية XRD وتبين ان الأغشية متناسقة وناعمة ومتعددة التبلور وتمتلك طوراً واحداً فقط وهو التركيب البلوري السداسي Hexagonal بدون حدوث اي تغيير في التركيب البلوري على طول فترة التحضيرات والتي رافقتها عملية التلدين. أن معدل الحجم الحبيبي لتلك الأغشية هو 36.340nm والمحسوب عن طريق استعمال علاقة ديباي-شيرر وذلك من خلال حيود الأشعة السينية، وبعد أجراء عملية التلدين فأن معدل الحجم الحبيبي أصبح 32.420nm و 60.993nm و 34.067nm على التوالي. قيست الامتصاصية الضوئية للأغشية باستعمال مدى المطيافية UV-VIS-NIR من الضوء وتبين ان لها سمة الأنتقال المباشر مع فجوة طاقة 3.32eV للأغشية المرسبة بدرجة حرارة 80oC وللأغشية الملدنة كانت 3.12eV و 3.04eV و 3.10eV على التوالي.


Article
Optical Properties of Annealed Cadmium Sulfide Thin Films Prepared by Chemical Bath Deposition

Authors: W.A. Taha --- Z.S. Ahmed --- S.M.H. Aljawad
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics Letters الرسائل العراقية في الفيزياء التطبيقية ISSN: 1999656X Year: 2009 Volume: 2 Issue: 2 Pages: 19-22
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

CdS thin films were prepared by the chemical bath deposition technique. Annealing in air at different temperatures (300, 350, 400, 450, and 500)°C at constant time of 30min, also for different times (15, 30, 45, 60, and 90) min at constant temperature (300°C) is achieved. The CdS films showed, on average, 20% reflectance. The transmittance ranged between 80–92% for the films annealed at 60 and 45 min. On average, the refractive index of the CdS is 1.2 and the band gap is 2.4eV, the wide band gap semiconductor has a wide range of applications in areas including photocells and other photoconductive devices.


Article
Influence of Deposition Parameters on Optical and Electrical Properties of CuxS Thin Films Prepared Using Chemical Bath Deposition Method

Authors: A.M. Mousa --- S.H. Nasher --- J.-P. Ponpon
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2008 Volume: 4 Issue: 3 Pages: 19-24
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of CuxS have been deposited in an aqueous solution of copper chloride, tri ethanol amine, aqueous ammonia and thiourea. The effect of deposition time, solution pH and thiourea amount on films thickness, growth rate, optical and electrical properties has been studied. The film thickness increases with increasing deposition time and thiourea volume, whereas it decreases with increasing the solution pH. The corresponding small modifications of optical properties can be explained by the increase in roughness with film thickness. Electrical resistivity is strongly influenced by the solution pH and by the thiourea amount but depends to a much less extent on the film thickness.


Article
Properties of Copper Sulfide Thin Films Prepared by CBD Method

Authors: Ali. M.M. --- Salma M.H. --- Jean P.P.
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2013 Volume: 9 Issue: 2 Pages: 19-24
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of CuxS have been deposited in an aqueous solution of copper chloride, tri ethanol amine, aqueous ammonia and thiourea. The effect of deposition time, solution pH and thiourea amount on films thickness, growth rate, optical and electrical properties has been studied. The film thickness increases with increasing deposition time and thiourea volume, whereas it decreases with increasing the solution pH. The corresponding small modifications of optical properties can be explained by the increase in roughness with film thickness. Electrical resistivity is strongly influenced by the solution pH and by the thiourea amount butdepends to a much less extent on the film thickness.

Listing 1 - 10 of 32 << page
of 4
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (32)


Language

English (26)

Arabic (4)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2019 (2)

2018 (1)

2017 (3)

2016 (1)

2015 (3)

More...