research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Optical Method to Determine the Orientation of Monocrystalline Silicon Wafers
طريقة بصرية لتحديد الاتجاهية لشرائح السيليكون احادية البلورات

Authors: Saria D. Al-Alagawi --- Manal A. Aboud
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 8 Pages: 950-954
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, an optical method was used for the determination of thecrystalline orientation of the chemically etched silicon surfaces in the (111),(110) and (100) planes. This method depends on the light patterns of laserbeam reflected from the monocrystalline surfaces. The optical method submitsacceptable measuring accuracy and well-distinguished folded patterns.

في هذا البحث ، استخدمت طريقة بصرية لتحديد الاتجاهية البلورية لسطوحسيليكونية منمشة كيماويا باتجاه المستويات ( 111 ) و ( 110 ) و ( 100 ). تعتمدهذه الطريقة على الأنماط الضوئية التي تكونها حزمة الليزر المنعكسة عنالسطوح أحادية التبلور. توفر هذه الطريقة البصرية دقة قياس مقبولةوأنماط متميزة بشكل واضح والاستغناء عن الفحوصات بالاشعة السينية.


Article
Using chemical etching technique to determination the crystal orientation for silicon wafer
استخدام تقينة الاظهار الكيميائي في تحديد اتجاهية المستويات البلورية لشرائح السليكون

Authors: ساریة ذیاب محمد --- فاطمةعریص سلطان --- اقبال عبد المجید
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 8 Pages: 391-397
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

AbstractThe crystal orientation of a semiconductor play a significant role to effects thecharacteristics of manufactured semiconductor solar cells and the optical detectors.In this research we use the chemical etching technique and microscopic testingto determine the crystal orientation of the silicon wafer, where mechanicalpolishing and Wet Etching described the geometric dislocations pits which refersto thecrystallographicorientation. Microscopic examination has been describingdifferences geometric dislocations pits which reflected from plane (111) in thesilicon wafer, by the impact of different chemical solutions. CP-4 etch appeardislocations pits in geometric forms flat trigonometric, while using KOH solutionshow that pits in conical shape which refers to the vector [111] for silicon wafer.In this work acid chromium oxide solution has been used to showing thegeometric dislocations pits of plane (100) in the forms of four fold flat symmetrywhich refers to that plane in Silicon wafer, as the distribution of Miller Indices inthe cubic system.

تلعب الاتجاهية البلورية لأشباه الموصلات دورا كبيرا في التأثير على خصائص النبطيةالمصنعة كالخلية الشمسية والكاشف الضوئي ونحوهما .في هذا البحث تم استخدام تقنية الاظهار الكيميائي والفحوصات المجهرية لتحديد التوجيه البلوريلشرائح السليكون الاحادية ، حيث أدت عمليات التنعيم والصقل ومحاليل الاظهار المفضلة الى أظهار ندبالانخلاعات على شكل هيئات هندسية مميزة تشير الى المستويات البلورية لشرائح السليكون .بينت الفحوصات المجهرية الاختلاف في هيئات ندب الانخلاعات للمستوي ( 111 ) في شرائحالسليكون بتأثير اختلاف المحاليل الكيميائية ، حيث ظهرت ندب الانخلاعات بأشكال هندسية مثلثيةالى اظهار تلك الندب بهيئات مثلثية CP- بينما أدى محلول 4 KOH مسطحة عند استخدام محلول.[ هرمية يشير الرأس الى الاتجاهية [ 111استخدم خلال هذا البحث محلول أوكسيد الكروم الحامضي في اظهار ندب الانخلاعات للمستويات100 ) لشرائح السليكون حيث كانت على هيئة مربعات حادة الحافات مسطحة تشير الى تلك المستويات )وحسب توزيع معامل ملر في النظام المكعب لشرائح السليكون.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

Arabic (1)

English (1)


Year
From To Submit

2010 (1)

2007 (1)