research centers


Search results: Found 18

Listing 1 - 10 of 18 << page
of 2
>>
Sort by

Article
Preparation and Characterization of PSi/Si Electrochemically Formed as Photodetectors

Author: Doaa S. Jbaier
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2016 Volume: 19 Issue: 4 Pages: 103-112
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon were constructed electrochemically with various form ationtimes (5, 10, 15 and 20) min with current density 20mA/cm2 on p-type silicon. The influence of formation time on the structural and morphological properties have been presented by using SEM and optical microscopy. The SEM analysis was showed that the porous silicon layer has a uniform structure and this structure varied with increasing the etching time. The optical microscope was carried out to study the thickness, the pore diameter and etching rate of porous silicon layer, we have found the porous silicon thicknessis accretion with excess the formation time and pores diameter increased also. The etching rate was found to increase from 1.25 to 1.53 μm/min. The electrical properties of PSi samples which represented by I-V characterization under dark show that when the etching time increased the current which pass through the layer of porous silicon decreased because of increasing the resistivity of PSi surface. From I-V charecteristics PSi layer show a good rectification and high responsivity for visible and near IR region.

السيليكون المسامي تم تحضيره بالطريقة الكهروكيميائيةوبأزمان تحضير ) 5 و 01 و 05 و 01 ( دقيقة وبكثافة تيار01 ملي امبير/سم 0 على السيليكون نوع P . تأثير زمنالتشعيع على الخصائص التركبيبية والطبوغ ا رفية درستباستخدام المجهر الالكتروني الماسح والمجهر الضوئي.أظهرت نتائج المجهر الالكتروني الماسح ان السيليكونالمسامي الناتج ذو شكل منتظم وطبيعة الشكل تتغير بتغيرزمن التشعيع. المجهر الضوئي تم استخدامه لد ا رسة سمكالسطح، قطر المسام بالاضافة الى معدل التاكلفي طبقةالسيليكون وجدنا أن سمك السيليكون المسامي يزداد بزيادةزمن التشعيع بالاضافة الى قطر المسام يزداد كذلك بزيادةزمن التشعيع. معدل التاكل وجد انه يزداد من 0.05 الى0.51 مايكرون/دقيقة. الخصائص الكهربائية لعيناتالسيليكون المسامي والمتمثلة بخصائص تيار جهد تحت -الظلام بينت ان عند زيادة زمن التشعيع يقل التيار المارخلال طبقة السيليكون المسامي بسبب زيادة مقاومة سطحالسيليكون المسامي. من خصائص تيار جهد لسطح –السيليكون المسامي تبين انه يظهر تقويم جيد واستجابية عاليةعند المنطقة المرئية وتحت الحم ا رء الق ريبة .


Article
Morphology and Electrical Properties Study of Nanocrystalline Silicon Surface Prepared By Electrochemical Etching
دراسة الخصائص الطبوغرافية والكهربائية لسطح السيلكون ذو التركيب النانوي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي

Author: Jamal Fadhil Mohammad جمال فاضل محمد
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2016 Volume: 57 Issue: 3A Pages: 1707-1714
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, nanostructure porous silicon surface was prepared using electrochemical etching method under different current densities. I have studied the surface morphology and photoluminescence (PL) of three samples prepared at current densities 20, 30 and 40 mA/cm2 at fixed etching time 10 min. The atomic force microscopy (AFM) images of porous silicon showed that the nanocrystalline silicon pillars and voids over the entire surface has irregular and randomly distributed. Photoluminescence study showed that the emission peaks centered at approximately (600 – 612nm) corresponding energies (2.06 – 2.02eV).While current-voltage characteristics shows, as the current density increase the current flow in the forward bias is decreasing, while the rectification ratio and ideality factor varied from one sample to another. Finally, as etching current density increases the built in potential (Vbi) decreases (Vbi= 0.95, 0.75 and 0.55 volt corresponding 20, 30 and 40 mA/cm2) respectively.

تم في هذا البحث تحضير سطح السيلكون ذو التراكيب النانوية بطريقة التنميش الكهروكيميائي ولكثافة تيار مختلفة. وكذلك تم دراسة طبوغرافية سطح السيلكون والاضائية (اللمعان) للعينات المحضرة بكثافة تيار 20، 30 ، 40 ملي امبير/ سم2وعند زمن تنميش ثابت مقداره 10 ثانية.أوضحت صور مجهر القوة الذرية بان سطح السليكون ذو تراكيب نانوية بهيئة اعمدة وفجوات موزعة بصورة عشوائية غير منتظمة على سطح السيلكون. دراسة الاضائية أوضحت بان قمم الانبعاث متمركزة تقريبا بين مدى الاطوال الموجية(600-612 نانومتر) والتي تقابل الطاقات (2.02-2.06 الكترون فولط). بينما اوضحت دراسة خصائص تيار-جهد، عند زيادة كثافة التيار يتناقص التيار الامامي مع تغير لكل من نسبة التقويم و عامل المثالية من عينة الى اخرى. واخيرا، عند زيادة كثافة تيار (20، 30 ، 40 ملي امبير/ سم2 ) فان جهد البناء الداخلي يتناقص (0.55, 0.75, 0.95 فولط) على الترتيب.


Article
Enhancement of Porous Silicon Formation by Using Ultrasonic Vibrations
تعزیز تكون السلیكون المسامي باستخدام الاھتزازات فوق الصوتیة

Author: Ali H. Al-Hamdani
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 5 Pages: 849-854
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Anodic electrochemical etching enhanced by ultrasonically is developed to fabricate luminescent porous silicon (PS) material. The samples prepared by the new etching method exhibit superior characteristics to those prepared by conventional direct current etching. By applying ultrasonically enhanced etching, PS microcavities with much higher quality factors can be fabricated. The improved quality induced byultrasonic etching can be ascribed to increased rates of escape of hydrogen bubbles and other etched chemical species from the porous silicon pores surface.


Article
The Structure and Electrical Properties of Porous Silicon Prepared by Electrochemical Etching
الخصائص التركيبية و الكهربائية للسليكون المسامي المحضر بطريقة القشط الكهروكيميائي

Author: Narges Zamil Abdulzahra نرجس زامل عبد الزهرة
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2011 Volume: 9 Issue: 15 Pages: 94-101
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon was prepared by using electrochemical etching process. The structure, electrical, and photoelectrical properties had been performed. Scanning Electron Microscope (SEM) observations of porous silicon layers were obtained before and after rapid thermal oxidation process. The rapid thermal oxidation process did not modify the morphology of porous layers. The unique observation was the pore size decreased after oxidation; pore number and shape were conserved. The wall size which separated between pore was increased after oxidation and that effected on charge transport mechanism of PS.

في هذا العمل ، تم تحضير السليكون المسامي باستخدام طريقة القشط الكهروكيميائي. الخصائص التركيبية،الكهربائية والخصائص الكهروضوئية تم انجازها. ملاحظات المجهر الالكتروني الماسح لطبقة السليكون المسامي تم الحصول عليها قبل وبعد عملية الأكسدة الحرارية السريعة. عملية الأكسدة الحرارية السريعة لاتحور طبوغرافية طبقة السليكون المسامي . الملاحظة الوحيدة كانت حجم المسام يقل بعد عملية الأكسدة. بالإضافة إلى ذلك ,كثافة المسام بقية محفوظة. حجم الجدار الذي يفصل بين المسام ازداد بعد عملية الأكسدة وهذا اثر على ميكانيكية انتقال الشحنة للسليكون المسامي .


Article
Studying the Effect of Different Etching Parameters on the Physical Properties of Porous Silicon Prepared By Electrochemical Etching
دراسة تأثير عوامل التنميش المختلفة على الخصائص الفيزيائية لمادة السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي

Authors: Haider Amer Khalaf --- Uday Muhsin Nayef
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 8 Part (B) Scientific Pages: 1388-1401
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work we prepared a porous Silicon (PS) layer by electrochemical etching (ECE) technique using different etching parameters including current density, anodization time and Hydrofluoric (HF) acid concentration. From the structural properties, we found that the full width half maximum of the observed spectrum from the XRD analysis has been increased and the peak position is slightly shifted to higher value. Also the etching parameters effect on the pore diameter and in turn on all chemical compositional and optical properties. As well as for electrical properties, the barrier height increases with pore diameter and the depletion width as well. From these result, it can tell that PS layer is better than c-Si for many applications.

في هذا البحث حضرنا طبقة من السليكون المنمش بواسطة تقنية التنميش الكهروكيميائية مستخدمين مختلف عوامل التنميش من ضمنها كثافة تيار التضمين و زمن التنميش و تركيز حامض الهيدروفلوريك. من الخصائص التركيبية وجدنا ان هناك توسع ملحوظ في طيف حيود الأشعة السينية مع انحراف القمة عن موقعها الأصلي. كذلك عوامل التنميش تؤثر على قطر التجويف و التي بدورها تؤثر على خصائص التركيب الكيميائي و الخواص البصرية. و في الخصائص لكهربائية يزداد ارتفاع حاجز الجهد مع مع قطر التجويف و عرض منطقة النضوب. و من هذه النتائج نستنتج ان الطبقة المتكونة بعد عملية التنميش تمتلك خصائص افضل من السليكون البلوري و تستخدم في العديد من التطبيقات.


Article
Fabrication and characterization of porous silicon for humidity sensor application
تصنيع و توصيف السليكون المسامي لتطبيق متحسس الرطوبة

Loading...
Loading...
Abstract

Porous Silicon (PS) layer has been prepared from p-type silicon by electrochemical etching method. The morphology properties of PS samples that prepared with different current density has been study using atom force measurement (AFM) and it show that the Layer of pore has sponge like stricture and the average pore diameter of PS layer increase with etching current density increase. The x-ray diffraction (XRD) pattern indicated the nanocrystaline of the sample. Reflectivity of the sample surface is decrease when etching current density increases because of porosity increase on surface of sample. The photolumenses (PL) intensity increase with increase etching current density. The PL is affected by relative humidity (RH) level so we can use as humidity sensor. The electrical resistivity has been increased after PS layer formed due to the variation of the pore size and it was much higher after increase etching current.

حضرت طبقات السليكون المسامي باستخدام السليكون من النوع القابل (P-type) بواسطة طريقة التنميش االكهروكيميائي. خصائص التركيبية لعينات السليكون المسامي التي حضرت باستخدام كثافات تيار مختلفة درست بواسطة مجهر القوى الذرية (AFM)والتي بينت بان طبقات المسام تمتلك تركيب يشبة الاسفنج, وان معدل قطر المسام لعينات سطح السلكون المسامي تزداد مع زيادة كثافة تيار التنميش. حيود الاشعة السينية (XRD) بينت التركيب البلوري النانوي للعينة. انعكاسية سطح النموذج تقل بزيادة كثافة تيار التنميش وهذا يعود الى زيادة المسامية على سطح النموذج. ان كثافة الاستضاءة الضوئية (PL)تزداد بزيادة كثافة تيار التنميش, وكذلك تتاثر بواسطة بواسطة مستوى الرطوبة النسبية(RH) لذلك يمكن استخدامها كمتحسس للرطوبة. المقاومية الكهربائية للعينة تزداد بعد تكوين الطبقات المسامية على السطح ويعزى ذلك الى اختلاف حجم المسام وانها تكون اعلى مايمكن مع زيادة تيار التنميش.


Article
Effect of photo chemical etching and electro chemical etching on the topography of porous silicon wafers surfaces
تأثير التنميش الكيميائي الضوئي والتنميش الكهروكيميائي على طبوغرافية سطوح شرائح السليكون المسامي

Author: Amjad Hussein Jassem امجد حسين جاسم
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2019 Volume: 24 Issue: 4 Pages: 52-56
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

In This research we study the effect of photo chemical etching and electrochemical etching on topography of porous silicon surfaces, the results showed that photo chemical etching produced roughness silicon layer which can have thickness be less of porous silicon layer which is produced by electro chemical etching When all the wafers have same etching time and hydrofluoric solution (HF) concentration, the wafers have same resistance (10 Ω.cm).Also the results showed the roughness of porous silicon layers produced by electro chemical method which is bigger than the roughness of porous silicon layers produced by photo chemical method and the results of roughness of porous silicon layers, Pore diameter and porous layer thickness were produced by electro chemical method (1.55(µm) ((0.99(µm)) and ((1.21(µm) respectively), the results of roughness of porous silicon layers, Pore diameter and porous layer thickness were produced by photo chemical method 0.63)) nm -1.55)) (µm) ),so the (84.9 (nm)- and (3.94(nm) respectively .This is reinforces because of using the electro chemical to etching the wafer surf ace of bulk silicon and changing it to roughness silicon surface be share in success of many practicalities.

تم في هذا البحث دراسة تأثير التنميش الكيميائي الضوئي والتنميش الكهروكيميائي على طبوغرافية سطوح السليكون المسامي، اذ اظهرت النتائج ان التنميش الكيميائي الضوئي انتج طبقة سطحية ذات خشونة اقل سمكا مما انتجه التنميش بالطريقة الكهروكيميائية وعند ظروف التصنيع نفسها من تركزHF و زمن تنميش ومقاوميه نفسها (.cm Ω 10).كما تبين ان الخشونة كانت اكبر لسطوح شرائح السليكون المسامي المنتجة بالطريقة الكهروكيميائية مما هي عليه سطوح السليكون المسامي المنتجة بالطريقة الكيميائية الضوئية اذ اظهرت النتائج ان قيم الخشونة وقطر المسام وسمك الطبقة المسامية للسطوح السليكونية المنتجة بالطريقة الكهروكيميائية كانت (1.55(µm) و(mµ)(0.99) و(mµ)(1.21) على التوالي، بينما اظهرت النتائج ان قيم الخشونة وقطر المسام وسمك الطبقة المسامية للسطوح السليكونية المنتجة بالطريقة الفوتوكيميائية كانت nm) (0.63) و ( (nm)(84.9) و(nm)(3.94) على التوالي.وهذا يعزز من امكانية استعمال الطريقة الكهرو كيميائية الضوئية لحفر سطوح شرائح السليكون الكتلي وتحويلها الى شرائح سليكون ذات سطوح خشنة تسهم في انجاح عدة تطبيقات عملية.


Article
Effect of HF Concentration on the PS Structures Prepared by Photoelectrochemical Etching
تاثير تركيز حامض الهيدروفلوريد على طبقة السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي الضوئي

Authors: Yasmeen Z. Dawood --- Bassam G. Rasheed --- Ali H. AL-Hamdani
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 11 Pages: 2143-2150
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon was fabricated at p-n junction wafer byphotoelectrochemical (PEC) etching. Silicon wafer with various electrolytecontaining different HF concentrations was used to explain PS formation by thereaction at the Si/ electrolyte interface. An investigation of the dependence on HFconcentration to formed PS layer was made. The surface morphology of PS layerwas study as a function of HF concentration. Pillar like structures are formed atlow HF concentration and pores structures are obtained a at higher HFconcentration (40%). The etching rate increases with increasing HF concentrationcausing faster silicon dissolution. Thus the total pillar volume would increase byincreasing the HF concentration.

تم انتاج طبقة من السلیكون المسامي بطریقة التنمیش الكھروكیمیائي الضوئي باستخدامقواعد سلیكونیة ثنائي الوصلة. ودراسة تاثیر تركیز حامض الھیدروفلورید على تكوین طبقةالسلیكون المسامي من خلال التفاعل الحاصل بین الحامض وسطح السلیكون. نلاحظ ان التركیب السطحي لطبقة السلیكون المساميدالة لتركیز الحامض المستخدم. طبیعة السطح ذات تركیب اشبھ بالاعمدة عند التراكیز القلیلة بینماعند استخدام تراكیز عالیة (% 40 ) یكون التركیب السطحي على شكل حفر. كما تم ملاحظة زیادةفي معدل التنمیش بزیادة تركیز الحامض نتیجة لزیادة في عملیة التفاعل والذي سیاثر على عددالاعمدة (التركیب السطحي) والذي یزداد بزیادة تركیز الحامض.


Article
The Photoluminescence Characteristics of Partially and Fully (P-N) Porous Silicon
خصائص التلؤلؤ الضوئي لطبقة (p-n) السيليكون المسامي جزئياً وكامل الاختراق.

Authors: Alwan M. Alwan --- Muna. S. M. Jawad
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 391-399
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, we present results of photoluminescence (PL) properties of fully (p-n) porous silicon device. Porous silicon layer has been prepared by Photo-electrochemical etching under different etching time of abrupt (p-n) silicon junction. The photoluminescence spectra, it is found that the formation of fully penetrate porous silicon layer can lead to decrease in the photoluminescence intensity. The reduction of the PL intensity is referred to the increase of non- radiative recombination process between the electron and hole. The obtained fully porous silicon layer in high etching time regime and this layer cannot be used for perpetration of light emitting devices, while the partially (p-n) porous silicon layer in the PL intensity has a higher value and good characteristics, this layer is suitable for (LED).

في هذا البحث تم دراسة خصائص التلؤلؤ الضوئي لطبقة سيليكون جزئية وكاملة المسامية. تم تحضير طبقة السيليكون المسامي باستخدام مفرق ((p-n بطريقة التنميش الكهروكيميائي-الضوئي (PEC) باستخدام ازمنة تنميش مختلفة لمفرق ((p-n سيليكوني حاد. اظهرت نتائج اطياف التلؤلؤ الضوئي تكون طبقة سيليكون مسامي كاملة الاختراق للمفرق (p-n) وهذا ادى الى انخفاض شدة التلؤلؤ الضوئي. الانخفاض في شدة التلؤلؤ الضوئي يشير الى زيادة عمليات اعادة الاتحاد الغير اشعاعي بين الالكترون-الفجوة. وان طبقة السيليكون المسامي كاملة الاختراق تتكون عند ازمان التنميش العالية وفي هذه الحالة لاتصلح لتحضير النبائط الباعثة للضوء، اما طبقة السيليكون المسامي (p-n) الجزئية الاختراق المتولدة لازمنة تنميش صغيرة للمفرق تعطي شدة PL عالية ولذلك تكون ملائمة لصنع الثنائي الباعث للضوء.


Article
Preparation and Characterization of Porous Silicon Prepared by Electrochemical Etching
تحضير ودراسة خصائص السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائية

Authors: Adawiya J .Haider --- Jassim M. Abass --- Omar abdulkreem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 623-628
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon (PS) layers were formed on p-type silicon (Si) wafers by using electrochemical etching method. The influence of varying etching time in the anodizing solution ,on structural and optical properties of porous silicon has been investigated. Additionally , the thickness and porosity of the layers were measured using the gravimetric method. The surface morphology was studied by Scanning Electron Microscope (SEM). Finally, the optical properties of porous silicon on silicon substrates were investigated by employing photoluminescence (PL).

تم تشكيل طبقات السيلكون المسامي على شرائح السيلكون نوع pبأستخدام طريقة القشط الكهروكيميائيه . فحص تأثير أختلاف زمن القشط على الخصائص التركيبية والبصريه للسيلكون المسامي . بالأضافة الى ذلك فأنه تم أحتساب السمك و مسامية الطبقات بأستخدام الطريقة الوزنيه. درست طبوغرافية السطح بأستخدام المجهر الماسح الألكترونيSEM أخيراً لقد تمت دراسة الخصائص البصريه للسيلكون المسامي بأستخدام طيف اللمعان الضوئي PL .

Listing 1 - 10 of 18 << page
of 2
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (18)


Language

English (18)


Year
From To Submit

2019 (2)

2018 (1)

2017 (1)

2016 (2)

2015 (4)

More...