research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
Physical Properties of Indium Tin Oxide (ITO) Nanopartical Thin Films Used as Gas Sensor
الخصائص الفيزياوية لاوكسيد الانديوم المشوب ذات الجسيمات النانوية واستخدامه كمتحسس غازي

Authors: Saryia D.M AL-Algawi --- Selma M.H Al-Jawad --- Noor M. Saadoon
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 1 Part (B) Scientific Pages: 141-151
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

ITO/ Si gas sensor was fabricated by an efficient and size – controlled by using DC-Sputtering technique suitable for large deposition area and high quality thin films. Structural, optical and electrical properties of ITO thin films were investigated and analyzed extensively under different doping concentration. Structure and surface morphology of ITO thin films were characterized by X-ray diffraction, Atomic Force Microscope. XRD technique that showed these films is polycrystalline structure with a preferred orientation of (222),( 440),(400) the best orientation plain is (222) It was found that crystalline size decreases with increasing doping concentration. The optical properties of ITO thin films were studied such as transmissions, energy gap The transmittance was measured in the wavelength range from(300nm to 900 nm) for all the films it was highly transparent (greater than 85%). The optical energy band gap was increased with doping concentration in range from (3.9 to 4.15) eV. The electrical properties for ITO thin films include D.C electrical conductivity and Hall effect which shows that the type of films is (n- type), and the film has two activation energies in the rang (305-355)K, and the resistivity increases with doping concentration at 8wt%. The sensitivity toward NH3, NO2 gas has been measured.In2O3 doped with (Sn) has higher sensitivity to NH3, The sensitivity toward, NO2 gas has been measured, where In2O3 doped with (Sn) has higher sensitivity to NO2than to NH3.

في هذا المشروع تم تصنيع متحسس غازي بطريقة تمتاز بكفاءتها وإمكانية السيطرة على الحجم الحبيبي للغشاء المحضر بطريقة الترذيذ بالتيار المستمر والتي تعتبر طريقة غير مكلفة ومناسبة لترسيب اغشية ذات كفاءة ونقاوة عاليـة وتجانس تام للغشاء المرسب. , تبين من خلال دراسة حيود الاشعة السينية بان الاغشية ذات طبيعة متعددة التبلور وباتجاهية سائده (222,440,400) واتجاهية مفضلة (222), لوحظ تناقص بالحجم الحبيبي بازدياد نسبة التشويب.اظهرت دراسة الخصائص البصرية للأغشية بوساطة قياس طيف النفاذية وفجوة الطاقة ان النفاذية قيست عند طول موجي يتراوح من ( 300 nmالى 900 nm) لجميع الاغشية وان جميع الاغشية الرقيقة هي شفافة للغاية بنسبة اكثر من (85%) . بينما تدرجت فجوة الطاقة بزيادة تركيز الاشابة في مدى منeV ( 3.9 الى (4.15. الخصائص الكهربائية لأغشية اوكسيد الانديوم المشوب تضمنت التوصيلية المستمرة وتأثير هول حيث ان النتائج بينت ان الغشاء من نوع,(n-type) يمتلك طاقتي تنشيط ضمن المدى الحراري(305-335)K , زيادة في المقاومية عند نسبة تشويب 8wt% تم حساب تحسسيه الاغشية المشوبة لغاز NH3وغاز NO2 , امتلكت الاغشية تحسسيه عالية لغاز NO2 من تلك التي تحسست غاز الامونيا.

Keywords

D.C Sputtering --- ITO --- Gas sensor


Article
Structural and Optical Properties of In2O3 and Indium Tin Oxide Thin Films
الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية أوكسيد الأنديوم-أوكسيد القصدير الرقيقة

Authors: Iftikhar M. Ali افتخار محمود علي --- Maisam A. Al-Jenabi ميسم احمد الجنابي
Journal: Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة ISSN: ISSN: 19918941 Year: 2017 Volume: 11 Issue: 1 Pages: 39-46
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

The present paper discusses the structural and optical properties of In2O3 and ITO thin film growing on glass and silicon substrates by assistant microwave irradiation on seeded layer nucleated by spin coating technique. X-ray diffraction study shows that the films have cubic structure. Morphology analysis was studied by atomic force microscopy (AFM) and reveals that the grain size of the prepared thin film is approximately (62.56-76.66)nm , with a surface roughness of (0.447- 1.25) nm as well as root mean square of (0.532-1.44)nm for pure In2O3 and ITO films. Optical characteristics were studied and observed that the transmission value was more than 90 % at the visible wavelength range. The direct energy gap (Eg) was found to be between (3.7-2.6) eV, which decreased significantly with increasing Sn contents..

في هذا البحث تم مناقشة الخواص التركيبية والبصرية لأغشية In2O3 و ITO ، تم انماء هذه الاغشية على قواعد ترسيب من الزجاج والسليكون بواسطة استعمال اشعاع المايكروويف على طبقة البذرة بتقنية الطلاء البرمي. وعن طريق حيود الاشعة السينية بينت ان الاغشية تمتلك تركيب متعدد التبلور طور مكعبي. تم دراسة مورفولوجية السطح بواسطة مجهر القوة الذرية (AFM) حيث وجد ان الحجم الحبيبي للأغشية الرقيقة المحضرة In2O3 و ITO يساوي تقريبا nm(62.56 – 76.66) وخشونة السطح nm(0.447 – 1.25) ومتوسط الجذر التربيعي nm(0.532 – 1.44). تم دراسة الخصائص البصرية ولوحظ ان قيمة النفاذية اكثر من 90% في مدى الطول الموجي المرئي. ان فجوة الطاقة المباشرة (Eg) كانت قيمتها بين eV(3.7 – 2.6) والتي انخفضت بشكل ملحوظ عند زيادة نسب القصدير .

Keywords

In2O3 --- SnO2 --- ITO --- spin coating --- seed layer.


Article
Preparation and Characterization of PAni Films by Electrochemical Polymerization

Author: Raid A.W. Ismail
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2014 Volume: 10 Issue: 2 Pages: 23-26
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, a thin film of H2SO4 doped polyaniline (PAni) has been electrochemically polymerized on conducting indium tin oxide (ITO) substrate. Electrochemical synthesis was carried out by potentiostatic method at 0.7V. The structural and chemical characteristics of the prepared film were investigated by using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS), scanning electron microscopy SEM, energy dispersive spectroscopy EDS, and Fourier transformation infrared spectroscopy FT-IR. The direct optical band gap of PAni was estimated from the optical properties and found to be 2.6 eV. The optical properties confirmed that the synthesized film has two broad absorption bands. The surface conductivity measurement was conducted with a four point probe.


Article
Development of NO2 gas sensor using Sn-doped ITO nanoparticles prepared by Sol-Gel method
تطوير متحسس لغاز NO2 باستخدام القصديرضمن جزيئات نانوية من ITO المحضرة بواسطة طريقة Sol-Gel

Authors: Saryia D. Al-ALgawi --- Rashed T. Rasheed --- Sahar Zeyad Tareq
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 6 Part (B) Scientific Pages: 984-993
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work In2O3 and Sn-doped ITO nanoparticles were prepared by sol-gel method and deposited on quartz substrate by dip coating technique at different doping concentration of (5, 10 and 15%). The samples were annealed at 550 oC at constant time (60 min). X-ray analysis confirmed the formation of polycrystalline cubic phase that decreases in crystalline size with increasing doping concentration. The optical properties of Sn-ITO nanostructure thin film were studied. The transmittance was measured in the wavelength range of (300nm to 1100 nm) for all thin films. The sensitivity towards NO2 gas was measured, when In2O3 was doped with Sn at different concentrations.

sol-gel في ھذا العمل تم تحضیر جسیمات نانویة لاوكسید الاندیوم المشوب بالقصدیر بطریقة10 و 15 %) ثم لدنت ، ورسبت الاغشیة على زجاج كوارتز بطریقة الغمر،تم تشویب العینات بنسب ( 5بدرجھ حرارة ( 550 ) لمدة ( 60 دقیقة). اكدت فحوصات حیود الاشعة السینیة تكون الطور المكعبيمتعدد البلورات ولوحظ نقصان الحجم الحبیبي بزیادة نسب التشویب. تم دراسة الخصائص البصریةللاغشیة المحضرة، قیاس النفاذیة لمدى الطول الموجي من ( 300 الى 1100 ) وتحسسیة الاغشیة لغازالمشوبة بالقصدیر عند تراكیز مختلفة. NO2

Keywords

ITO --- Sn-doped --- NO2 gas sensor --- Sol-Gel method


Article
Design and Manufactur of Solar Cell from ITO/ ZnO/ CdS/ CdTe by Thermal Vaporization Technique and Studying the Physical Properties
تصميم وتصنيع خلية شمسية من ITO/ ZnO/ CdS/ CdTe بتقنية التبخير الحراري ودراسة الخواص الفيزيائية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, (ITO, ZnO, CdS and CdTe) films had been prepared by thermal vaporization, where the films deposited on glass slides separately at (1350 °C) (XRD, AFM and UV) tests were done on the samples, and found that all films were multiple crystallization. And the ITO film was cubic structure at the favorite granular growth orientation (222). The results of X-Ray Diffraction showed that the film of Zinc Oxide was hexagonal structure at the favorite granular growth orientation (200). Also, the results showed that the CdS film was hexagonal structure at the favorite granular growth orientation (002). And the results showed that CdTe film was cubic structure at the favorite granular growth orientation (111). The results of Atomic Force Microscope (AFM).Were studied Also the absorption and transmittance spectra for all prepared films in wave length (

تم في هذا البحث تحضير اغشية (ITO, ZnO, CdS, CdTe) بطريقة التبخير الحراري في الفراغ حيث رسبت الاغشية على شرائح زجاجية كل على حده وقد تم اجراء فحوصات (XRD, AFM, UV-Vis) على العينات ووجد ان جميع الاغشية متعدد التبلور وان غشاء (ITO) ذو تركيب مكعبي عند اتجاه النمو الحبيبي المفضل (222) , كما اظهرت نتائج حيود الاشعة السينية ان غشاء اوكسيد الخارصين (ZnO) ذو تركيب سداسيا عند اتجاه النمو الحبيبي المفضل (200). اظهرت النتائج ايضا ان غشاء كبريتيد الكادميوم (CdS) ذو تركيب سداسي عند اتجاه النمو الحبيبي المفضل(002) , واظهرت النتائج ان غشاء تلوريد الكادميوم (CdTe) ذو تركيب مكعبي عند اتجاه النمو الحبيبي المفضل (111). وتم دراسة نتائج مجهر القوة الذرية Atomic Force Microscop(AFM) كذلك تم قياس اطياف الامتصاص والنفاذ لجميع الاغشية المحضرة كدالة للطول الموجي (λ) ضمن المدى (1100 – 300) نانومتر. وقد حسبت فجوة الطاقة البصرية (Eg) عن طريق طيف الامتصاص وكانت قيمتها لغشاء Indiume Tin Oxide(ITO) (3.50) الكترون- فولت ولغشاء اوكسيد الخارصين (ZnO) (3.70) الكترون- فولت ولغشاء كبريتيد الكادميوم (CdS) (2.40) الكترون– فولت والغشاء تلوريد الكادميوم(1.40) (CdTe) الكترون – فولت وتم كذلك ايجاد النفاذية(T) ومعامل الانكسار (n) للأغشية المرسبة.

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (4)

Arabic (1)


Year
From To Submit

2018 (1)

2017 (1)

2015 (2)

2014 (1)