research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Growth and characterization of Mn2O3 nano thin films by spin coating technique
باستخدام Mn2O أنماء ومعرفة خواص الأغشیة النانویة الرقیقة لمادة اوكسید المنغنیز 3 Spin coating تقنیة تدویر الطلاء

Author: Ayad Hatim Karim أیاد حاتم كریم
Journal: Journal of Education for Pure Science مجلة التربية للعلوم الصرفة ISSN: 20736592 Year: 2018 Volume: 8 Issue: 2 Pages: 24-31
Publisher: Thi-Qar University جامعة ذي قار

Loading...
Loading...
Abstract

AbstractMn2O3 nano thin films were prepared on glass substrates using spin coating technique by takingmanganese acetate (Mn(CH3COO)2.4H2O) as starting martial for different molar solutions. Solutionwas prepared by dissolving Mn(CH3COO)2.4H2O as precursor and mono ethanolamine (MEA) asstabiliser agent and 2-methoxyethanol as solvent. The mixture was stirred at 80oC until to get highviscous transparent solution. A small portion was taken and dropped on to corning glass substratewhich was rotated at (3000) rpm for (30) sec and dried at 300oC. The process was repeated for threetimes to get desired thickness of the film.also Prepared films were characterized by using XRD,SEM, UV-Vis spectrophotometer

الخلاصةبأخذ ( spin coating) النانویھ على ركیزة من الزجاج باستخدام تقنیة Mn2O تم تحضیر أغشیة رقیقة من مادة 3كسلائق MN ( CN3COO) كمادة ابتداء للمحالیل المختلفة، تم تحضیر المحلول بإذابة 2 MN ( CN3COO) مادة منغیز 280 ) حتى الحصول على c ) كمذیب ھذا الخلیط خفق عند درجة ( Methoxythanol ) ومونوا بثانولامین كعامل استقرار و3000 ) دورة rpm ) محلول عالي اللزوجة ثم وضع جزء صغیر من المحلول على زاویة ركیزة زجاجیة دورت بمقدار300 ) وكررت العملیة ثلاث مرات للحصول على السمك المطلوب كذلك الغشاء c ) 30 ) ثم خفقت عند درجة see ) بالدقیقة لمدة. XRD _ SEM _UV –VIS المحضر تم فحصھ باستخدام

Keywords

Keywords: Thin film --- spin coating --- XRD --- SEM.


Article
New Analysis to Measure the Capacitance and Conductance of MOS Structure
تحليلات حديثة لقياس التسعة والتوصيلية في تركيبة ال (MOS)

Authors: Dr. L. S. Ali د. لقمان سفر علي --- Dr. W. F. Mohamad د. وكاع فرمان محمد
Journal: AL Rafdain Engineering Journal مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2006 Volume: 14 Issue: 1 Pages: 47-57
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract :In this research thin film layers have been prepared at alternate layers ofresistive and dielectric deposited on appropriate substrates to form four – terminal RY-NR network. If the gate of the MOS structures deposited as a strip of resistor filmlike NiCr, the MOS structure can be analyzed as R-Y-NR network. A method ofanalysis has been proposed to measure the shunt capacitance and the shuntconductance of certain MOS samples. Matlab program has been used to compute shuntcapacitance and shunt conductance at different frequencies. The results computed bythis method have been compared with the results obtained by LCR meter method andshowed perfect coincident with each other.Keywords: Thin Film R-Y-NR Network; MOS R-Y-NR Network

الخلاصة:في هذا البحث تم تصنيع طبقات أغشية رقيقة متتالية من المقاومات والعوازل على طبقة أساس معينة وذلكSiO ذات أربعة أطراف. فإذا كانت طبقة الأساس هي السيلكون كشبه موصل والأوكسيد 2 R-Y-NR لبناء دائرة.(MOS) من تركيبة ال ( R-Y-NR) فبذلك تتكون دائرة (NiCr) كعازل والبوابة هي طبقة مقاومة من النيكروموعلى هذا الأساس تم تحليل هذه الدائرة ومن ثم استخرجت قيم المتسعة والتوصيلية من خلال استخدام برنامجوفي ترددات مختلفة. وللتأكد من صلاحية هذه الطريقة وصحتها فقد قورنت نتائج مستحصلة (MATLAB) الللقياس لنفس النماذج فكان هناك تطابقًا (LCR) بهذه الطريقة لتراكيب معينة مع تلك التي استحصلت من جهاز المتكام ً لا للنتائج في الطريقتين.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2018 (1)

2006 (1)