research centers


Search results: Found 43

Listing 1 - 10 of 43 << page
of 5
>>
Sort by

Article
Enhanced of the Two photon Absorption in Nanostructure Wide Band gap Semiconductor CdS using femtosecond Laser
تحسين عملية الامتصاص الفوتوني الثنائي في التراكيب النانويه للاشباه الموصلات ذات فجوة الطاقة الواسعة للـ CdS باستخدام ليزر نبضي ذات النبضات الفمتو ثانية

Authors: Raied K. Jamal رائد كامل جمال --- Kadhim A. Adem كاظم عبد الواحد --- Mohammed A. Hameed محمد عبد الله حميد
Journal: JOURNAL OF THI-QAR SCIENCE مجلة علوم ذي قار ISSN: 19918690 Year: 2014 Volume: 5 Issue: 1 Pages: 65-70
Publisher: Thi-Qar University جامعة ذي قار

Loading...
Loading...
Abstract

We observed strong nonlinear absorption in the CdS nanoparticles of dimension in the range 50-100 nm when irradiant with femtosecond pulsed laser at 800 nm and 120 GW/cm2 irradiance intensity. The repetition rate and average power were 250 kHz and 30 mW. The CdS nanoparticles sizes were controlled by reaction time of S-olylamine and Cd-alylamine components interacting at 300 oC. The structures of the prepared CdS nanoparticles was tested and its optical properties were investigated. The nonlinear absorption coefficient was measured using a fully computerized z-scan unit. The results show the value of ß is in order of 116 cm/GW. This value is in a good agreement with values mentioned by other studies.

تم ملاحظة الامتصاص اللاخطي القوي في رقيقة CdS ذات الجسيمات النانوية الابعاد وضمن مدى 50-100 nm عند تشعيعها بنبضات أشعة ليزر تتميز بأمد نبضة بوحدات فيمتوثانية وطول موجي nm800 نانومتر وقدرة اشعاع 120 GW/cm2 . معدل التكرار والقدرة لليزر المستخدم هما 250 kHz و 30 mW على التوالي. ان حجوم الجسيمات النانوية للـ CdS تم السيطرة عليها خلال زمن التفاعل بين المركبين S-olylamine و Cd-alylamine وعند درجة حرارة .300 oC اختبرت الخصائص البصرية للتراكيب الجسيمية النانوية المكونة للرقيقة النانوية CdS وقيس معامل الامتصاص اللاخطي بوحدة z-scan المسيطر عليها كليا بواسطة الحاسوب. بينت النتائج بان قيمة معامل الامتصاص اللاخطي مساوية للـ (116 cm/GW) وهذه القيمة هي عالية مقارنة مع بقية الدراسات حول الموضوع نفسه.


Article
The effect of annealing and the influence of Gamma-ray on the optical properties of nanostructure Zinc Oxide Thin Films
تأثير التلدين والتشعيع بأشعة كاما على الخواص البصرية لأغشية اوكسيد الخارصين الرقيقة ذات التركيب النانوي

Author: Nada M. Saeed ندى محمد سعيد
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2010 Volume: 8 Issue: 13 Pages: 82-88
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The semiconductor ZnO is one of II – VI compound group, it is prepare as thin films by using chemical spray pyrolysis technique; the films are deposited onto glass substrate at 450 °C by using aqueous zinc chloride as a spray solution of molar concentration 0.1 M/L. Sample of the prepared film is irradiating by Gamma ray using CS 137, other sample is annealed at 550°C.The structure of the irradiated and annealed films are analyzed with X-ray diffraction, the results show that the films are polycrystalline in nature with preferred (002) orientation. The general morphology of ZnO films are imaged by using the Atomic Force Microscope (AFM), it constructed from nanostructure with dimensions in order of 77 nm. The optical properties of the prepared films are studied by using measurement from UV-VIS-NIR spectrophotometer at wavelength within the range (300-900) nm. The optical results show that the absorption of the prepared films are decreases after annealing and increases after irradiation. The optical constants such as the refractive index and the photoconductivity are calculated before and after annealing as a function of the photon energy. Also the values of the optical energy gap are calculated, it is 3.3 eV and 3.1 eV for the direct and indirect allowed transition respectively; these values are reduced after annealing.

يعتبر اوكسيد الخارصين ( ZnO) احد أشباه الموصلات ضمن المجموعةII – VI , تم تحضير هذا المركب بشكل أغشية رقيقة على أرضية زجاجية بدرجة حرارة أساس 450 °C وذلك باستعمال تقنية الرش الكيماوي الحراري, تم تحضير محلول الرش من كلوريد الخارصين بمولارية مقداره 0.1 M/L, تم تعريض نموذج من الأغشية المحضرة لأشعة كاما ( (γ-ray باستعمال المصدر المشع CS 137 وتم أيضا تلدين بعض النماذج المحضرة من أغشية ZnO عند درجة حرارة 550 مئوي. تم فحص الأغشية الملدنة والمشععة بواسطة حيود الأشعة السينية ومن تحليل النتائج تبين أن جميع الأغشية المحضرة هي نوع متعددة التبلور. (Polycrystalline). تم دراسة تركيب الغشاء بإجراء فحوصات بواسطة المجهر Atomic Force Microscope (AFM) وتبين أن الغشاء ذو تركيب نانوي بمعدل للحجم البلوري 77 nm .درست الخواص البصرية للأغشية المحضرة باستعمال مطياف يعمل ضمن الأطوال الموحية الفوق البنفسجية- المرئية- والقريبة من تحت الحمراء NIR) (UV- VIS- لمدى الأطوال الموحية nm 300-900, أظهرت الدراسة البصرية بان الأمتصاصية تقل بعد التلدين و تزداد عند التشعيع. تم حساب بعض الثوابت البصرية والتي شملت حساب معامل الانكسار ,التوصيلية الضوئية قبل وبعد التلدين كدالة لطاقة الفوتون عند للأطوال الموحية المذكورة وقد تبين أن للتلدين أثر واضح على قيم الثوابت البصرية . تم ايضا حساب قيم فجوة الطاقة البصرية وكانت قيمتها,3.3 eV 3.1 eV لكل من الانتقال الإلكتروني المباشر المسموح والانتقال الإلكتروني الغير مباشر المسموح على التوالي وقد تبين أن قيم فجوة الطاقة البصرية تقل عند التلدين.


Article
Efficiency Enhancement of Photovoltaic Silicon Cell by Ultrashort Laser Pulses

Authors: A. Taleb --- K.A. Al-Naimee --- S.S. Ahmed --- R. Meucci
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2009 Volume: 5 Issue: 2 Pages: 33-35
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

We present an experimental evidence of the effect of the femtosecond laser pulses on the spectral response of the Silicon photovoltaic cell. The response of this device is covering the visible to near infrared spectral region. The responsivity of the photovoltaic solar cell is enhanced from 0.18A/W to 0.25A/W and/or the conversion efficiency increase from about 9% to about 14% due to irradiation effect. All treatments and measurements are made at room temperature. Results show that the responsivity is enhanced and the nano-structured groves of the 700-900 nm range are observed.


Article
The Influence of Substrate Temperature on In2O3 being Structured
تأثير درجة حرارة القاعدة على تركيب الغشاء In2O3

Authors: Mehdi Q. Zayer --- Yasmeen Z. Dawood --- Mohamad S. Mohamad
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 1 Part (B) Scientific Pages: 115-121
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In2O3 thin films were grown by the chemical spray pyrolysis (CSP) method using the pneumatic spray set-up and compressed air as a carrier gas. Aqueous solutions containing InCl3.4H2O were deposited onto preheated glass sheets at substrate temperatures Ts=423–573K. X-ray differection (XRD) analysis confirmed the cubic bixbyite structure of indium oxide. The preferred growth orientation along the (211) plane for thin films. The crystallite size extracted from the XRD data corroborates the changes in full width at half maximum due to the variation in substrate temperature. It was shown that grain size of In2O3 thin film was (30)nm. Optical properties of In2O3 was studies and showed that the optical parameters (n, k α) were affected by substrate temperature.

تم تحضير اغشية رقيقة من In2O3 باستخدام طريقة الترسيب الكيميائي الحراري . المحلول المستخدم يحتوي على كلوريد الانديوم المائي والذي يرسب على على قواعد زجاجية وبدرجات حرارية تتراوح من 423 الى 573 كلفن. تم دراسة حيود الاشعة السينية لايجاد تركيب غشاء اوكسيد الانديوم. الطور السائد هو (211) لهذه الاغشية الرقيقة. تم حساب الحجم البلوري من قياس حيود الاشعة السينية وان التغير الحاصل في نتيجة للتغير في درجة حرارة القاعدة. لقد وجد ان الحجم الحبيبي لغشاء In2O3 يساوي 30 نانومتر. اما الخصائص البصرية لاغشية In2O3 والمبينة بالثوابت البصرية (معامل الانكسار, معامل الخمود و معامل الامتصاص) والتي تتاثر بدرجة حرارة القاعدة.


Article
Influence of Substrate Temperature on Structure and Optical Properties of CdO Thin Films Prepared By Pulsed Laser Deposition
تأثیر درجة حرارة القاعدة على الخصائص التركیبیة والبصریة لأغشیة أوكسید الكادمیوم المحضرة بطریقة الترسیب باللیزر النبضي

Authors: Muhanad Adel --- Khaled Z.Yahya
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 3 Pages: 416-425
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Nanocrystallites of cadmium oxide (CdO) thin films were deposited by pulsed laserdeposition technique on glass substrates using Nd:YAG laser at 532nm wave length.X-ray diffraction (XRD) patterns confirmed the nanocrystalline cubic CdO phaseformation. The intensity of XRD peaks increases with the increase in substratetemperature and better crystallinity takes place at higher temperature. Themorphology of deposited films were characterized by scanning electron microscope(SEM) and atomic force microscope (AFM); with increasing substrate temperature,both the grain size and surface roughness increase .The grain size value (12,18,47nm) and rms roughness values were 63.3, 98.8 and 138.4 nm for thin films depositedat 100 , 200 and 300ºC respectively. UV–Vis spectrophotometric measurementshowed high transparency (nearly 88 % in the wavelength range 500–900 nm) of theCdO thin film with a direct allowed band gap value lying in the range 2.81–3.7eV

بطریق ة الترس یب (CdO) ف ي ھ ذا البح ث ت م تحض یر اغش یة رقیق ة نانوی ة م ن اوكس ید الك ادمیومباللیزر النبضي عل ى قواع د م ن ( الزج اج ) باس تخ دام لی زر الأن دیاك النبض ي ذو الط ول الم وجي 532اذ أظھرت النتائج تك ون الط ور (XRD) نانومتر. حدد التركیب البلوري باستخدام حیود الأشعة السینیةالمكعب لأغشیة اوكسید الكادمیوم البلوریة. ازدادت شدة قمم حیود الاشعة الس ینیة بزی ادة درج ة ح رارةالقاعدة بمعنى ازدیاد تبلور الغشاء عند درج ات الح رارة العالی ة . ح ددت خص ائص طبوغرافی ة الس طحمن خلال قیاس المجھر الالكتروني الماسح و مجھر الق وى الذری ة , حی ث بزی ادة درج ة ح رارة القاع دةازداد كل من الحجم الحبیبي وخشونة السطح . بلغت قیمة الحجم الحبیب ي ( 12,18,47 ) ن انومتر و قیم ة63.3 ن انومتر للأغش یة المحض رة ب درجات ح رارة قاع دة , 98.8 , خش ونة الس طح 138.4100,200,300 ) على التوالي. اظھرت نت ائج قیاس ات مطی اف الاش عة المرئی ة والف وق البنفس جیة ) °C- امتلاك غشاء اوكسید الكادمیوم نفاذیة عالیة تصل تقریبا" إلى % 88 عند مدى الطول الموجي( 9002.81 ) الكت رون - 500 ) نانومتر مع قیمة فج وة طاق ة الانتق ال المباش ر المس موح تق ع عن د الم دى ( 3.7فولت.


Article
Wideband (0.6-11) micron Angle Deposited Thin Te:S Laser Detector

Authors: W.K. Hamoudi --- R.A. Ismail --- R.S. Abid --- M.R. Ismail
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2005 Volume: 1 Issue: 4 Pages: 3-14
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

A study of nanostructural, optical and electrical characteristics of obliquely deposited thin sulfur-doped films is presented. The aim was to develop a wideband (0.6-11) micron laser detector operating at room temperature with no need to biasing or amplification. The deposition angle had a decisive role on the detector specifications, namely its detectivity and response time. At deposition angle of 70 deg, the maximum detectivity was achieved 3x10^9 W-1.Hz1/2.cm while at 60 deg a fastest response 1 microsecond was obtained.


Article
Optical Properties of Tin Oxide Nanostructure Thin Films Prepared by Simple and Classical Method
الخصائص البصریة لاوكسید القصدیر النانوي المحضر بالطریقة التقلیدیة والبسیطة

Author: Rana Osamah Mahdi
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 20 Pages: 3565-3572
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, preparation of transparent conductive SnO2 thin films byclassical-oxidation technique of thermal evaporated tin metal films, on glass substrateswas carried out. The optical properties showed high transmission at visible and NIRregions. The energy band gap was found to be (3.82eV). The structure propertiesshowed that the tin oxide peak appears at (2q =30.24) and (2ϴ=63.39°) . The atomicforce microscopy (AFM) results showed a nano-structured for the thin film withparticle size ranging (15-140)nm and its root mean square (RMS) value was found tobe (5.72 nm ).

ف ي ھ ذا البح ث ت م تحض یر غش اء اوكس ید القص دیر عل ى قواع د زجاجی ة بطریق ة الأكس دة التقلیدی ةلتبخیر الحراري لغشاء من معدن القصدیر, حیث أظھرت الخصائص البصریة نفاذیھ عالیة ف ي المنطق ة3.82 )، وض حت eV) المرئیة والمنطق ة القریب ة م ن تح ت الحم راء وق د ت م حس اب فج وة الطاق ة فكان ت2) و θ= الخص ائص التركیبی ة تك ون أوكس ید القص دیر عن د زاوی ة حی ود ب راك ( 30.24نت ائج تك ون تراكی ب نانوی ة للغش اء (AFM) 2)ووض حت نت ائج قی اس مجھ ر الق وة الذری ة θ=63.39°)ھ ي (RMS) 15-140 )ووج د ان قیم ھ مع دل الج ذر التربیع ي )nm الرقیق عم حجم جسیمات یت راوح.5.72nm


Article
study structural and optical properties of Nanostructure ZnO Thin Film Prepared by Chemical Bath Deposited method
دراسة الخواص التركيبية والبصرية لغشاء اوكسيد الزنك الرقيق نانوي التركيب بطريقة الترسيب بالحمام الكيميائي

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, Prepared ZnO Nanostructure thin flims were synthesized via chemical bath deposition method in the reaction temperature of 70°C without any posterior treatments. Zinc nitrate hexahydrate (Zn(NO3)2.6H2O) were adopted as synthesis precursors and the production of ZnO nanostructures occurred in few hours. The ZnO nanostructures obtained were characterized by X-ray diffraction (XRD,AFM,UV), hexagonal structure ZnO films with grain sizes between 22nm. The transmission film 90%, morphology and optical properties of the film were also studied.

تم في هذا البحث تحضير غشاء نانوي من اوكسيد الزنك ZnOبطريقة الترسيب بالحمام الكيميائي حيث رسبت الأغشية على شرائح زجاجية من محلول نترات الزنك المائية Zn(NO3)2.6H2O وبنسبة (0.2) مول/لتر وبدرجة حرارة70C وقد تم إجراء فحوصات AFM,UV) XRD,) على العينات ولوحظ بان التركيب هو من النوع السداسي متعدد التبلور والحجم الحبيبي هو( 22nm ) وان الأغشية تمتلك نفاذية عالية تصل الى 90%. كذلك تم دراسة طبوغرافية السطح وفجوة الطاقة ومعامل الامتصاص للغشاء.


Article
Annealing temperature effect on the structural and optical properties of thermally deposited nanocrystalline CdS thin films
تأثير درجة حرارة التلدين على الخواص التركيبية والبصرية لاغشية كبريتيد الكادميوم النانوية المرسبة حرارياً

Loading...
Loading...
Abstract

A nanocrystalline CdS thin film with 100 nm thickness has been prepared by thermal evaporation technique on glass substrate with substrate temperature of about 423 K. The films annealed under vacuum at different annealing temperature 473, 523 and 573 K. The X-ray diffraction studies show that CdS thin films have a hexagonal polycrystalline structure with preferred orientation at (002) direction. Our investigation showed the grain size of thin films increased from 9.1 to 18.9 nm with increasing the annealing temperature. The optical measurements showed that CdS thin films have direct energy band gap, which decreases with increasing the annealing temperature within the range 3.2- 2.85 eV. The absorbance edge is blue shifted. The absorption coefficient for CdS films decreases with increasing the annealing temperature. The optical constant for the films such as refractive index, extinction coefficient, real and imaginary part of dielectric constant were observed to decrease with increasing the annealing temperature. The particle size calculated from absorption spectrum has increased from 4.74 to 8.38 nm with increasing the annealing temperature.

تم تحضير أغشية كبريتيد الكادميوم النانوية بسمك 100 نانومتر بواسطة التبخير الحراري على ارضيات زجاجية بدرجة حرارة اساس 423 درجة حرارة مطلقة. تم تلدين الاغشية المحضرة بدرجات حرارية مختلفة (473 و 523 و 573 درجة حرارة مطلقة). تم فحص تركيب الاغشية بتقنية حيود الاشعة السينية، حيث اظهرت النتائج امتلاك الاغشية تركيب سداسي متعدد التبلور باتجاهية مثلى(002). اوضحت النتائج بأن الحجم الحبيبي قد ازداد من 9.1 الى 18.9 نانومتر مع تزايد درجة حرارة التلدين. اوضحت القياسات البصرية ان اغشية كبريتيد الكادميوم ذات فجوة طاقة مباشرة، والتي تقل بزيادة درجة حرارة التلدين ضمن المدى 3.2 الى 2.85 الكترون فولت. تعاني حافة الامتصاص من ازاحة نحو الازرق. يقل معامل الامتصاص مع زيادة درجة حرارة التلدين ان الثوابت البصرية مثل معامل الانكسار و ثابت الخمود و ثوابت العزل بجزئيها جميعها قد قلت مع زيادة درجة حرارة التلدين. تم حساب الحجم الحبيبي من طيف الامتصاص ، وقد وجد انه يزداد من 4.74 الى 8.38 نانومتر بزيادة درجة حرارة التلدين.


Article
The dependence of resonant tunneling transmission coefficient on well width and barriers number of GaN/Al0.3Ga0.7N nanostructured system
إعتماد عامل النفوذ للتنفق الرنيني على عرض البئر وعدد الحواجز في نظام التركيبة النانوية من GaN/Al0.3Ga0.7N

Authors: Moafak Cadim Abdulrida موفق كاظم عبد الرضا الزيدي --- Ridha H. Risan رضا حزام رسن
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2013 Volume: 11 Issue: 21 Pages: 108-115
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

A numerical computation for determination transmission coefficient and resonant tunneling energies of multibarriers heterostructure has been investigated. Also, we have considered GaN/Al0.3Ga0.7N superlattice system to estimate the probability of resonance at specific energy values, which are less than the potential barrier height. The transmission coefficient is determined by using the transfer matrix method and accordingly the resonant energies are obtained from the T(E) relation. The effects of both well width and number of barriers (N) are observed and discussed. The numbers of resonant tunneling peaks are generally increasing and they become sharper with the increasing of N. The resonant tunneling levels are shifted inside the well by increasing the well width and vice versa. These features and the transmission coefficient as a function of incident energetic particles play an important role in fabrication of high speed devices and a good factor for determination the peak-to-valley ratio of resonant tunneling devices respectively.

تم البحث بإستخدام الحساب العددي في تعيين عامل النفوذية وطاقات التنفق الرنيني للتركيبة غير المتجانسة متعددت الحواجز. وكذلك أخذنا بنظر الأعتبار نظام الشبيكة الفائقة نوع GaN/Al0.3Ga0.7N لتخمين أحتمالية التنفق عند قيم الطاقة المعينة، والتي هي أقل من أرتفاع حاجز الجهد. وقد تم تعيين عامل النفاذية من خلال إستخدام طريقة مصفوفة الإنتقال وبناءاً عليه الطاقات الرنينية المستخرجة من علاقة عامل النفوذية. إن تأثيرات كل من عرض البئر وعدد الحواجز قد لوحظت ونوقشت. إن عدد قمم التنفق الرنيني تزداد بصورة عامه و تصبح أكثر حدةً مع زيادة عدد الحواجز. وأن المستويات الطاقية في التنفق الرنيني تزاح إلى داخل عمق البئر والعكس صحيح. هذه الصور بالإضافة إلى معامل النفوذ بوصفه دالة للجسيمات الطاقية الساقطة على الحاجز تلعب بالنسبة للحالة الأولى قاعدة مهمة في تصنيع نبائط عالية السرعة والحالة الثانية بمثابة عامل جيد في تعيين نسبة القمة إلى الوادي في نبائط التنفق الرنيني على التوالي.

Listing 1 - 10 of 43 << page
of 5
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (43)


Language

English (40)

Arabic (1)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2019 (3)

2018 (6)

2017 (2)

2016 (7)

2015 (2)

More...