research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
The Effect of Thermal Annealing on the Diffusion Profile of Nickel in GaAs Substrates
تأثير التلدين الحراري على انتشار النيكل في قواعد الكاليوم ارسنايد

Author: Aseel A.K. Hadi
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 5 Pages: 880-885
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Diffusion of nickel in GaAs has been studied at 950ºC. The diffusion wasenhanced during limited interval and for different quantities of As. Nickel atomshad diffused in the beginning due to the interstitial movement of atoms but largenumber of nickel atoms occupies substantial locations in p-type GaAs lattice.Measurements performed to the samples have showed good agreement between thenickel atoms concentration and majority charge-carriers in p-type semiconductor(holes). Measurements explained that electrical conductivity of p-type samples wasnot due to system heating but to the diffusion of nickel atoms occupying sites ofgallium atoms.

في هذا البحث ، جرى دراسة أنماط انتشار النيكل في عينات من الكاليوم أرسنايد عند درجة 950 جرى تحسين الانتشار من خلال إضافة مقادير مختلفة من الأرسنايد، إن ºC. حرارة تلدين ذرات النيكل تنتشر في بادئ الأمر بسبب الحركة البينية لها غير أن عدداً كبيراً منها يحتل مواقع استبدالية في الكاليوم أرسنايد المانح .أجريت القياسات الكهربائية للعينات وقد أوضحت تطابقاً جيداً ما بين تراكيز النيكل وتركيز الفجوات التي تعتبر حاملات الشحن الأغلبية في شبه الموصل القابل .أوضحت القياسات أن التوصيلية الكهربائية للعينات القابلة لم تكن بسبب تسخين المنظومة وإنما بسبب انتشار ذرات النيكل التي تحتل مواقع ذرات الكاليوم

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2009 (1)