research centers


Search results: Found 9

Listing 1 - 9 of 9
Sort by

Article
Preparation single layer of (MgO) as antireflection coating using PLD technique
تحضير غشاء مضاد للانعكاس احادي الطبقة من اوكسيد المغنسيوم باستخدام تقانة الترسيب بالليزر النبضي

Loading...
Loading...
Abstract

In this work preparation of antireflection coating with single layer of MgO using pulsed laser deposition (PLD) method which deposit on glass substrate with different thicknesses (90 and 100) nm annealed at temperature 500 K was done. The optical and structural properties (X-ray diffraction) have been determined. The optical reflectance was computed with the aid of MATLAB over the visible and near infrared region. Results shows that the best result obtained for optical performance of AR'Cs at 700 shots with thickness 90 nm nanostructure single layer AR'Cs and low reflection at wavelength 550 nm.

في هذا البحث تم تحضير طلاء مضاد للانعكاس احادي الطبقة لمادة اوكسيد المغنسيوم بطريقة الترسيب بالليزر النبضي. وعلى اساس من الزجاج وباسماك مختلفة 90-100 نانومتر وفي درجة حرارة التلدين (500) درجة كلفنية.تم دراسة الخصائص البصرية والتركيبية للطلاء. الانعكاسية حسبت بواسطة برنامج MATLABضمن المنطقة المرئية والقريبة من الحمراء, النتائج اظهرت ان الحصول على افضل اداء بصري للطلاء المضاد للانعكاس عند سمك الغشاء 90 نانومتر وبعدد نبضات 700 نبضة وباقل انعكاسية و كان بطول موجي 550 نانومتر.


Article
Annealing effects on optical and structural properties of chromium oxide thin film deposited by PLD technique
تأثير التلدين على الخصائص البصرية والتركيبية لغشاء أوكسيد الكروميوم المرسب بتقنية الترسيب بالليزر النبضي

Authors: Shahad E. Abdughani شهد عماد الدين عبد الغني --- Fuad T. Ibrahim فؤاد طارق إبراهيم
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2018 Volume: 16 Issue: 38 Pages: 35-41
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Optical properties of chromium oxide (Cr2O3) thin films which were prepared by pulse laser deposition method, onto glass substrates. Different laser energy (500-900) mJ were used to obtain Cr2O3 thin films with thickness ranging from 177.3 to 372.4 nm were measured using Tolansky method. Then films were annealed at temperature equal to 300 °C. Absorption spectra were used to determine the absorption coefficient of the films, and the effects of the annealing temperature on the absorption coefficient were investigated. The absorption edge shifted to red range of wavelength, and the optical constants of Cr2O3 films increases as the annealing temperature increased to 300 °C. X-ray diffraction (XRD) study reveals that Cr2O3 thin films are amorphous; while the crystal structure of annealed Cr2O3 films is rhombohedral after annealing at 300 °C for two hour. AFM studies of Cr2O3 thin films exhibit a smooth and well dispersed on the surface.

تم في هذا البحث دراسة الخصائص البصرية لأغشية اوكسيد الكروميوم (Cr2O3) الرقيقة والتي رسبت بطريقة الترسيب بالليزر النبضي على ارضيات زجاجية باستخدام مدى طاقات يتراوح بين (900-500) ملي جول .سمك الغشاء المحضر 372.4-177.3)) نانومتر. وتم تلدين الاغشية بدرجة حرارة 300 C°. استخدمت اطياف الإمتصاصية لحساب معامل الامتصاص للاغشية, وتم دراسة تأثير التلدين على معامل الامتصاص, وان حافة الامتصاص تم ازاحتها بأتجاه اللون الاحمر من الطيف المرئي والثوابت البصرية تزداد بزيادة حرارة التلدين. اظهرت صورة الـ X-ray بأن غشاء Cr2O3 غير متبلور أما التركيب البلوري للغشاء الملدن عند 300 °C فأنه يمتلك تركيب سداسي منتظم بينما بينت فحوصات AFM بان الغشاء ذو سطح صقيل.


Article
Spectroscopic investigation of Rhodamine-B thin film prepared by PLD technique
تحقيق الخصائص البصرية لغشاء الرودامين بي بتقنية PLD

Authors: Adel Ch. Majeed عادل جاسب مجيد --- Ali A-K. Hussain علي عبد الكريم حسين
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2019 Volume: 17 Issue: 40 Pages: 67-76
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Optical properties of Rhodamine-B thin film prepared by PLD technique have been investigated. The absorption spectra using 1064nm and 532 nm laser wavelength of different laser pulse energies shows that all the curves contain two bands, B band and Q bands with two branches, Q1 and Q2 band and a small shift in the peaks location toward the long wavelength with increasing laser energy. FTIR patterns for Rhodamine-B powder and thin film within shows that the identified peaks were located in the standard values that done in the previous researches. X-ray diffraction patterns of powder and prepared Rhodamine-B thin film was display that the powder has polycrystalline of tetragonal structure, while the thin film has an amorphous structure. SEM images for Rhodamine-B, shows homogeneous distributed cauliflower-like nanostructures attached with each other. FM diagram shows that the average grain size was found to be 68.52 nm and the RMS surface roughness was 1.68 nm.

تم التحقق في الخواص البصرية للفيلم الرقيق من Rhodamine-B الذي تم تحضيره بواسطة تقنية PLD. حيث سجلت أطياف الامتصاص باستخدام ليزر وبطولين موجيين 1064 نانومتر و 532 نانومتر وبطاقات مختلفة لنبضة الليزر اوضحت أن جميع المنحنيات تحتوي على نطاقين، نطاق B ونطاقات Q مع فرعين، نطاق Q1 و Q2 وتحول طفيف في موقع الذروة نحو الطول الموجي الطويل مع زيادة طاقة الليزر من 600 إلى 900 مللي جول. اوضحت أنماط FTIR لكل من المسحوق والغشاء الرقيق لـ Rhodamine-B أن القمم المحددة كانت موجودة في القيم القياسية التي أجريت في الأبحاث السابقة .كانت أنماط حيود أشعة إكس من المسحوق والأغشية الرقيقة التي أعدت لـ Rhodamine-B هي أن المسحوق يحتوي على متعدد البلورات في بنية رباعي، بينما يكون الفيلم الرقيق على بنية غير متبلورة. أظهرت صور SEM للغشاء الرقيق لـ Rhodamine-B، هياكل متجانسة متشابهة تشبه القرنبيط مترابطة مع بعضها البعض.اوضح مخطط AFM وأن متوسط حجم الحبيبة كان 68.52 نانومتر وكان خشونة سطح 1.68 نانومتر.


Article
Morphology and electrical properties of Cu XZn1-XOthin films prepared by PLD technique
الخصائص التركيبية و الكهربائية للاغشية الرقيقة Cu XZn1-XO المحضرة بتقنية (PLD)

Loading...
Loading...
Abstract

Cu XZn1-XO films with different x content have been prepared by pulse laser deposition technique at room temperatures (RT) and differentannealing temperatures (373 and 473) K.The effect of x content of Cu (0,0.2,0.4, 0.6, 0.8) wt.% on morphology and electricalproperties of CuXZn1-XO thin films have been studied. AFM measurements showed that the average grain size values for CuXZn1-xO thin films at RT and different annealing temperatures (373,473)K decreases,while the average Roughness values increase with increasing x content. The D.C conductivity for all films increases as the x content increase and decreases with increasing the annealing temperatures. Hall measurements showed that there are two types of conductance (n- type and p-type charge carriers). Also the variation of drift velocity (vd), carrier life time (), and free mean path (l)with different x content and annealing temperatures were measured.

تم تحضير اغشية Cu XZn1-XO لنسب مختلفة من المحتوى x بدرجة حرارة الغرفة و بدرجات التلدين المختلفة ( 373و (473كلفن. بتقنية الترسيب بالليزر النبضي. وقد تم دراسة تأثير نسب مختلفة من المحتوى x(0,0.2,0.4, 0.6, 0.8) على الخصائص التركيبية والكهربائية للاغشية Cu XZn1-XO. قياسات AFMاظهرت ان حجم الحبيبة للاغشية CuXZn1-xO عند درجة حرارة الغرفة و درجات التلدين المختلفة(373,473) كلفن تقل بينما قيم معدل الخشونة تزداد بزيادة المحتوى x. التوصيلية الكهربائية للاغشية اظهرت ان هناك نوعين من حاملات الشحنة ((n- type و (p- type) كذلك تم حساب التركيز للحاملات و سرعة الانجراف (vd) و زمن عمر الحاملات () و معدل المسار الحر(l) لنسب المحتوى x المختلفة و درجات التلدين المختلفة.


Article
Gas sensitivity properties of TiO2/Ag nanocomposite films prepared by pulse laser deposition
خصائص المتحسس الغازي للغشاء المتراكب النانوي TiO2/Ag المحضر بطريقة الليزر النبضي

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, a double frequency Q-switching Nd:YAG laser beam (1064 nm and λ= 532 nm, repetition rate 6 Hz and the pulse duration 10ns) have been used, to deposit TiO2 pure and nanocomposites thin films with noble metal (Ag) at various concentration ratios of (0, 10, 20, 30, 40 and 50 wt.%) on glass and p-Si wafer (111) substrates using Pulse Laser Deposition (PLD) technique. Many growth parameters have been considered to specify the optimum condition, namely substrate temperature (300˚C), oxygen pressure (2.8×10-4 mbar), laser energy (700) mJ and the number of laser shots was 400 pulses with thickness of about 170 nm. The surface morphology of the thin films has been studied by using atomic force microscopes (AFM). The Root Mean Square (RMS) value of thin films surface roughness increased with increasing of Ag contents, while the crystallite size was found to decrease with increase in different silver content. The sensitivity toward NO2 and NH3 gas has been measured under different ppm concentrations. TiO2 with noble metal has a sensitivity higher than pure TiO2 where as TiO2 with Ag metal deposited on glass substrate has maximum sensitivity to NO2 gas with a value of ~(50 %) at the nanocomposite 90%TiO2/10%Ag films with best operation temperature at 200 °C. In addition, noble metal like Ag to the titanium dioxide materials makes them sensitive to NO2 gas.

تم في هذه الدراسة استخدام حزمة ليزر النديميوم-ياك ذات التردد المضاعف و بتقنية المفتاح Q, ذات الطول الموجي 1064 نانومتر و ذات الطول الموجي 532 نانومتر و بمعدل تكرار 6 هيرتز, و زمن نبضة مقداره 10 نانو ثانية لترسيب الغشاء للمتراكب النانوي TiO2 النقي و المخلوط مع العنصر النبيل Ag بنسب تراكيز مختلفة (10, 20, 30, 40 and 50) % wt. على قواعد من الزجاج و الوفر سليكون (111) باستخدام تقنية الترسيب بالليزر النبضي (PLD). عدة معلمات انماء اخذت بنظر الاعتبار لتحديد الشروط المثلى كتحديد درجة حرارة القاعدة عند (300 oC), ضغط الاوكسجين (2.8x10-4), طاقة الليزر (700 mJ), عدد النبضات (400) نبضة و سمك الغشاء المرسب (170 nm). تم دراسة تضاريس السطح باستخدام مجهر القوة الذرية (AFM). و تظهر الدراسة بأن قيم RMS للاغشية الرقيقة و خشونة السطح ازدادت بزيادة محتوى الفضة, بينما الحجم البلوري قل بزيادة محتوى الفضة. تم قياس التحسسية لغاز NO2 و NH3 عند تراكيز مختلفة لكل جزء من المليون من الغاز (ppm). ان تحسسية اوكسيد التيتانيوم المخلوط مع العنصر النبيل الفضة اعلى مما في حالة اوكسيد التيتانيوم لوحده و المحضرة على قواعد من الزجاج و اعلى حساسية لغاز No2 استطاع الغشاء تحسسها كانت بحدود 50% تقريبا للغشاء المتراكب النانوي 90%TiO2/10%Ag عند افضل درجة حرارة تشغيل و كانت عند (200 oC). ان اضافة العنصر النبيل مثل الفضة جعل الاغشية المحضرة اكثر تحسسية لغاز NO2.


Article
Effect of the AgO content on the surface morphology and electrical properties of SnO2 thin films prepared by PLD technique
تأثير محتوى AgOعلى الخصائص التركيبية والكهربائية للاغشيه الرقيقة SnO2 المحضرة بتقنية PLD

Author: Asmaa N. Mohammed Ali أسماء ناطق محمد علي
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2018 Volume: 16 Issue: 39 Pages: 23-27
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Tin dioxide doped silver oxide thin films with different x content (0, 0.03, 0.05, 0.07) have been prepared by pulse laser deposition technique (PLD) at room temperatures (RT). The effect of doping concentration on the structural and electrical properties of the films were studied. Atomic Force Measurement (AFM) measurements found that the average value of grain size for all films at RT decrease with increasing of AgO content. While an average roughness values increase with increasing x content. The electrical properties of these films were studied with different x content. The D.C conductivity for all films increases with increasing x content. Also, it found that activation energies decrease with increasing of AgO content for all films. Hall measurements confirmed that all the intrinsic films are n-type charge carriers. The variation of carriers concentration increase with increasing x content. Hall mobility decreasing with increasing x content for all films. Also the variation of Drift velocity, carrier life time and free mean path decrease with increasing of x content.

تم تحضير أغشيةSnO2: AgO لنسب مختلفة من التراكيز (0, 0.03, 0.05, 0.07) وبدرجة حرارة الغرفة بتقنية الترسيب بالليزر النبضي. وقد تم دراسة تاتير نسب مختلفة من التراكيز على الخصائص التركيبية و الكهربائية للاغشية المحضرة. من دراسة سطح الأغشية بواسطة مجهر القوة الذرية تبين إن حجم الحبيبات لكل التراكيز بدرجة حرارة الغرفة يقل بزيادة نسب التراكيز بينما قيم معدل الخشونة تزداد بزيادة نسب التراكيز. أثبتت الخصائص الكهربائية لهذه الأغشية لنسب التراكيز المختلفة ودرجة حرارة الغرفة أن التوصيلية الكهربائية للأغشية تزداد بزيادة نسب التركيز كذلك تم حساب التركيز للحاملات وسرعة الانجراف وزمن عمر الحاملات ومعدل المسار الحر لنسب التراكيز المختلفة وبدرجة حرارة الغرفة.


Article
Effect of Annealing on Some Properties of Zn2SnO4 Thin Films Prepared by PLD Technique
تاثير التلدين على بعض خواص اغشية Zn2SnO4 الرقيقة المحضرة بتقنية PLD

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, the investigation of structural and optical properties of Zn2SnO4 thin films were studied. The films are performed on glass substrates by pulsed laser technique (PLD) using laser Nd: YAG at wavelength of 1064 nm with 800 mj laser energy using repetition rate of 6 Hz. and average 400 laser pulses at room temperature and annealing by tubular quartz furnace at temperature (573,773) K for 2 hours with air. XRD measurements showed that the structure for all samples is polycrystalline with a cubic nanostructure. Surface morphology was studied using scanning electron microscopy SEM and atomic force microscopy AFM. After annealing, the roughness of the surface and the mean grain size were increased. Optical properties as a function to wavelength in the range (300-1100 nm) have been studied. Absorption spectra of Zn2SnO4 thin films showed that absorption decreases with increasing annealing temperature. Direct energy gap for a Zn2SnO4 thin film was increases with increasing temperature for all samples due to crystal growth. The optical properties such as extinction coefficient, refractive index, and dielectric constant were also studied.

تم في هذا البحث دراسة الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية Zn2SnO4 الرقيقة والتي رسبت على قواعد زجاجية بواسطة تقنية ترسيب الليزر النبضي (PLD) باستخدام ليزر Nd: YAG النبضي عند طول موجة (1064 نانومتر) باستخدام طاقة ليزر (800 مللي جول). ومعدل تكرار قدره (6 Hz). باستخدام متوسط 400 نبضة ليزر. عند درجة حرارة الغرفة ثم التلدين بواسطة فرن الكوارتز الأنبوبي عند درجة حرارة (773، 573) كلفن لمدة ساعتين بوجود الهواء. أظهرت قياسات (XRDs) أن البنية البلورية لجميع العينات هي متعددة التبلور ذو تركيب مكعبي نانوي. تمت دراسة مورفولوجيا السطح باستخدام المجهر الإلكتروني الماسح (SEM) ومجهر القوة الذرية (AFM). بعد التلدين، تزداد خشونة السطح ومتوسط الحجم الحبيبي. تمت دراسة الخواص البصرية كدالة الى الطوال الموجي في المدى (300-1100 نانومتر). وأظهرت أطياف الامتصاص لأغشية Zn2SnO4 أن الامتصاصية تنخفض مع زيادة درجة حرارة التلدين. كما ان فجوة الطاقة المباشرة للأغشية تزداد مع زيادة درجة الحرارة لجميع العينات بسبب النمو البلوري. تمت دراسة الخصائص البصرية مثل معامل الخمود، معامل الانكسار ، وثابت العزل الكهربائي.


Article
Preparation and Characterization of MOS Device using MgO Film as A Dielectric Material
تحضیر ودراسة خصائص غشاء اوكسید المغنیسیوم باستخدام تقنیة لترسیب باللیزر النبضي

Authors: Farhan A. Mohamed --- Evan T. Salem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 21 Pages: 6253-6262
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, fabrication and characterization of Al/MgO/Si MOSdevice has been carried out using PLD as a deposition technique, and forcomparison Al/SiO2/Si MOS device has been also constructed. The obtainedresult show that , The Electrical and photovoltaic characteristics of MOS device are strongly dependent on the oxide type and thickness, beside that, the C-V measurement reveled that prepared device are of abrupt type. The Spectral Responsivity measurement of (Al/MgO/Si) MOS device is found to be 0.27A/W while of (Al/SiO2/Si) MOS device is 0.20A/W and the Rise and Response time measurement of (Al/MgO/Si) MOS device was shorter than of (Al/SiO2/Si) MOS device.

باستخدام (Al/MgO/Si) ( MOS) في ھذا البحث ، تم صنیع ودراسة خصائص نبیطھ نوع Al/SiO2/Si) تقنیھ الترسیب باللیزر النبضي ، ولاجل المقارنھ تم تصنیع نبیطة من نوع اضھرت النتائج التي تم الحصول علیھا ان الخصائص الكھربائیة والبصریھ للنبائط ، ((MOS) المحضره تعتمد بصوره كبیره على نوع الاوكسید المستخدم ،كذلك اظھرت خصائص سعة –جھد كانت (Al/MgO/Si) ان النبائط من النوع الحاد . خصائص الاستجابیة الطیفیة للنبیطھ نوع 0.20 اما نتائج A/W وجدت لتكون (Al/SiO2/Si) 0.27 بینما للنبیطھ الثانیھ نوع A/W حوالياقصر من مثیلة للنبیطھ نوع (Al/MgO/Si) زمن النھوض فبینت ان زمن النھوض للنبیطھ نوع.(Al/SiO2/Si)


Article
Effect of Annealing Temperature on Structural and Optical Properties of CdO Thin Films Prepared by pulsed laser deposited (PLD) technique
تاثير درجة حرارة التلدين على الخصائص التركيبية والبصرية لاغشية CdO الرقيقة المحضرة بتقنية الترسيب بالليزر النبضي

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper Cadmium oxide (CdO) thin films has attracted interest due to its potential applications in optoelectronics devices. thin films were grown on glass substrates by the pulsed laser deposition (PLD) technique at room temperature and different annealing temperatures Ta=(573,673 and 773) K. The structural studies (XRD) measurements for CdO thin film is polycrystalline with cubic structure and it is evident that the film is highly oriented in the (111) direction. Atomic force microscopy (AFM) was used to examine CdO surfaces, After annealing the films become more homogeneity and notice to increment the root mean square, surface roughness and average grain size. The optical properties of CdO thin films are studied as a function to wavelength in region (375 - 1100) nm. The optical transmittance of the prepared CdO films notice that the transmittance pattern of all deposited thin films increases with increasing the annealing temperature (Ta). The direct energy gap for CdO films was decreases with increasing of annealing temperature for all samples due to the growth of the crystallites .The optical constants such as refractive index, extinction coefficient and dielectric constant were also calculated.

في هذا البحث الأغشية الرقيقة من أوكسيد الكادميوم (CdO) جذبت كثير من الاهتمامات نظراً لتطبيقاتها في الأجهزة الإلكترونية والضوئية, وقد رسبت الاغشية الرقيقة على الزجاج بتقنية الليزر النبضي (PLD) في درجة حرارة الغرفة وبدرجات حرارة تلدين مختلفة (573, 673 و773) كلفن. تم دراسة الخواص التركيبية باستخدام حيود الاشعة السينية (XRD) لمسحوق واغشية اوكسيد الكادميوم واظهرت بانها متعددة التبلور بتركيب مكعبي وباتجاهية (111). كذلك تم استخدام مجهر القوة الذرية لفحص التركيب السطحي لأغشية CdO بعد التلدين تبين بانها تصبح اكثر تجانساً , ولوحظ ايضاً هنالك زيادة في متوسط الجذر التربيعي وخشونة السطح ومعدل الحجم الحبيبي. تم دراسة الخصائص البصرية لأغشية CdO النقية كدالة للطول الموجي الذي يتراوح من (375-1100) نانوميتر, حيث تم ملاحظة النفاذية لاغشية اوكسيد الكادميوم بانها تزداد مع زيادة حرارة التلدين, وتم ملاحظة فجوة الطاقة البصرية المباشرة لجميع العينات المحضرة تقل بزيادة درجة حرارة التلدين ويرجع سبب ذلك الى النمو البلوري, واضافة الى ذلك تم احتساب جميع الثوابت البصرية منها معامل الانكسار ومعامل التوهين وثابت العزل الكهربائي.

Listing 1 - 9 of 9
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (9)


Language

English (9)


Year
From To Submit

2019 (1)

2018 (5)

2017 (1)

2016 (1)

2010 (1)