research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
Electrical Investigation of PSi/Si (n-type) structure
الاستقصاء الكهربائي لم ركب PSi/Si (نوع n)

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, porous Silicon structures are formed with photochemical etching process of n-type Silicon(111) wafers of resistivity (0.02.cm) in hydrofluoric acid (HF) of concentration (39%wt) under light source of tungeston halogen lamp of (100 Watt) power. Samples were anodized in a solution of 39%HF and ethanol at 1:1 for 15 minutes. The samples were realized on n-type Si substrates Porous Silicon layers of 100m thickness and 30% of porousity. Frequency dependence of conductivity for Al/PSi/Si/Al sandwich form was studied. A frequency range of 102-106Hz was used allowing an accurate determination of the impedance components. Their electronic transport parameters were determined using complex impedance measurements. These measurements provide a powerful tool for interpretation of basic properties such as the dielectric constant, polarizibility and frequency dependence in the crystallites and trapping mechanisms. The electrical conductivity is mainly controlled by hoping transport on localized states in the chaotic porous structure.

في هذا البحث تم تحضير السيليكون المسامي بطريقة الضؤي-الكيميائي لشرائح السيليكون (n- type (orientation (111)) ومقاومية (0.02 .cm) في حامض الهيدروفلوريك (HF) وبتركيز (39%) وباستخدام مصباح الهالوجين وبقدرة (100 watt) تم وضع العينات في سائل مكون من حامض الهيدروفلوريك والايثانول وبنسبة 1:1 ولمدة 15 دقيقة. العينات التي حضرت بهذه الطريقة كانت بسمك 100 مايكرون ومسامية 30%. تم دراسة اعتمادية التوصيلية على التردد وعلاقتها مع الممانعة وللعينات المحضرة بشكل سندويج Al/PSi/Si/Al وضمن مدى الترددات) 102-106 Hz ) . تم دراسة الانتقالات الالكترونية والتي تم من خلالها حساب ثابت العزل والاستقطابية واعتماديتهما على التردد على ميكانيكية القنص في المواد البلورية. اما التوصيلية الكهربائية تم تفسيرها اعتمادا على ميكاتيكية القفز في المستويات الموضعية في التركيب العشوائي للسيليكون المسامي.

Keywords

PSi/Si structure


Article
Electrical Properties of ZnS Thin Films
الخصائص الكهربائية لأغشية ZnS الرقيقة

Authors: Muhammad O. Salman محمد عويد سلمان --- Bushra A.Hasan بشرى عباس حسن
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2009 Volume: 7 Issue: 8 Pages: 104-112
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The effect of annealing temperature (Ta) on the electrical properties like ,D.C electrical conductivity (σ DC), activation energy (Ea),A.C conductivity σa.c ,real and imaginary (ε1,ε2) of dielectric constants ,relaxation time (τ) has been measured of ZnS thin films (350 nm) in thickness which were prepared at room temperature (R.T) using thermal evaporation under vacuum . The results showed that σD.C increases while the activation energy values(Ea) decreases with increasing of annealing temperature.(Ta) from 303- 423 K .The density of charge carriers (nH) and Hall mobility (μH) increases also with increasing of annealing temperature Hall effect measurements showed that ZnS films were n-type converted to p-type at high annealing temperature(423K).Measurements of a.c conductivity over frequency range (102-106Hz) showed that a.c conductivity obeys the formula σ a.c(w)= A ws,where (s) lies between (0.6- 0.95), σ a.c(w) declared exponentially dependence on the frequency range.

تم قياس تأ ثير درجة حرارة التلدين على الخواص الكهربائية و مثل التوصيلية الكهربائية المستمرة (σDC), طاقة التنشيط (Ea), و التوصيلية الكهربائية المتناوبة (σa.c) ثابت العزل الحقيقي والخيالي(ε1,ε2),زمن الاسترخاء(τ) على اغشية ZnS الرقيقة والمحضرة بطريقة التبخير الحراري تحت الفراغ بسمك 350 nm.أظهرت النتائج ازدياد σ D.C وتناقص قيم Ea مع ازدياد درجة حرارة التلدين من 303 إلى 423K. كثافة حاملات الشحنة ازدادت (nH) والتحركية أيضا مع ازدياد درجة حرارة التلدين أظهرت قياسات تأثير هول إن اغشية ZnSذات توصيلية سالبة تحولت إلى توصيلية من النوع الموجب عند درجة تلدين 423K .أظهرت قياسات التوصيلية الكهربائية المتناوبة( σ a.c(w في مدى التردد (106-102Hz)إن التوصيلية الكهربائية المتناوبة تخضع للعلاقة σ a.c(w)= Aws , حيث الثابت الأسي (s) يقع ضمن المدى (0.95-0.6),σ a.c(w)أظهرت اعتماد أسي على التردد.

Keywords

PSi/Si structure


Article
Effect of γ- Irradiation on the n- Porous Silicon Structures Prepared by Electrochemical Etching
تأثير تشعيع γ على تراكيب السليكون المسامي (n) المحضر بالقشط الكهروكيميائي

Author: Abdulkahlig A. Sulaiman عبد الخالق ايوب سليمان
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2018 Volume: 27 Issue: 3E Pages: 173-180
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Porous Silicon has been prepared by using electrochemical cell at room temperature with etching time (20 min), current (30 mA) and fixed electrolyte solution HF:C2H5OH(1:4). The samples are irradiated by γ-ray with various doses (50,100) Gy. Several techniques such as scanning electron microscope (SEM), X-ray diffraction (XRD) and Ramman Spectrum were used to study the influence of the γ- irradiation of porous silicon (PSi). SEM images show the random distribution of pores that cover all the surface which have different sizes and spherical shapes. XRD analysis, which indicated that n- type porous silicon and the samples irradiated at 50 and 100 Gy of γ- ray grow in hexagonal structure having preferred orientation along (002) plane in c-direction. An extremely symmetric band shape were recognized from Raman spectra of PSi

حضر السليكون المسامي باستخدام الخلية الكهروكيميائية عند درجة حرارة الغرفة بزمن قشط (20 min.)، تيار (30 A) ومحلول الكتروليتي ثابت HF:C2H5OH(1:4). العينات تم تشعيعها بأشعة γ بجرعات مختلفة (50,100 Gy). استخدمت عدة تقنيات مثل المجهر الالكتروني الماسح (SEM)، حيود الأشعة السينية (XRD) وطيف رامان لدراسة تأثير تشعيع γ على السليكون المسامي. تبين صور SEM التوزيع العشوائي للمسامات التي تغطي جميع السطح بأحجام وأشكال دائرية مختلفة. تحليلات XRD تشير إلى أن السليكون المسامي من النوع n والعينات المشععة بأشعة γ عند (50,100 Gy) تنمو بالتركيب السداسي والاتجاه المفضل له على طول المستوي (002) بالاتجاه c. تم التعرف على شكل حزمة التناظر للسليكون المسامي إلى حد كبير من طيف رامان


Article
An Investigation of Electrical Properties of (p-n) Porous Silicon Layer
التحقق عن الخصائص الكهربائية لـ (p-n) من طبقة السليكون المسامي

Authors: Muna Salih Mohammed Jawad --- Alwan. M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 7 Part (B) Scientific Pages: 867-878
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, we studied the electrical properties of (p-n) porous silicon layer under different etching time. The (p-n) porous silicon layer prepared by photo-electrochemical etching process. The dark I-V characteristics; give us rectification ratio with wide range as a function to etching time. A high value for the rectification behavior is related for etched samples at low etching time. While the increasing of etching time to high value show a non rectification behavior in (p-n) porous samples. The values of the photo-current for (p-n) porous sample at low etching time has very small value compared with the other (p-n) porous silicon samples at high etching time and this behavior in PSi layer in high etching time cannot be employed light emitting diode applications. While the layer prepared at low etching time is well suitable for light emitting device.

في هذا البحث قمنا بدراسة الخصائص الكهربائية لـطبقة السيليكون المسامي نوع (p-n) المحضر من طبقة السليكون المسامي بازمان تنميش مختلفة وبطريقة التنميش الكهروكيميائي-الضوئي (PEC). و من خلال منحنيات تيار- جهد بالظلام اعطى قيم تقويم عالية تمتلك قيم واسعة كدالة لزمن التنميش وخصوصاً عند ازمان تنميش قليلة. عند زيادة زمن التنميش لحد كبير ادى الى ظهور السلوك اللا تقويمي في عينات (p-n). ان قيم التيار- الضوئي عند ازمنة التنميش القليلة اعطى قيمة صغيرة جدا مقارنة مع القيم الاخرى عند زيادة زمن التنميش. لذا فان استخدام ازمنة تنميش عالية تولد لنا عينات (p-n) لاتصلح لعمل الثنائيات الباعثة لضوء على العكس مع ازمنة التنميش القليلة التي تصلح لانتاج الثنائيات الباعثة للضوء.


Article
High Quantum Efficiency of (Au/n-SnO2/p-PSi/c-Si/Al) solar cell after annealing of Nd:YAG laser
كفاؤة كمية عالية للخلية الشمسية (Au/n-SnO2/p-PSi/c-Si/Al) بعد التلدين

Authors: Firas Sabeeh Mohammed --- Ban Rashid Ali --- Bahaa Jawad Alwan --- Zahra Sabah Rashid
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 5 Part (B) Scientific Pages: 856-866
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Transparent and conducting SnO2 thin film has been produced on (quartz and porous silicon) substrates using rapid photothermal oxidation of pure Sn in air at 600 oC oxidation temperature and different oxidation time. The structural properties and scan electron microscope of the prepared films were studied. The photovoltage properties of a Au/n-SnO2/p-PSi/c-Si solar cell are investigated under irradiation of Nd:YAG laser pulses. The porous Si layer is synthesized on a single crystalline p-type Si using electrochemical etching in aqueous hydrofluoric acid at a current density of 25 mA/cm2 for a 30-min etching time. The structure of the porous layer is investigated using scan electron microscope. The photovoltage properties are found to be dependent on the laser fluencies.

اكاسيد شفافة موصلة SnO2 محضرة على قواعد مختلفة باستخدام تقنية الاكسدة الحرارية السريعة لمعدن القصدير بالهواء عند درجة حرارة اكسدة 600 oC وازمان اكسدة مختلفة. الخصائص التركيبية تم دراستها في هذا البحث. تم تحضير طبقة اليليكون المسامي في هذا البحث باستخدام سليكون نوع p-type Si بمحلول حامض الهايدروفلوريك عند كثافة تيار مقدارها 25 mA/cm2 لمدة 30-min. حيث تم قياس الخصائص الفولتائية للنبيطة المصنعة بعد اجراء عملية التلدين كخلية شمسية حيث اظهرت كفاؤة عالية جدا بعد التلدين.

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (5)


Year
From To Submit

2018 (1)

2015 (1)

2013 (1)

2009 (2)