research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF PALLADIUM-DOPED ZINC OXIDE THIN FILMS AND ITS APPLICATION AS EXTENDED-GATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR PH SENSOR
تصنيع و دراسة خصائص أغشية أوكسيد الزنك الرقيقة والمشوبة بالبلاديوم وتطبيقاتها في متحسس لتركيز الهيدروجين من نوع ترانزستور تأثير المجال ممدود البوابة

Authors: Raad Hamdan Thaher --- Ghusoon Mohsin Ali --- Ali Azzam Abdullateef
Journal: Journal of Engineering and Sustainable Development مجلة الهندسة والتنمية المستدامة ISSN: 25200917 Year: 2016 Volume: 20 Issue: 1 Pages: 164-177
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

This work presents the fabrication, characterization and performance analysis of Zinc Oxide (ZnO) and Palladium doped Zinc Oxide (Pd-ZnO) thin films based Extended-Gate Field-Effect Transistor (EGFET) pH sensor. The Pd-doped ZnO thin films with different molar concentrations (Pd = 0%, 2% and 4%) were deposited onto p-type Si<111> substrate by sol-gel method. The EGFET pH-sensor has been prepared by linking the fabricated sensing devices to the gate terminal of a commercial Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistor (MOSFET CD4007UB). The fabricated sensing devices were immersed in buffer solutions with pH range of (pH 3 ‒ pH 11). The pH sensing characteristics of ZnO and Pd-ZnO/silicon EGFET devices were studied using Semiconductor Characterization System (SCS-Keithley 4200). The undoped ZnO EGFET sensor exhibits current sensitivity and linearity of 46.17 µA/pH and 97.81% with pH range of (pH 3 - pH 11) and the current sensitivity and linearity of Pd-doped ZnO (with 4% molar concentration of Pd) EGFET sensor with pH range of (pH 5 - pH 11) are 44 and 96.22%, respectively.

يتناول هذا البحث تصنيع و توصيف و تحليل اداء متحسّسات تركيز الهيدروجين (pH sensor) من نوع ترانزستور تأثير المجال ممدود البوابة (EGFET) باستخدام أغشية اوكسيد الخارصين الرقيقة والمشوَّبة بالبلاديوم. تم ترسيب أغشية أوكسيد الخارصين المشوَّبة بِتركيز مولي ‏متنوع (=Pd0٪ و 2٪ و 4٪) على ركيزة من نوع سيليكون >111< باستخدام طريقة محلول-هلام (sol-gel). تم أعداد متحسّس تركيز الهيدروجين نوع ترانزستور تأثير المجال ممدود البوابة من خلال ربط أجهزة التحسّس المصنَّعة لمنفذ بوابة معدن-أوكسيد - شبه موصل ترانزستور تأثير-المجال (MOSFET CD4007UB). تم غَمُر أغشية التحسّس المصنَّعة في محاليل منظمة بمدى من الرقم الهيدروجيني (pH 5-pH 11). وقد تمت دراسة خصائص تحسّس أغشية أوكسيد الخارصين غير المشوَّبة والمشوَّبة بالبلاديوم باستخدام منظومة توصيف أشباه الموصلات .(Keithley-4200) أن أغشية أوكسيد الخارصين تبدي حساسية تيار وخطية للرقم الهيدروجيني بمقدار (46.17 µA/pH) و (97.81%) وبمدى (pH 3- pH 11) و أن أغشية أوكسيد الخارصين المشوَّبة بالبلاديوم (بمقدار 4٪ تركيز المولي من Pd) تبدي حساسية التيار وخطية بمقدار (44 ) و (96.22%) وبمدى (pH 5- pH 11).

Keywords

ZnO --- Pd-ZnO --- Sol-gel --- EGFET --- pH sensor.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2016 (1)