research centers


Search results: Found 86

Listing 1 - 10 of 86 << page
of 9
>>
Sort by

Article
High-Quality Plasma- Induced Crystallization of Amorphous Silicon Structures

Author: A.M. Aldhafiri
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2009 Volume: 5 Issue: 1 Pages: 35-39
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

The investigation of polycrystalline silicon made on glass and carboncoated nickel substrates by aluminum-induced crystallization ofamorphous silicon (a-Si) is reported. Aluminum was sputtered onto a-Si films deposited in an ultra-high-vacuum plasma-enhanced chemicalvapor deposition (PECVD) system to form Al/a-Si substrate structures.These samples were then vacuum annealed for 30min. at temperaturesin the range 150-350°C. X-ray diffractometry (XRD) was utilized todetermine the crystallization temperature. Annealing at 275°C resultedin the formation of crystalline Si as observed by XRD. The presence ofthese hillocks or bumps after annealing at 275°C and above confirmsthat the a-Si has been crystallized.

Keywords

PECVD --- polycrystalline Si --- Amorphous Si --- XRD


Article
Electrical Investigation of PSi/Si (n-type) structure
الاستقصاء الكهربائي لم ركب PSi/Si (نوع n)

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, porous Silicon structures are formed with photochemical etching process of n-type Silicon(111) wafers of resistivity (0.02.cm) in hydrofluoric acid (HF) of concentration (39%wt) under light source of tungeston halogen lamp of (100 Watt) power. Samples were anodized in a solution of 39%HF and ethanol at 1:1 for 15 minutes. The samples were realized on n-type Si substrates Porous Silicon layers of 100m thickness and 30% of porousity. Frequency dependence of conductivity for Al/PSi/Si/Al sandwich form was studied. A frequency range of 102-106Hz was used allowing an accurate determination of the impedance components. Their electronic transport parameters were determined using complex impedance measurements. These measurements provide a powerful tool for interpretation of basic properties such as the dielectric constant, polarizibility and frequency dependence in the crystallites and trapping mechanisms. The electrical conductivity is mainly controlled by hoping transport on localized states in the chaotic porous structure.

في هذا البحث تم تحضير السيليكون المسامي بطريقة الضؤي-الكيميائي لشرائح السيليكون (n- type (orientation (111)) ومقاومية (0.02 .cm) في حامض الهيدروفلوريك (HF) وبتركيز (39%) وباستخدام مصباح الهالوجين وبقدرة (100 watt) تم وضع العينات في سائل مكون من حامض الهيدروفلوريك والايثانول وبنسبة 1:1 ولمدة 15 دقيقة. العينات التي حضرت بهذه الطريقة كانت بسمك 100 مايكرون ومسامية 30%. تم دراسة اعتمادية التوصيلية على التردد وعلاقتها مع الممانعة وللعينات المحضرة بشكل سندويج Al/PSi/Si/Al وضمن مدى الترددات) 102-106 Hz ) . تم دراسة الانتقالات الالكترونية والتي تم من خلالها حساب ثابت العزل والاستقطابية واعتماديتهما على التردد على ميكانيكية القنص في المواد البلورية. اما التوصيلية الكهربائية تم تفسيرها اعتمادا على ميكاتيكية القفز في المستويات الموضعية في التركيب العشوائي للسيليكون المسامي.

Keywords

PSi/Si structure


Article
Electrical Properties of ZnS Thin Films
الخصائص الكهربائية لأغشية ZnS الرقيقة

Authors: Muhammad O. Salman محمد عويد سلمان --- Bushra A.Hasan بشرى عباس حسن
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2009 Volume: 7 Issue: 8 Pages: 104-112
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The effect of annealing temperature (Ta) on the electrical properties like ,D.C electrical conductivity (σ DC), activation energy (Ea),A.C conductivity σa.c ,real and imaginary (ε1,ε2) of dielectric constants ,relaxation time (τ) has been measured of ZnS thin films (350 nm) in thickness which were prepared at room temperature (R.T) using thermal evaporation under vacuum . The results showed that σD.C increases while the activation energy values(Ea) decreases with increasing of annealing temperature.(Ta) from 303- 423 K .The density of charge carriers (nH) and Hall mobility (μH) increases also with increasing of annealing temperature Hall effect measurements showed that ZnS films were n-type converted to p-type at high annealing temperature(423K).Measurements of a.c conductivity over frequency range (102-106Hz) showed that a.c conductivity obeys the formula σ a.c(w)= A ws,where (s) lies between (0.6- 0.95), σ a.c(w) declared exponentially dependence on the frequency range.

تم قياس تأ ثير درجة حرارة التلدين على الخواص الكهربائية و مثل التوصيلية الكهربائية المستمرة (σDC), طاقة التنشيط (Ea), و التوصيلية الكهربائية المتناوبة (σa.c) ثابت العزل الحقيقي والخيالي(ε1,ε2),زمن الاسترخاء(τ) على اغشية ZnS الرقيقة والمحضرة بطريقة التبخير الحراري تحت الفراغ بسمك 350 nm.أظهرت النتائج ازدياد σ D.C وتناقص قيم Ea مع ازدياد درجة حرارة التلدين من 303 إلى 423K. كثافة حاملات الشحنة ازدادت (nH) والتحركية أيضا مع ازدياد درجة حرارة التلدين أظهرت قياسات تأثير هول إن اغشية ZnSذات توصيلية سالبة تحولت إلى توصيلية من النوع الموجب عند درجة تلدين 423K .أظهرت قياسات التوصيلية الكهربائية المتناوبة( σ a.c(w في مدى التردد (106-102Hz)إن التوصيلية الكهربائية المتناوبة تخضع للعلاقة σ a.c(w)= Aws , حيث الثابت الأسي (s) يقع ضمن المدى (0.95-0.6),σ a.c(w)أظهرت اعتماد أسي على التردد.

Keywords

PSi/Si structure


Article
Structural and electrical properties of CdO/porous Si heterojunction
دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق الهجيني CdO/porous Si/c-Si المصنع بطريقة التنميش الكيميائي

Loading...
Loading...
Abstract

The electrical properties of CdO/porous Si/c-Si heterojunction prepared by deposition of CdO layer on porous silicon synthesized by electrochemical etching were studied. The structural, optical, and electrical properties of CdO (50:50) thin film prepared by rapid thermal oxidation were examined. X-ray diffraction (XRD) results confirmed formation of nanostructured silicon layer the full width half maximum (FWHM) was increased after etching. The dark J-V characteristics of the heterojunction showed strong dependence on etching current density and etching time. The ideality factor and saturation current of the heterojunction were calculated from J-V under forward bias. C-V measurements confirmed that the prepared heterojunctions are abrupt type .The value of built-in-potential as function of etching current density was estimated.

تم دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق الهجيني من خلال ترسيب غشاء رقيق من اوكسيد الكادميوم على السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي. تم دراسة الخصائص التركيبية والبصرية والكهربائية لغشاء اوكسيد الكادميوم المحضر بطريقة الاكسدة الحرارية السريعة.لقد اثبتت نتائج حيود الاشعة السينية ان السليكون المعالج كهروكيميائيا هو من النوع النانوي.اوضحت النتائج العملية ان خصائص تيار-جهد في حالة الظلام اعتمدت بشكل كبير على كثافة تيار وزمن التنميش الكهروكيميائي.مقدار عامل المثالية وتيار الاشباع كدالة لكثافة تيار التنميش تم حسابها من خصائص تيار–جهد في حالة الانحياز الامامي. لقد اوضحت خصائص سعة – جهد ان المفارق الهجينة هي من النوع الحاد وتم حساب جهد البناء الداخلي كدالة لظروف التحضير.


Article
Etch of Si-wafer using CF3Br plasma and KOH solution
حفر السليكون باستعمال بلازما CF3Br والمحلول الكيميائي KOH

Author: Intessar K.abd انتصار كاظم عبد
Journal: Diyala Journal For Pure Science مجلة ديالى للعلوم الصرفة ISSN: 83732222 25189255 Year: 2012 Volume: 8 Issue: 3 - part 2 Pages: 400-406
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

In this study wet etching was used to etch Si-wafers by KOH solution at different concentrations .The results showed that decreasing of the etching rate at higher KOH concentration produces smooth surface. On the other hand ,it has been observed that the etching rate increases by using CF3Br plasma and lower KOH concentrations producing rough surface.

في هذا البحث تم استخدام الحفر الرطب لعينات السيليكون باستخدام المحلول الكيميائي KOH باختلاف التراكيز، لقد تم الحصول على معدل حفر قليل باستخدام التركيز العالي للمحلول KOH تم ملاحظة نعومة سطح العينات المحفورة، كما لاحظنا حصول زيادة في معدل الحفر لعينات السيليكون عند استخدام بلازما CF3Br واستخدام التركيز الواطئ لمحلول KOH مع ملاحظة خشونة حاصلة على سطح العينات المحفورة.

Keywords

plasma --- ething --- Si --- KOH --- CF3Br


Article
Microstructure and Some Properties of Aluminum-Silicon Matrix Composites Reinforced by Alumina or Chromia
التركيب المجهري وبعض الخصائص للمواد المتراكبة نوع الالمنيوم- سليكون المقواة بأوكسيدالايتريوم او أوكسيد الالومينا

Author: Ahmed A. Moosa احمد علي موسى
Journal: Al-Khwarizmi Engineering Journal مجلة الخوارزمي الهندسية ISSN: 18181171 23120789 Year: 2010 Volume: 6 Issue: 1 Pages: 57-68
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, yttrium oxide particles (powder) reinforced AL-Si matrix composites (Y2O3/Al-Si) and Chromium oxide particles reinforced AL-Si matrix composites (Cr2O3/AL-Si) were prepared by direct squeeze casting. The volume percentages of yttrium oxide used are (4, 8.1, 12.1, 16.1 vol %) and the volume percentages of the chromium oxide particles used are (3.1, 6.3, 9.4, 12.5 vol. %). The parameters affecting the preparation of Y2O3/Al-Si and Cr2O3/AL-Si composites by direct squeeze casting process were studied. The molten Al-Si alloy with yttrium oxide particles or with chromium oxide particles was stirred again using an electrical stirrer at speed 500 rpm and the molten alloy was poured into the squeeze die cavity. The pouring temperature that used for all castings is (700)&#730;C. The required squeeze pressure, 53 MPa, was then applied for 30 seconds at a delay time of 5. The die temp is (200&#730;C). The Y2O3/Al-Si composites and Cr2O3/Al-Si composites produced by squeeze casting have more microstructure refinement, higher hardness and lower wear rate than the unreinforced alloy.

تم دراسة تحضير مادة متراكبة ذات اساس من سبيكة الالمنيوم- سليكون مقواة بدقائق اوكسيد الكروم (الالمنيوم- سليكون/ اوكسيد الكروم ) و دقائق اوكسيد الايتريوم (الالمنيوم- سليكون/ اوكسيد الايتريوم ) بطريقة السباكة بالعصر المباشر. تم اضافة كسور حجمية مختلفة من دقائق اوكسيد الكروم3.1, 6.3 , 9.4, 12.5 vol %) ) وكذلك اضافة كسور حجمية مختلفة من اوكسيد الايتريوم(4, 8.1, 12.1, 16.1 vol %) . اجريت عملية خلط منصهر سبيكة الالمنيوم- سليكون/ اوكسيد الايتريوم او منصهر سبيكة الالمنيوم- سليكون/ اوكسيد الكروم باستخدام خلاط كهربائي وبسرعة 500 دورة /دقيقة . تم استعمال المتغيرات مثل ضغط العصر (53MPa)، درجة حرارة الصب (700˚C)، زمن الكبس (30sec.) وزمن التريث (5sec.). ودرجة حرارة القالب(200˚C ) .تم فحص البنية المجهرية للمواد المتراكبة ،الصلادة ومعدل البلى . اظهرت النتائج حصول تنعيم في البنية المجهرية في السبائك المقواة مقارنة مع السبيكة غير المقواة . كما اظهرت النتائج زيادة في الصلادة وانخفاض في معدل البلى في السبائك المقواة مقارنة مع السبيكة غير المقواة .


Article
Current–voltage and capacitance-voltage characteristics of Se/Si heterojunction prepared by DC planar magnetron sputtering technique
خصائص التيار- فولتية والفولتية – السعة للمفرق الهجيني Se/Siالمحضربتقنية الترذيذ المغناطيسي المستمر

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, the effect of annealing temperature on the electrical properties are studied of p-Se/ n-Si solar cell, which p-Se are deposit by DC planar magnetron sputtering technique on crystal silicon. The chamber was pumped down to 2×10&#8722;5 mbar before admitting the gas in. The gas was Ar. The sputtering pressure varied within the range of 4x10-1 - 8x10-2mbar by adjusting the pumping speed through the opening control of throttle valve. The electrical properties are included the C-V and I-V measurements. From C-V measurements, the Vbi are calculated while from I-V measurements, the efficiency of solar cell is calculated.

في هذا العمل تم دراسة تاثير درجة حرارة التلدين على الخصائص الكهربائية لخلية الشمسية p-Se/n-Si حيث رسب سيلينيوم بتقنية ترذيذ المغناطيسي المستمر على قواعد من السليكون حيث وصل تفريغ منظومة التفريغ الى ضغط بحدود 2x10-5mbar قبل ضخ غاز الاركون وبعد وصل الضغط الى mbar(4x10-1 – 8x10-2) من خلال صمام لتحكم بدخول غاز الاركون وبعد ذلك تتولد لدينا بلازما.الخصائص الكهربائية التي تتضمن C-V و I-V تم قياسها ومن قياسات السعةو الفولتية تم حساب Vbi وكذلك تم حساب كفاءة الخلية الشمسية.


Article
FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF HIGH EFFICIENTCd O/SI PHOTOVOLTAIC SOLAR CELLS

Author: Khalid Z. Yahiya
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2008 Volume: 11 Issue: 1 Pages: 56-58
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, CdO/Si heterojunction solar cell has been made by vacuum evaporation of CdO thin film onto monocrystalline silicon substrate. XRD was investigated, the transmission was determined in range (400-1000)nm and the direct band gap energy is 2.5 eV, I-V characterization of the cell under illumination was investigated , the cell shows an open circuit voltage (VOC) of 0.4 V, a short circuit current density (JSC) of 40 mA/cm2, a fill factor (FF) of 0.34, and a conversion efficiency (η) of 5.5%.

في هذا البحث ، تم تصنيع خلايا شمسية هجينة نوع CdO/Si وذلك بتبخير أغشية CdO الرقيقة على قواعد سليكونية أحادية البلورة . تم دراسة البناء البلوري للغشاء بواسطة حيود الأشعة السينية وتم دراسة النفاذية للمدى (400-1000)nm تم حساب فجوة الطاقة المباشرة وتساوي (2.5)eV وتم دراسة القياسات تيار-جهد في حالة الإضاءة أبدت الخلية أداء فولطائي جيد حيث أن تيار دائرة القصر (40)mA/cm2 وان فولتية الدائرة المفتوحة (0.4)V وبكفاءة تحويل 5.5% وعامل ملئ 0.34 .


Article
Electrical and Photovoltaic Properties of In-pSi Contact

Author: Khalid Z. Yahya
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 1 Pages: 49-55
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, the electrical and photovoltaic properties of In-pSicontact were investigated for the first time. Two creditable methods were usedto determine the value of barrier height for this contact. Experimental resultsshows a reasonable agreement with the simple Schottcky-Mott theory. Thecontact shows good response to white light when it works under biascondition. Peak response of 0.22 A/W at 850 nm wavelength was registered.

ولأول In-pSi في هذا البحث، جرى دراسة الخصائص الكهربائية والفولطائية الضوئية لاتصالمرة على حد علمن ا. استُخدمت ط ريقتان موثوقتان لإيجاد قيمة حاجز الجهد لهذا الاتصال، إذأظهرت النتائج اتفاقا مقبولا لقيمة ارتفاع الحاجز مع نظرية شوتكي - موت البسيطة . أظهرالاتصال استجابة جيدة للضوء الأبيض مما يؤهله للعمل كدايود ضوئي في مدى الأشعة المرئية..850 nm 0.22 عند الطول الموجي A/W تم الحصول على استجابية طيفية بمقدار


Article
Study Optoelectronic Properties of Ag2O Heterojunction Prepered by Thermal Oxidation Technique

Author: Khalid Z. Yahia
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 5 Pages: 570-578
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Highly (101)-oriented p-Ag2O thin film with high electrical resistivilywas grown by thermal oxidation (TO) on clean monocrystalline p-type Siwithout any post- deposition annealing. From optical transmittance andabsorptance data, the direct optical band gap was found to be 1.4eV. Theelectrical and photovoltaic properties of Ag2O/Si isotope heterojunctionwere examined in the absence of any buffer layer. Ideality factor ofheterojunction was found to be 3.9. Photoresponse result revealed that thereare two peaks located at. 750 nm and 900nm .

تم ترسيب غشاء رقيق من اوكسيد الفضة باتجاهية ( 101 ) ومقاومة كهربائية عاليةعلى طبقة من السليكون احادية البلورة من النوع مانح بطريقة التأكسد الحراري بدونأي تلدين مسبق. من النتائج النفاذية البصرية والامتصاصية وجد ان فجوة الطاقة للانتقالالهجين Ag2O/Si 1.4 اما الخواص الكهربائية والفولتائية وجد ان المفرق eV المباشر كانتله عامل المثالية 3.9 اما نتائج الاستجابية الطيفية فوجد قمتان تقع عند الطو لين900nm,750nm الموجيين

Listing 1 - 10 of 86 << page
of 9
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (86)


Language

English (72)

Arabic (10)

Arabic and English (4)


Year
From To Submit

2019 (4)

2018 (7)

2017 (9)

2016 (6)

2015 (6)

More...