research centers


Search results: Found 38

Listing 1 - 10 of 38 << page
of 4
>>
Sort by

Article
Preparation and Characterization of High Quality SnO2 Films Grown by (HPCVD)
تحضيراغشية اوكسيد القصدير عالية النوعية باستخدام الترسيب الكيمياوي ذو الاساس الحار

Authors: Baha T. Chiad --- Nathera Ali --- Nagam Th.Ali
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 801-810
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research SnO2 thin films have been prepared by using hot plate atmospheric pressure chemical vapor deposition (HPCVD) on glass and Si (n-type) substrates at various temperatures. Optical properties have been measured by UV-VIS spectrophotometer, maximum transmittance about (94%) at 400 0C. Structure properties have been studied by using X-ray diffraction (XRD) , its shows that all films have a crystalline structure in nature and by increasing growth temperature from(350-500) 0C diffraction peaks becomes sharper and grain size has been change. Atomic force microscopy (AFM) uses to analyze the morphology of the Tine Oxides surface structure. Roughness & Root mean square for different temperature have been investigated. The results show that both increase with substrate temperature increase this measurements deal with X-Ray diffraction results, that there is large change in the structure state of SnO2 thin f film by changing temperature parameter.

في هذا البحث تم تحضير أغشية اوكسيد القصدير بطريقة الترسيب الكيماوي بالبخار بالضغط الجوي على قاعدة ساخنة من الزجاج وسيلكون لدرجات حرارة مختلفة. الخصائص البصرية للغشاء تم قياسها باستخدام جهاز مطياف (UV-Vis.) اقصى نفاذية كانت بحدود(94%) عند 400 0C . أما الخصائص التركيبية تم دراستها باستخدام حيود الأشعة السينية التي أوضحت انه جميع الاغشية هي ذات تركيب بلوري بطبيعتها وبتغيير حرارة نمو الغشاء لمدى (300-500 ) 0C فان قمم الحيود أصبحت اكثر حدة والحجم الحبيبي يتغير. استخدم مجهر القوى الذرية لتحليل طوبوغرافية وتركيب سطح أغشية اوكسيد القصدير حيث تم حساب الخشونة ومعدل الجذر التربيعي للعينات المحضرة ولدرجات حرارة مختلفة واظهرت النتائج بأن كلاهما يزداد مع ازدياد درجة حرارة الاساس وهذا يتفق مع نتائج حيود الاشعة السينية كما ان هنالك تغيير كبير بالحالة التركيبية لغشاء SnO2 مع تغيير مؤثر الحرارة.

Keywords

Sno2 --- Thin Films --- Hpcvd


Article
Study the effect of doping for various materials (F, Sb) on the properties of tin oxide (SnO2) film
دراسة تأثير التشويب لمختلف المواد ( فلور ، انتيمون) على خصائص غشاء اوكسيد القصدير

Author: Nagam T. Ali
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 9 Part (B) Scientific Pages: 1693-1701
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research doped and undoped SnO2 was prepared by using cold wall atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) system at substrate temperature (450 0C) and flow rate of O2 gas (1.5) L/M for (15) min using (SnCl2.5H2O) and different percentage from (NH3F) , (SbCl3) as source for (Sn, F, Sb).Several films were prepared by using different ratios of antimony (Sn:Sb ) as fallowing: (1: 0.3, 1: 0.5, 1:0.7, 1:1 Wt. %)and (SnO2:F) in ratios of (1: 0.1, 1: 0.3, 1:0.5, Wt.%).X-ray diffraction (XRD) spectra showschanging in structures for (Sb, F) with shift in peaks.Also roughness average values have been increased with increase of doping ratio. Optical properties have been studied by using UV-Vis spectroscopy. Electric properties had been studied. through spectroscopic study of these films was found to have a high transmittance in the visible region.

في هذ البحث تم تحضير اغشية اوكسيد القصدير المطعمة والغير المطعمة باستخدام منظومة الترسيب بالبخار الكيمياوي ذو الجدار البارد عند درجة حرارة اساس (450) درجة مئوية ومعدل جريان غاز(SnCl2.5H2O) (NH3F) , (SbCl3)الاوكسجين كان (1,5) لتر / دقيقة باستخدام بنسب مختلفةكمادة اولية ، حيث تم تحضير الاغشية لمختلف النسب لكلا الفلور والانتيمون .اظهرت نتائج الاشعة السينية تغيير بالتركيب باضافة كل من الفلور والانتيمون مع ازاحة بالقمم. مع ازدياد نسب التشويب تزداد خشونة السطح. جميع الاغشية شفافة وهذا ما م قياسه باستخدام المطيافية المرئية-وفوق البنفسجية. الخصائص الكهربائية تم قياسها ايضا.


Article
Effect of Laser Irradiation on the Optical Properties of SnO2 films Deposited by Post Oxidation of metal Films
تأثير أشعة الليزر على الخصائص البصرية لأغشية SnO2 المرسبة بطريقة الأكسدة اللاحقة لأغشية المعدن

Authors: Najwa J. Jubier نجوى جاسم جبر --- Majida A.Ameen ماجدة علي أمين --- Souad G. Khalil سعاد غفوري خليل
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2011 Volume: 8 Issue: 4 Pages: 962-967
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Tin oxide films (SnO2) of thickness (1 m) are prepared on glass substrate by post oxidation of metal films technique. Films were irradiated with Nd:YAG double frequency laser of wavelength (532 nm) pulses of three energies (100, 500, 1000) mJ. The optical absorption, transmission, reflectance, refractive index and optical conductivity of these films are investigated in the UV-Vis region (200-900) nm. It was found that the average transmittance of the films is around (80%) at wavelength (550 nm) and showed high transmission ( 90 %) in the visible and near infrared region. The absorption edge shifts towards higher energies, which is due to the Moss-Burstien effect and it lies at (4 eV). The optical band gap increased with increasing of energy.

حضرت أغشية أوكسيد الخارصين (SnO2) بسمك (1 m) على قواعد من الزجاج بطريقة الأكسدة اللاحقة لأغشية المعدن Sn. تم تشعيع الأغشية بنبضات ليزر Nd:YAG ذو التردد المزدوج عند الطول الموجي (532 nm) وبثلاث طاقات (100, 500, 1000)mJ. درست الامتصاصية البصرية، النفاذية، الانعكاسية، معامل الانكسار و التوصيلية البصرية لهذه الأغشية في منطقة UV-VIS ذو المدى (200-900) nm. وجد ان معدل النفاذية لهذه الأغشية تقترب من (80 %) عند الطول الموجي (550 nm) وان اعلى نفاذية تقترب من (90 %) في المدى المرئي وتحت الحمراء القريبة. حافة الامتصاص تزحف نحو الطاقات العالية التي تعزى الى تأثير بيرشتاين-موس وتقع في المدى (4 eV). ان فجوة الطاقة البصرية تزداد عند زيادة طاقة اشعاع الليزر.


Article
Study the effective of annealing on the structural and sensitivity properties for SnO2 thin films to CO2 Gas
دراسة تأثير التلدين على الخواص التركيبية والتحسسية لأغشيةSnO2 لغازCO2

Loading...
Loading...
Abstract

تم في هذا البحث تحضير أغشية رقيقة لشبه الموصل SnO2 بطريقة الرش الكيمياوي على قواعد زجاجية الحراري ذات درجة حرارة(723K) باستخدام محلول مائي لكلوريدات القصدير المائية وبتركيز(0.125M) بسمك (300nm) .أجريت عملية التلدين للأغشية المحضرة عند درجة حرارة(823K). تم دراسة الخواص التركيبية والتحسسية للأغشية المحضرة لغاز CO2 قبل و بعد التلدين بالاضافة الى ذلك درس تأثير التلدين على الحجم الحبيبي لتلك الأغشية.

In this research thin films from SnO2 semiconductor have been prepared by using chemical pyrolysis spray method from solution SnCl2.2H2O at 0.125M concentration on glass at substrate temperature (723K ).Annealing was preformed for prepared thin film at (823K) temperature. The structural and sensing properties of SnO2 thin films for CO2 gas was studied before and after annealing ,as well as we studied the effect temperature annealing on grain size for prepared thin films .

Keywords

thin film --- SnO2 --- CO2 gas sensor


Article
Study and Fabrication of High Efficiency Indium Doped SnO2/SiO2/ n– Si Solar Cells.
راسة وتصنيع خلية شمسية عالية الكفاءة نوع SnO2/SiO2/textured(n-Si

Authors: Dr. Khalid K. Mohammed د. خالد خليل محمد --- Ghassan H. Shakoory غسان حازم شكوري --- Ziyad J. Jerjees زياد جياد
Journal: AL Rafdain Engineering Journal مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2012 Volume: 20 Issue: 3 Pages: 35-43
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

AbstractIn this paper a new type of indium doped SnO2/SiO2/(textured) n-Si solar cell were prepared by vacuum evaporation source.. The SnO2 layer is simultaneously an antireflection coating and a transparent upper contract. The interfacial layer plays an important role in determining the short circuit current, open circuit voltage, fill factor and efficiency of the cell. In this paper, the effects of interfacial oxide layer thickness, SnO2 layer thickness, indium layer thickness were studied. The indium doped SnO2 layer reduces the cell series resistance and hence increase the cell output power, the performance parameters of the fabricated solar cell were as follows: an Voc of 0.646 V, Isc of 29.6 mA cm-2, a fill factor of 0.7 and a conversion efficiency of 13.38 at an AM 1.0 irradiance. Keywords: SnO2, Solar Cells, High Efficiency

ألخلاصةتم في هذا البحث تحضير الخلية الشمسية نوع SnO2/SiO2/textured(n-Si)- باستخدام طريقة التبخير الفراغي. تعتبر مادة الـ SnO2 كمادة مانعة للانعكاس وبنفس الوقت كطبقة نفاذة للضوء. تلعب مادة الاوكسيد العازلة SiO2 دور مهم في تعزيز قيمة تيار الدائرة القصيرة , فولتية الدائرة المفتوحة ,عامل الملئ وكفاءة الخلية الشمسية .كذلك تم في هذا البحث دراسة تأثير كل من سمك طبقة SnO2, SiO2 ومادة الانديوم. تم قياس خواص الخلية الشمسية المصنعة وكانت: فولتية الدائرة المفتوحة مساوية لـ 0.646 فولت ، تيار الدائرة القصيرة بحدود 29.6mA ,عامل المليء مساويا لـ 0.7 وكفاءة التحويل للخلية بحدود ٪13.38 عند ظروف إشعاع AM1.0.


Article
Optical Properties of Tin Oxide Nanostructure Thin Films Prepared by Simple and Classical Method
الخصائص البصریة لاوكسید القصدیر النانوي المحضر بالطریقة التقلیدیة والبسیطة

Author: Rana Osamah Mahdi
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 20 Pages: 3565-3572
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, preparation of transparent conductive SnO2 thin films byclassical-oxidation technique of thermal evaporated tin metal films, on glass substrateswas carried out. The optical properties showed high transmission at visible and NIRregions. The energy band gap was found to be (3.82eV). The structure propertiesshowed that the tin oxide peak appears at (2q =30.24) and (2ϴ=63.39°) . The atomicforce microscopy (AFM) results showed a nano-structured for the thin film withparticle size ranging (15-140)nm and its root mean square (RMS) value was found tobe (5.72 nm ).

ف ي ھ ذا البح ث ت م تحض یر غش اء اوكس ید القص دیر عل ى قواع د زجاجی ة بطریق ة الأكس دة التقلیدی ةلتبخیر الحراري لغشاء من معدن القصدیر, حیث أظھرت الخصائص البصریة نفاذیھ عالیة ف ي المنطق ة3.82 )، وض حت eV) المرئیة والمنطق ة القریب ة م ن تح ت الحم راء وق د ت م حس اب فج وة الطاق ة فكان ت2) و θ= الخص ائص التركیبی ة تك ون أوكس ید القص دیر عن د زاوی ة حی ود ب راك ( 30.24نت ائج تك ون تراكی ب نانوی ة للغش اء (AFM) 2)ووض حت نت ائج قی اس مجھ ر الق وة الذری ة θ=63.39°)ھ ي (RMS) 15-140 )ووج د ان قیم ھ مع دل الج ذر التربیع ي )nm الرقیق عم حجم جسیمات یت راوح.5.72nm


Article
The Effect of Annealing Temperature on Structural & Optical Properties of Nanocrystalline SnO2 Thin Films Prepared by Sol-Gel Technique

Authors: Selma M.H. AL-Jawad --- Abdulhussain K. Elttayf --- Amel S. Sabr
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2016 Volume: 34 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 490-498
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, studying the structural and optical Nano crystalline SnO2 thin films grown on cleaned glass substrates by using sol- gel (dip coating) technique. It is worthy to say that the thickness of the deposited film was of the order of (300-400)nm . The films are annealed in air at , 300◦C, 400◦C and 500◦C temperatures for 60 minutes. The films that are analyses by X-ray diffraction (XRD), Scanning electron microscopy (SEM) , atomic force microscopy and optical absorption spectroscopy technique. The size of crystalline was observed, as well as, so as to increase with increasing annealing temperature . XRD analysis reveals that the whole films are polycrystalline with tetragonal structure with preferred orientation of (110),(101),(200) and (211) . The increase of annealing temperature leads to raise the diffraction peaks and decrease of FWHM. The atomic force microscopy (AFM) and Scanning electron microscopy (SEM) results showed that the average grain size was increase with the increase in annealing temperature. Spectra of transmittance and absorbance was recorded at wavelengths range (300-1000)nm .The optical properties showed high transmission at visible regions. The optical band gap energy was found to be (3.5 , 3.75 , 3,87) eV at annealing temperature (300,400,500 )°C respectively.


Article
Structural and Optical Properties of In2O3 and Indium Tin Oxide Thin Films
الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية أوكسيد الأنديوم-أوكسيد القصدير الرقيقة

Authors: Iftikhar M. Ali افتخار محمود علي --- Maisam A. Al-Jenabi ميسم احمد الجنابي
Journal: Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة ISSN: ISSN: 19918941 Year: 2017 Volume: 11 Issue: 1 Pages: 39-46
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

The present paper discusses the structural and optical properties of In2O3 and ITO thin film growing on glass and silicon substrates by assistant microwave irradiation on seeded layer nucleated by spin coating technique. X-ray diffraction study shows that the films have cubic structure. Morphology analysis was studied by atomic force microscopy (AFM) and reveals that the grain size of the prepared thin film is approximately (62.56-76.66)nm , with a surface roughness of (0.447- 1.25) nm as well as root mean square of (0.532-1.44)nm for pure In2O3 and ITO films. Optical characteristics were studied and observed that the transmission value was more than 90 % at the visible wavelength range. The direct energy gap (Eg) was found to be between (3.7-2.6) eV, which decreased significantly with increasing Sn contents..

في هذا البحث تم مناقشة الخواص التركيبية والبصرية لأغشية In2O3 و ITO ، تم انماء هذه الاغشية على قواعد ترسيب من الزجاج والسليكون بواسطة استعمال اشعاع المايكروويف على طبقة البذرة بتقنية الطلاء البرمي. وعن طريق حيود الاشعة السينية بينت ان الاغشية تمتلك تركيب متعدد التبلور طور مكعبي. تم دراسة مورفولوجية السطح بواسطة مجهر القوة الذرية (AFM) حيث وجد ان الحجم الحبيبي للأغشية الرقيقة المحضرة In2O3 و ITO يساوي تقريبا nm(62.56 – 76.66) وخشونة السطح nm(0.447 – 1.25) ومتوسط الجذر التربيعي nm(0.532 – 1.44). تم دراسة الخصائص البصرية ولوحظ ان قيمة النفاذية اكثر من 90% في مدى الطول الموجي المرئي. ان فجوة الطاقة المباشرة (Eg) كانت قيمتها بين eV(3.7 – 2.6) والتي انخفضت بشكل ملحوظ عند زيادة نسب القصدير .

Keywords

In2O3 --- SnO2 --- ITO --- spin coating --- seed layer.


Article
Effect of Fluorine Concentration on Structural, Electrical and Optical Properties of SnO2:F Thin Films Orepared by Spray Pyrolysis Technique

Authors: Mushtak Abdulmohsin Jabber --- Muhsin Attia Kudhier
Journal: journal of the college of basic education مجلة كلية التربية الاساسية ISSN: 18157467(print) 27068536(online) Year: 2017 Volume: 23 Issue: 98/علمي Pages: 11-22
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

Fluorine doped tin oxide, SnO2: F (FTO) thin films deposited on glass substrates at 405±2˚C have been prepared using Spray Pyrolysis Technique. Structural, electrical and optical properties of FTO thin films under different doping concentration (5, 15, 20, 25 and 30) wt% are investigated using XRD patterns, Hall effect measurement and UV–Vis spectrophotometry. X-ray diffraction studies of FTO films indicate that all films are polycrystalline with tetragonal structure. The lattice constants a and c vary from (4.7269 to 4.7557)Å and (3.2548 to3.2103) Å respectively. While the crystallite size D varies from 8.07 to 7.85 nm. Electrical measurements showed that all the films are of n-type conductivity. Carriers mobility (μ), concentration of carrier (n) and resistivity (ρ) reached 6.05 cm2/Vs, 5.62x1019cm-3 and 8.79x10-2 Ω cm, respectively. The energy gap decrease from 3.9 to 3.78 eV with increase fluorine concentration from (5-30) wt% respectively. FTO films can be used as conducting layers(Electrodes) in photovoltaic devices.

Keywords

SnO2:F --- spray pyrolysis --- thin films


Article
Fabrication and Study Nanostructure Deposited Thin Films Heterojunction Solar Cell
تصنیع ودراسة خلیة شمسیة ھجینة بترسیب اغشیة رقیقة ذات تراكیب نانویة

Authors: Khaled Z.Yahya --- Muhanad Adel Ahmed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 1 Pages: 43-50
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present paper, nanostructure tin oxide (SnO2) thin films on Si P-typesubstrates heterojunction solar cell has been made by using a pulsed 532 nm Nd:YAGlaser. Deposition of films is achieved at 400 °C substrate temperatures. The X-raydiffraction (XRD) results show that the deposited films are crystalline with tetragonalrutile SnO2 structure. The morphology of deposited films were characterized byscanning electron microscope (SEM) and atomic force microscope (AFM), the grainsize value (30–50) nm and rms roughness values are (2.8 nm) for thin filmsdeposited at 400ºC. Photoluminescence PL spectrum showed good light emission inthe visible field. The photovoltaic characteristics included short circuit current (Jsc),open circuit voltage (Voc), where the maximum (Jsc) and (Voc)obtained at AM1were 14.3 (mA cm-2) and 630(mV), respectively. The fill factor (FF) was (0.68). Thefabricated cell exhibits good performance with 7 % conversion efficiency.

في هذا البحث , تم ترسيب اغشية نانوية لأوكسيد القصدير وترسيبها على قواعد من السليكونالاحادي البلورة من النوع القابل لتصنيع خلايا شمسية هجينة باستخدام ليزر النيودميوم-ياك النبضيذو الطول الموجي 532 نانو متر.تم ترسيب الاغشية عند درجة حرارة قاعدة 400 درجة مئوي.اذ أظهرت النتائج تكون طور الروتيل (XRD) حدد التركيب البلوري باستخدام حيود الأشعة السينيةالرباعي لأغشية اوكسيد القصدير البلورية. حددت خصائص طبوغرافية السطح من خلال قياس(30– المجهر الالكتروني الماسح و مجهر القوى الذرية , حيث تراوحت قيمة الحجم الحبيبي ( 50( نانو متر وقيمة خشونة السطح ( 2.8 )نانومتر للأغشية المحضرة بدرجة حرارة قاعدة ( 400مئوي.اظهر طيف الانبعاثية الضوئية انبعاثا" جيدا" في المنطقة المرئية. درست الخواص الفولطائية(FF) بالاضافة لعامل الملئ (Voc) وفولتية الدائرة المفتوحة (Jsc) المتمثلة بتيار الدائرة القصيرة630(mV), 14.3 و (mA cm- هي ( 2 AM لحالة 1 (Voc) و (Jsc) ووجد ان اعظم قيمة لكل منعلى التوالي وان قيمة عامل الملئ هي ( 0.68 ) .الخلية المصنعة اظهرت قيمة كفاءة جيدة بلغت.7

Listing 1 - 10 of 38 << page
of 4
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (38)


Language

English (33)

Arabic (5)


Year
From To Submit

2019 (2)

2018 (4)

2017 (4)

2016 (6)

2015 (3)

More...