research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
Modeling and Analysis of Homojunction Silicon Solar Cell
نمذجة وتحليل خلية شمسية سليكونية أحادية المفرق

Author: Ghada G. Younise غادة غانم يونس
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2011 Volume: 22 Issue: 1E Pages: 72-79
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

The analysis of solar cell performance in terms of material and microscopic device parameters is the key to understanding device performance and efficiency. The purpose of this paper is to study and analysis the (n+ p) homojunction silicon solar cell, and study for regions of solar cell which the base, depletion and emitter region after determent the parameters such a sample. And finding the quantum efficiency for this cell, and studying the effect of the recombination velocity of minority carriers and different diffusion lengths on the performance of the solar cell.

تحليل أداء الخلية الشمسية بدلالة المتغيرات المادية والمايكروسكوبية هو المفتاح لفهم أداء النبيطة وكفاءتها. لذا تناول هذا البحث عمل نموذج تحليلي لخلية شمسية سليكونية أحادية المفرق من نوع ((n+p، ودراسة أجزاء الخلية وهي منطقة القاعدة، الاستنزاف والباعث بعد تحديد مواصفاتها كنموذج. وإيجاد الكفاءة الكمية، ودراسة تأثير سرعة إعادة اتحاد حاملات الأقلية وتأثير أطوال انتشار مختلفة على أداء الخلية الشمسية .


Article
Optical Response Chracterization of In2O3/c-Si Made by Spray Pyrolysis

Authors: O.A.A. Sultan --- R.A. Ismail
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2005 Volume: 1 Issue: 1 Pages: 11-14
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In2O3 thin films have been deposited on silicon substrate by chemical spray pyrolysis. These films show high transparency in the visible and near-IR regions. Photoresponse of In2O3/c-Si isotype hetero-photodiode without post-deposition heat treatment has been investigated in the visible and infrared regions. Peak response situated at 600nm was observed. External quantum efficiency was 32% at peak response. C-V measurements revealed that the junction was abrupt type and built-in potential around 1eV has been obtained.


Article
Porous silicon prepared by photo electrochemical etching assisted by laser
تحضير السليكون المسامي بالتنميش الكهروكيمياوي بمساعدة الليزر

Authors: Falah A-H Mutlak فلاح عبد الحسن مطلك --- Ahmed B. Taha احمد باسم طه
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 32 Pages: 122-129
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon (PS) layers are prepared by anodization for different etching current densities. The samples are then characterized the nanocrystalline porous silicon layer by X-Ray Diffraction (XRD), Atomic Force Microscopy (AFM), Fourier Transform Infrared (FTIR). PS layers were formed on n-type Si wafer. Anodized electrically with a 20, 30, 40, 50 and 60 mA/cm2 current density for fixed 10 min etching times. XRD confirms the formation of porous silicon, the crystal size is reduced toward nanometric scale of the face centered cubic structure, and peak becomes a broader with increasing the current density. The AFM investigation shows the sponge like structure of PS at the lower current density porous begin to form on the crystalline silicon, when the current density increases, pores with maximum diameter are formed as observed all over the surface. FTIR spectroscopy shows a high density of silicon bonds, it is very sensitive to the surrounding ambient air, and it is possible to oxidation spontaneously.

في ھﺬا اﻟﺒﺤﺚ تم تحضير طبقات السيليكون المسامي التركيب بطريقة التنميش بالليزر لكثافات تيار مختلفة، ﺷﺨﺼﺖ ﺧﺼﺎﺋﺺ العينات المحضرة ﺑﻮاﺳﻄﺔ ﻓﺤﺺ ﺣﯿﻮد اﻷﺷﻌﺔ اﻟﺴﯿﻨﯿﺔ، ﻣﺠﮭﺮ اﻟﻘﻮة اﻟﺬرﯾﺔ، ﺗﺤﻮﯾﻞ ﻓﻮرﯾﺮ للأﺷﻌﺔ ﺗﺤﺖ اﻟﺤﻤﺮاء حيث ان طبقات السيليكون المسامي تتكون على السطح حيث يتم تأينها بتيارات مختلفة (20, 30, 40, 50, 60 mA/cm2) لزمن تنميش .10 min من خلال فحص حيود الاشعة السينية يؤكد تكوين السيليكون المسامي وان الحجم البلوري يقل باتجاه الاحجام النانوية، ولوحظ ان القمة تزداد في العرض بزيادة تيار التنميش. من خلال مجهر القوة الذرية تبين ان عند التيارات الواطئة تبدأ طبقات السيليكون المسامي بالتكون وعند زيادة تيار التنميش سنحصل على اعرض قطر مسامي على السطح. من خلال تحويل فورير للأشعة تحت الحمراء تبين وجود أواصر كثيفة خاصة بالسيليكون حيث ان هذه الاواصر تكون قابلة للتأثر بالبيئة والهواء المحيط ويمكن ان تتأكسد باستمرار.

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (3)


Year
From To Submit

2017 (1)

2011 (1)

2005 (1)