research centers


Search results: Found 7

Listing 1 - 7 of 7
Sort by

Article
THE INFLUENCE OF HEATING TREATMENT ON PHYSICALPROPERTIES OF POROUS SILICON

Authors: Narges Z.Abd alzahra --- Alwan M.Alwan
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2009 Volume: 12 Issue: 2 Pages: 76-81
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this work we studying the effect of thermal treatment on the electrical and conduction properties of metal /porous silica /n-si /metal prepared by photo electro chemical etching for etching time (15 min. Oxidation occur in oxidation time (15-150)sec at 750Ċ.After investigated current–voltage (J-V)measurement we found increase in rectification ratio ,barrier height increase with oxidation time, the rectification ration was 5 before oxidation will be 21 after 30 s oxidation time, barrier height value was (0.756eV) will be( 0.85eV) at oxidation time 30 s ,the ideality factor after oxidation was 15 will be 2.75 at 30 sec of oxidation time mean that the device approach from the ideality characteristics.

في هذا البحث تم دراسة تأثير المعالجة الحرارية السريعة على الخصائص الكهربائية وميكانيكية التوصيل للسليكون المسامي المحضر بطريقة تشعيع الليزر أثناء عملية القشط الكهروكيميائي بزمن ( 15 دقيقة ) عملية الأكسدة جرت بزمن ( 15-150 ثانية ) عند درجة حرارة (Ċ750) من خلال دراسة الخصائص الكهربائية أن نسبة التقويم و حاجز الجهد تزداد بزيادة زمن الأكسدة الحرارية الأكسدة الحرارية . قيمة حاجز الجهد كانت eV) 0.756 ( أصبحت eV) 0.85 (عند زمن أكسدة 30 ثانية,عامل المثالية وجد انه قبل عملية الأكسدة 15اصبحت قيمته 2.75 عند زمن الأكسدة 30 ثانية مما يعني اقتراب الجهاز من الخصائص المثالية.


Article
Photo Electro Chemical performance evaluation of some natural dyes used in solar cells, DFT study and TD-DFT
تقدير الكفاءة الكهروكيموضوئية لبعض الصبغات الطبيعية في استخدامات الخلايا الشمسية دراسة نظرية باستخدام طريقة DFT and TD-DFT

Authors: Amir F. Dawood AL-Niaimi عامر فاضل النعيمي --- Salah A. Jassim Humadi صلاح الدين جاسم حمادي --- Naba B. Ali نبا برهان علي
Journal: Diyala Journal For Pure Science مجلة ديالى للعلوم الصرفة ISSN: 83732222 25189255 Year: 2017 Volume: 13 Issue: 3 - part 2 Pages: 240-248
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

Several natural dyes belonging to anthocyanin goups have been studied to evaluate their potential use in the dye sensitized solar cells (DSSCs). DFT/B3LYP 3-21G, DFT/B3LYP/ 6-31G, DFT/B3LYP/ 6-311G and TD-DFT as computational methods were used to calculate some parameters such as Egap, Voc and global electrophilicity using TiO2 as conduction band. Comparison between the three methods were done using statistical analysis to investigate the dye which is more efficient due to their photoelectrochemical performance, especially those of the Voc and global electrophilicity properties. The obtained results showed that the delphinidin pigment been the best one between the twenty five dyes used in this study.

تم دراسة مجموعة من الصبغات الطبيعية العائدة الى فصيلة anthocyanin لتقييم كفاءتهافي استخدامات خلايا الطاقة الشمسية وذلك باستخدام الطرق الحسابية التالية DFT/B3LYP 3-21G, DFT/B3LYP/ 6-31G, DFT/B3LYP/ 6-311G and TD-DFTتم اعتماد مجموعة من المتغيرات لتقدير فعالية هذه الصبغات وخصوصا فرق الطاقة بين الهومو واللومو ((Egap و ال Voc و global electrophilicity. تم اجراء المقارنة بين الطرق الحسابية المتاحة باستخدام المعاملات الاحصائية لتحديد معامل التكرارية نتيجة للتباين بين مخرجات ونتائج تلك الحسابات لغرض الحصول على افضل الصبغات وفق المتغيرات التي تم اعتمادها وتبين ان صبغ ال delphinidin هي الافضل بين مجموعة الصبغات التي تم دراستها


Article
Effect of HF Concentration on the PS Structures Prepared by Photoelectrochemical Etching
تاثير تركيز حامض الهيدروفلوريد على طبقة السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي الضوئي

Authors: Yasmeen Z. Dawood --- Bassam G. Rasheed --- Ali H. AL-Hamdani
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 11 Pages: 2143-2150
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon was fabricated at p-n junction wafer byphotoelectrochemical (PEC) etching. Silicon wafer with various electrolytecontaining different HF concentrations was used to explain PS formation by thereaction at the Si/ electrolyte interface. An investigation of the dependence on HFconcentration to formed PS layer was made. The surface morphology of PS layerwas study as a function of HF concentration. Pillar like structures are formed atlow HF concentration and pores structures are obtained a at higher HFconcentration (40%). The etching rate increases with increasing HF concentrationcausing faster silicon dissolution. Thus the total pillar volume would increase byincreasing the HF concentration.

تم انتاج طبقة من السلیكون المسامي بطریقة التنمیش الكھروكیمیائي الضوئي باستخدامقواعد سلیكونیة ثنائي الوصلة. ودراسة تاثیر تركیز حامض الھیدروفلورید على تكوین طبقةالسلیكون المسامي من خلال التفاعل الحاصل بین الحامض وسطح السلیكون. نلاحظ ان التركیب السطحي لطبقة السلیكون المساميدالة لتركیز الحامض المستخدم. طبیعة السطح ذات تركیب اشبھ بالاعمدة عند التراكیز القلیلة بینماعند استخدام تراكیز عالیة (% 40 ) یكون التركیب السطحي على شكل حفر. كما تم ملاحظة زیادةفي معدل التنمیش بزیادة تركیز الحامض نتیجة لزیادة في عملیة التفاعل والذي سیاثر على عددالاعمدة (التركیب السطحي) والذي یزداد بزیادة تركیز الحامض.


Article
The Photoluminescence Characteristics of Partially and Fully (P-N) Porous Silicon
خصائص التلؤلؤ الضوئي لطبقة (p-n) السيليكون المسامي جزئياً وكامل الاختراق.

Authors: Alwan M. Alwan --- Muna. S. M. Jawad
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 391-399
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, we present results of photoluminescence (PL) properties of fully (p-n) porous silicon device. Porous silicon layer has been prepared by Photo-electrochemical etching under different etching time of abrupt (p-n) silicon junction. The photoluminescence spectra, it is found that the formation of fully penetrate porous silicon layer can lead to decrease in the photoluminescence intensity. The reduction of the PL intensity is referred to the increase of non- radiative recombination process between the electron and hole. The obtained fully porous silicon layer in high etching time regime and this layer cannot be used for perpetration of light emitting devices, while the partially (p-n) porous silicon layer in the PL intensity has a higher value and good characteristics, this layer is suitable for (LED).

في هذا البحث تم دراسة خصائص التلؤلؤ الضوئي لطبقة سيليكون جزئية وكاملة المسامية. تم تحضير طبقة السيليكون المسامي باستخدام مفرق ((p-n بطريقة التنميش الكهروكيميائي-الضوئي (PEC) باستخدام ازمنة تنميش مختلفة لمفرق ((p-n سيليكوني حاد. اظهرت نتائج اطياف التلؤلؤ الضوئي تكون طبقة سيليكون مسامي كاملة الاختراق للمفرق (p-n) وهذا ادى الى انخفاض شدة التلؤلؤ الضوئي. الانخفاض في شدة التلؤلؤ الضوئي يشير الى زيادة عمليات اعادة الاتحاد الغير اشعاعي بين الالكترون-الفجوة. وان طبقة السيليكون المسامي كاملة الاختراق تتكون عند ازمان التنميش العالية وفي هذه الحالة لاتصلح لتحضير النبائط الباعثة للضوء، اما طبقة السيليكون المسامي (p-n) الجزئية الاختراق المتولدة لازمنة تنميش صغيرة للمفرق تعطي شدة PL عالية ولذلك تكون ملائمة لصنع الثنائي الباعث للضوء.


Article
Fabrication and Investigation of Nanostructured Monolayer Porous Silicon (PSi) Based for Silicon Solar Cell Applications
التحقق من الخصائص الكهروضوئية للسلكون المسامي

Authors: Saad A. Mohammed Salih سعد عبد العزيز محمد --- Mayameen S. kadhim ميامين سلمان كاظم
Journal: AL-NAHRAIN JOURNAL FOR ENGINEERING SCIENCES مجلة النهرين للعلوم الهندسية ISSN: 25219154 / eISSN 25219162 Year: 2015 Volume: 18 Issue: 2 Pages: 309-314
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Fabrication of PSi is generated successfully depending upon photo-electrochemical etching process. The purpose is to differentiate the characterization of the PSi monolayer based on c-silicon solar cell compared to the bulk silicon alone. The surface of ordinary p-n solar cell has been reconstructed on the n-type region of (100) orientation in order to enhance the conversion efficiency. The process relied on varying the etching time with fixed current density. The other process conditions were kept constant, for instance, HF concentration, current density, temperature,etc. The role of different laser types and powers illuminated the n-region has been realized. In particular, the blue laser (473nm of two powers 50 and 100mW) appears to be the most operative wavelength to obtain the optimum efficiency and pore sizes as well as the etching rate. The samples were tested and characterized by the (I-V).Measurement and analyzed by SEM, PL and AFM tests. The obtained solar cell efficiency was in the range of 11% compared to the typical solar cell efficiency which was (3.34%).

هدف هذه الدراسة تحضير طبقة السلكون المسامي على الوجه (n) من مفرق (p-n) المكون للخلية الشمسية الذي تكون الاضاءة من متطلبات التفاعل عنده ثم التحقق من امواصفات الجديدة للخلية الشمسية بعدة وسائل مختلفة مثل : SEM و PL و AFM. استعمل في التحضير خليط من حامض الهيدروفلوريك والايثانول اضافة الى الماء بنسبة (2:3:3) وضوء الليزر باطوال موجية و قدرات مختلفة في خلية مصنعة محليا من التفلون فيما يسمى طريقة التنميش الضوئي- الكهروكيميائي وضع السلكون فيها كقطب الانود اما الكاثود فكان من البلاتينيوم. هنالك عوامل متعددة تؤثر في هذا التفاعل اخترنا اهمها وهو زمن التنميش (10,15,20,25 ) دقيقة في حين ثبتنا بقية الاعلومات. برز الليزر الازرق (nm473) كافضل انواع الليزرات المستعملة التي اعطت افضل النتائج العملية من ناحية الكفاءة و سعة الفجوات ومعدل التنميش. كانت النتائج مشجعة اذ كانت كفاءة الخلية الشمسية الجديدة اكثر من (%11) مقارنة بالخلية السلكونية الاصلية التي كانت 3.34%)).


Article
Morphological and Optical Properties of Porous Silicon

Authors: Mohammed S. Mohammed --- Ruqaya A. Shlaga
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2019 Volume: 37 Issue: 1part (B) Science Pages: 17-20
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract- In this work photo-electrochemical etching was used tosynthesize uniform and non-uniform macro porous silicon from n-typewith orientation (100). Specimens were anodized in a sol of 25% HF:C2H2OH at 1:1 rate. Morphology and porosity of the samples werestudied. Optical characteristics (reflection and photoluminescence) ofPS samples by changing current density (10, 12, 14 and 16 mA/cm2) forfixed etching time (8min) and power density (17mW/cm2) by using redlaser illumination wavelength (645nm) were investigated. Porous siliconsamples imaged via scanning electron microscope (SEM), which showedthe topography of silicon surface and pores distribution.


Article
An Investigation of Electrical Properties of (p-n) Porous Silicon Layer
التحقق عن الخصائص الكهربائية لـ (p-n) من طبقة السليكون المسامي

Authors: Muna Salih Mohammed Jawad --- Alwan. M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 7 Part (B) Scientific Pages: 867-878
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, we studied the electrical properties of (p-n) porous silicon layer under different etching time. The (p-n) porous silicon layer prepared by photo-electrochemical etching process. The dark I-V characteristics; give us rectification ratio with wide range as a function to etching time. A high value for the rectification behavior is related for etched samples at low etching time. While the increasing of etching time to high value show a non rectification behavior in (p-n) porous samples. The values of the photo-current for (p-n) porous sample at low etching time has very small value compared with the other (p-n) porous silicon samples at high etching time and this behavior in PSi layer in high etching time cannot be employed light emitting diode applications. While the layer prepared at low etching time is well suitable for light emitting device.

في هذا البحث قمنا بدراسة الخصائص الكهربائية لـطبقة السيليكون المسامي نوع (p-n) المحضر من طبقة السليكون المسامي بازمان تنميش مختلفة وبطريقة التنميش الكهروكيميائي-الضوئي (PEC). و من خلال منحنيات تيار- جهد بالظلام اعطى قيم تقويم عالية تمتلك قيم واسعة كدالة لزمن التنميش وخصوصاً عند ازمان تنميش قليلة. عند زيادة زمن التنميش لحد كبير ادى الى ظهور السلوك اللا تقويمي في عينات (p-n). ان قيم التيار- الضوئي عند ازمنة التنميش القليلة اعطى قيمة صغيرة جدا مقارنة مع القيم الاخرى عند زيادة زمن التنميش. لذا فان استخدام ازمنة تنميش عالية تولد لنا عينات (p-n) لاتصلح لعمل الثنائيات الباعثة لضوء على العكس مع ازمنة التنميش القليلة التي تصلح لانتاج الثنائيات الباعثة للضوء.

Listing 1 - 7 of 7
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (7)


Language

English (7)


Year
From To Submit

2019 (1)

2017 (1)

2015 (1)

2013 (2)

2010 (1)

More...