research centers


Search results: Found 9

Listing 1 - 9 of 9
Sort by

Article
Electrical and Photovoltaic Properties of In-pSi Contact

Author: Khalid Z. Yahya
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 1 Pages: 49-55
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, the electrical and photovoltaic properties of In-pSicontact were investigated for the first time. Two creditable methods were usedto determine the value of barrier height for this contact. Experimental resultsshows a reasonable agreement with the simple Schottcky-Mott theory. Thecontact shows good response to white light when it works under biascondition. Peak response of 0.22 A/W at 850 nm wavelength was registered.

ولأول In-pSi في هذا البحث، جرى دراسة الخصائص الكهربائية والفولطائية الضوئية لاتصالمرة على حد علمن ا. استُخدمت ط ريقتان موثوقتان لإيجاد قيمة حاجز الجهد لهذا الاتصال، إذأظهرت النتائج اتفاقا مقبولا لقيمة ارتفاع الحاجز مع نظرية شوتكي - موت البسيطة . أظهرالاتصال استجابة جيدة للضوء الأبيض مما يؤهله للعمل كدايود ضوئي في مدى الأشعة المرئية..850 nm 0.22 عند الطول الموجي A/W تم الحصول على استجابية طيفية بمقدار


Article
Fabrication based porous silicon photo-detector and improving its spectral responsivity by depositing IZO thin films
صناعة كاشف ضوئي بالاعتماد على السليكون المسامي وتحسين استجابته الطيفية بترسيب اغشية اوكسيد الخارصين الرقيقه المشوبه بالانديوم

Author: Wisam J. Aziz and Abbas K. Jarhallah
Journal: journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء ISSN: 18130410 Year: 2014 Volume: 12 Issue: 4 Pages: 166-172
Publisher: Kerbala University جامعة كربلاء

Loading...
Loading...
Abstract

In this work porous silicon was prepared by electrochemical etching, then IZO thin films were deposited on porous silicon. SEM pictures showed different morphology for all from porous silicon and IZO films deposited on porous silicon. The pores diameter ranges from (0.5-1 μ m). AFM pictures showed the smoothness increased with depositing IZO films. The average roughness is (34.12 nm), (23.4 nm) and the root mean square is approximately (41.88 nm), (28 nm) for porous silicon and IZO film deposited on porous silicon respectively. The results showed increasing of the spectral responsivity with depositing IZO film. Spectral responsivity for photo detractor is about (0.69 A / Watt) then it improved by depositing IZO films and becomes (0.84 A / Watt).

في هذا العمل تم تحضير السيليكون المسامي بالتنميش الكهروكيميائي، ثم تم ترسيب اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بالأنديوم على السيليكون المسامي. صور المجهر الالكتروني الماسح لكل من السيليكون المسامي و اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بالأنديوم المترسبة على السيليكون المسامي تظهر اختلاف في طبيعة السطح، تتراوح اقطار المسامات (0.5-1) مايكرو متر. بينت صور مجهر القوة الذرية زيادة النعومة مع ترسيب اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بلانديوم. متوسط الخشونة (34.12نانو متر),(23.4نانومتر) ومتوسط الجذر التربيعي تقريبا (41.88نانو متر)، (28نانو متر) للسيليكون المسامي و اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بلانديوم المترسبة على السيليكون المسامي على التوالي. بينت النتائج ازدياد الاستجابة الطيفية مع ترسيب اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بلانديوم. الاستجابة الطيفية للكاشف الضوئي (0.69 امبيرواط) ثم تحسنت بترسيب اغشية اوكسيد الخارصين المشوبة بلانديوم واصبحت (0.84امبير واط).


Article
Responsivity of porous silicon for blue visible light with high sensitivity
التحسسية العالية لاستجابة السليكون المسامي للضوء الازرق المرئي

Authors: Massar A. Kaood مسار عبد كعود --- Iftikhar M. Ali افتخار محمود علي
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2018 Volume: 16 Issue: 37 Pages: 98-107
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, porous silicon (PS) are fabricated using electrochemical etching (ECE) process for p-type crystalline silicon (c-Si) wafers of (100) orientation. The structural, morphological and electrical properties of PS synthesized at etching current density of (10, 20, 30) mA/cm2 at constant etching time 10 min are studied. From X-ray diffraction (XRD) measurement, the value of FWHM is in general decreases with increasing current density for p-type porous silicon (p-PS). Atomic force microscope (AFM) showed that for p-PS the average pore diameter decreases at 20 mA. Porous silicon which formed on silicon will be a junction so I-V characteristics have been studied in the dark to calculate ideality factor (n), and saturation current (Is) for these junctions. These junctions are used in photo sensors applications, where the photo sensors have been examined at blue light region. Sensitivity, rise and fall times have been calculated for this wavelength, the maximum value for sensitivity is (3797.6 %) at etching current density 10 mA/cm2 under blue light illumination at zero bias voltage.

في هذا البحث تم تصنيع كواشف السيليكون المسامي على القواعد السيليكونية من النوع p ذوات الاتجاهية (100) باستخدام عملية التنميش الكهروكيميائية (ECE) باختلاف كثافة التيار وثبوت زمن التنميش. درست الخصائص التركيبية والكهربائية لمدى من كثافة التيار (10 ،20، 40) mA/cm2 وزمن التنميش .(10min) تم تأكيد التركيب النانوي لطبقة السيليكون المسامي من خلال قياسات حيود الاشعة السينية XRD حيث اظهرت النتائج ان قيمة FWHM بشكل عام تقل بزياده كثافة تيار التنميش. اظهرت دراسة طبقه السيليكون المسامي للنوع P بواسطه مجهر القوه الذريه ان حجم المسام يقل عند كثافه التيار .20 mA/cm2 درست قياسات التيار- الفولتيه لطبقة السيليكون المسامي للنوع (p) في حالة الظلام لحساب عامل المثالية (n) وتيار الاشباع (Is) لهذه المفارق. وتستخدم هذه المفارق في تطبيقات اجهزة الاستشعار الضوئية، حيث تم فحص اجهزة الاستشعار الضوئية في460 nm الضوء الازرق. وقد تم حساب التحسسية، وكذلك صعود ونزول الزمن لهذا الطول الموجي واعلى تحسسية تكون (3797.6 %) عند كثافة التيار 10 mA/cm2 للمنطقة الزرقاء من الطيف بدون تسليط اي جهد انحياز.


Article
Bolometer Detector Modeling and its Performance Indexes
نمذجة كاشف البولومیتر ومؤشرات اداءه

Author: Mehdi Munshid Shellal
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 17 Pages: 2966-2986
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Bolometer detector is one of thermal detectors. In this research the essentialconcepts and parameters are included which cover the main types of bolometerdetectors. But the actual values of parameters used here in simulation are adoptedfrom [7] for semiconductor bolometer. This detector operates for all opticalwavelengths of different sources. From analysis and results obtained, it is shownthat minimum and maximum values of specific Detectivity D* for cryogenictemperatures from 0.5 K to 10 K are 0.25~10 / and 5 ~10 / , respectively and the values between them when the incidentradiation frequency is 100 Hz.. It is seen that for frequency greater than 1Hz, thespecific Detectivity increases rapidly which means that the bolometer detector willrespond for high frequencies in a manner more speed than that of low frequencies.It is found that as the value of ƒÑth is increased, the temperature change in detectorsensor is decreased. That is decreasing ƒÑth enhance the performance of bolometerdetector. It is found that the responsivity of this detector follow its output voltagewhich in turn follow the bolometer temperature change.

ان كاشف البولومیتر ھو أحد انواع الكواش ف الحرارب ة. ف ي ھ ذا البح ث ت م تض مین المف اھیموالمعلمات الاساسیة التي تغطي الأنواع المختلفة للكواشف البولومیتریة. ولكن المتغیرات الفعلیةوالتي تم استخدامھا ھنا في المحاكاة ھي مقتبسة من المصدررقم 7 للبولومیتر شبھ الموصل. یعملھذا الكاشف على جمیع الأطوال الموجیة البصریة ذات المصادر المختلفة. وتبین من النتائج التي تمللدرجات الحراریة المنخفضة 0.5 كلفن و 10 كلفن ھي D* الحصول علیھا ان قیم الكشفیة النوعیة5 عل ى الت والي والق یم الواقع ة × 0.25 و / 10 ×10 /بینھماعندما یكون تردد الأشعاع الساقط ھو 100 ھرتز . ولقد تبین أن الكش فیة النوعی ة ت زداد عل ىنح و س ریع لت رددات الأش عاع الس اقط الت ي تزی د ع ن 1 ھیرت ز والت ي تعن ي أن اس تجابة كاش فالبولومیتر س تزداد بزی ادة ت ردد الأش عاع الس اقط. وتب ین أن ھ بزی ادة قیم ة الثاب ت الزمن ي الح راريللكاشف فأن التغیر الحاصل في درج ة ح رارة متحس س الكاش ف س وف تق ل. وھ ذا یعن ي ان تقلی لالثابت الزمني الحراري سیحسن من أداء كاشف البولومیتر. لقد وجد أن استجابیة ھذا الكاشف تتبعفولتیة خرجھ التي بدورھا تتبع التغیر الحاصل في درجة حرارة البولومیتر


Article
Responsivity, Rise Time for Bi2O3 /Si Photo Detector
الاستجابية وزمن النهوض لكاشف ضوئي Bi2O3/Si

Authors: Evan Tariq Al Waisy --- Marwa S. Al Wazny
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 1 Part (B) Scientific Pages: 33-38
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, three different active layer thicknesses of Bi2O3 filmswas employ for fabricated n-Bi2O3/p-Si heterojunction detector, using reactive pulse laser deposition technique as preparation method, detector parameter was carried out,responsivity, detectivity quantum efficiency and rise time in order to investigated the performance of the fabricated devise

في هذا البحث, تم تحضير ثلاث اغشية باسماك مختلفة من اوكسيد البزموث والتي استخدمت لاحقا في تصنيع كاشف من نوع مفرق هجين ذو تركيب n-Bi2O3/p-Si, باستخدام تقنية الاقتلاع بالليزر النبضي الفعالة كوسيلة ترسيب تم دراسة معلمات الكاشف كلاستجابية, الكشفية, الكفاءة الكمية وزمن الاستجابة لكي يتم التحقق من اداء الكاشف المصنع.


Article
Porous Silicon effect on the performance of CdS nanoparticles photodetector
تأثير تنميش السليكون على اداء كاشف الجسيمات النانويه كبريتيد الكادميوم

Authors: Mymana W. Eesa ميمنه وليد عيسى --- Manal M. Abdullah منال مدحت عبدالله
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2016 Volume: 14 Issue: 31 Pages: 129-137
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium sulfide photodetector was fabricated. The CdSnano powder has been prepared by a chemical method and deposited as a thin film on both silicon and porous p- type silicon substrates by spin coating technique. Structural, morphological, optical and electrical properties of the prepared CdSnano powder are studied. The X-ray analysis shows that the obtained powder is CdS with predominantly hexagonal phase. The Hall measurements show that the nano powder is n-type with carrier concentration of about (-5.4×1010) cm-3. The response time of fabricated detector was measured by illuminating the sample with visible radiation and its value was 5.25 msec. The specific detectivity of the fabricated detector is found to be (9×1011 W-1 .Hz1/2.Cm- 1). The responsivity was (0.03A/W).

تم تصنيع كاشف ضوئي من كبريتيد الكادميوم بالحجم النانوي. حضر المسحوق بطريقه كيميائية ثم رسب كغشاء رقيق على قواعد السليكون والسليكون المسامي بواسطة تقنية الترسيب بالتدوير. درست الخصائص التركيبية والسطحية والبصرية والكهربائية لكبريتيد الكادميوم النانوي. تحليل الاشعة السينية بين أن مسحوق كبريتيد الكادميوم النانوي المحضر ذو تركيب سداسي ومن قياسات هول وجد ان المسحوق النانوي من النوع المانح وبتركيز حاملات شحنة حوالي 4.5-×1010سم-3. تم قياس زمن استجابة الكاشف المصنع بعد اضائتة بالاشعة المرئية فكانت قيمته 2,5 ملي ثانية. وجد ان تحسس الكاشف هو 9×1011 واط-1.هرتز1/2.سم-1.واستجابيتة 0.03 أمبير.واط-1.


Article
Study of Optoelectronic Properties CdS-Si Heterojunction Prepared by Chemical Bath Deposition Method
دراسة الخصائص الكهروبصرية لمفرق هجيني نوع CdS-Si محضر بطريقة ترسيب بالحمام الكيميائي

Author: Hani H. Ahmed هاني هادي احمد
Journal: Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة ISSN: ISSN: 19918941 Year: 2012 Volume: 6 Issue: 3 Pages: 79-84
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

CdS-Si heterojunction detector has been prepared by chemical bath deposition method . Structure properties of these films was characterized by X-ray diffraction .CdS films deposited have polycrystalline structure cubic(zinc blende) and hexagonal. The average grain size is 45 nm .The optical properties of the CdS films have highly transmittance in visible region of spectrum and reach to more than 80 % with a wide band gap of 2.44 eV .Electrical properties of CdS-Si heterojunction have been investigated. The I-V characteristics under dark condition depict that good rectification behavior and exponential relationship for forward current biasing. The C-V measurements have shown that the heterojunction were of abrupt type and the build-in potential equal to 1.75V. The optoelectronic characteristics shows that CdS-Si detector has good spectral responsivity in the visible and the near infrared and show high sensitivity, in comparison with the conventional p-n silicon detectors.

تم تحضير كاشف المفرق الهجين نوع CdS-Si بطريقة ترسيب الحمام الكيميائي . والخصائص التركيبة لهذه الأغشية شخصت باستخدام تقنية حيود الأشعة السينية(XRD) .وجد ان أغشية CdS تمتلك تركيبا" بلوريا" مكعبا"(خارصين) وسداسيا" .معدل الحجم الحبيبي 45nm. والخصائص البصرية بينت إن غشاء CdS المرسب يمتلك نفاذية عالية في المنطقة المرئية من الطيف وتصل إلى أكثر من 80% مع فجوة طاقة عريضة 2.44 eV .وتم أيضا" تحليل الخصائص الكهربائية للمفرق الهجين CdS-Si .وأظهرت نتائج خصائص( تيار- جهد) تحت شرط الظلام صفة التقويم والسلوك ألأسي لتيار الانحيازيين الأمامي والعكسي. بينت نتائج قياسات (سعة - جهد) ان المفرق المصنع هو من النوع الحاد وان الجهد البناء الداخلي يساوي الى 1.75 V.الخصائص الكهروبصرية بينت إن الكاشف CdS-Si يمتلك استجابية طيفية جيدة في المنطقة المرئية وتحت الحمراء القريبة من الطيف ويعطي استجابية طيفية عالية مقارنة مع الكواشف السليكونية التقليدية.


Article
Investigation The Effect of oxygen flow rate on the properties of photoconductive TiO2/Si UV detector
استقصاء تاثير معدل تدفق الاوكسجين على خواص كاشف التوصيليه الضوئيه للأشعه فوق البنفسجيه لأوكسيد التيتانيوم/سيليكون

Author: Radhyah Mahdi Shaker Jarrah رضية مهدي شاكر الجراح
Journal: Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء ISSN: 20775830 Year: 2015 Volume: 7 Issue: 1 English and Arabic Pages: 97-104
Publisher: University of Kufa جامعة الكوفة

Loading...
Loading...
Abstract

UV photoconductive detector was fabricated by the deposition of TiO2 film on silicon by dc magnetron sputtering. Pure oxygen and Argon were used as the reactive and sputtering gases respectively. The gases were mixed prior to the admission in the sputtering chamber [oxygen flow 10, 20, 30, 40 and 50 s.m (stander centimeter cubic per minute) with constant argon flow]. The structure properties of TiO2 thin films were investigated by means of X-ray diffraction. X-ray diffraction (XRD) patterns showed three phases Rutile, Anatase and Brookite . The ratio between these phases changed and depended on oxygen flow. The deposited TiO2 film was coated by nanosheet of polyamind polymer to improve the photoresponsivity of the detector and to reduced the response time of the TiO2 UV detector to about 170 µs. The final device was tested with high speed pulsed nitrogen laser. The spectral responses of TiO2/Si junction were studied. The maximum value of responsivity occurred at wavelength equals to 385 nm. The responsivity, quantum efficiency and specific detectivity increased with increasing of the oxygen flow, while the noise equivalent power decreased with increasing the oxygen flow. It has beenobserved that the best spectral response occurs when the oxygen flow equal to 50 s.m and we can say that this value of oxygen flow is the optimum condition for TiO2 photoconductive detector preparation.

تم تصتيع كاشف التوصيلية الضوئية بترسيب TiO2 على ركائز السيليكون بواسطة الترذيذ المغناطيسي المستمر . تم استخدام الأوكسجين النقي والأركون النقي كغاز متفاعل وغاز ترذيذ على التوالي. خلط غاز الأوكسجين بمعايير جريان (10-20-30-40-50)s.m (حجم مكعب لكل دقيقة) والأركون بجريان ثابت مقداره 50 s.m الى قبل دخولهما الى حجرة التفريغ . وقد تم التحقيق الخصائص التركيبية لأغشية TiO2 الرقيقة عن طريق حيود الأشعة السينية.أظهرت نتائج حيود الأشعة السينية (XRD) ثلاث أطوار وهي Rutile وAnatase وBrookite، تتغير نسب هذه الأطوار بالاعتماد على تغير تدفق الأوكسجين. تم تحسين الاستجابة الضوئية لأغشيــــه ثنائي أوكسيد التيتانيوم (2.24 A/W) بطلائها بطبقه نانويه من بوليمير نوع (بولي أمايند). أظهرت هذه الكواشف سرعه أستجابه عاليه لأشعه فوق البنفسجيه بزمن نهوض قدره 170 مايكروثانيه عند تعرضها الى ليزر نايتروجين نبضي عالي السرعه. درست الخصائص الطيفية للمفرق TiO2/Si ووجدنا أن أعظم قيمة للاستجابة الطيفية حدثت عند طول موجي يساوي385nm.أن الاستجابة والكشفية النوعية والكفاءة الكمية تزداد بزيادة تدفق الأوكسجين، في حين أن القدرة المكافئة للضوضاء تتناقص مع زيادة تدفق الأوكسجين. وقد لوحظ أن أفضل استجابة طيفية تحدث عندما يكون تدفق الأوكسجين مساوي ل 50 sccm وان هذه القيمة هي المثلى لتحضير غشاء ال TiO2 ليعمل كنبيطة ضوئية..


Article
Structural and Optical Properties for Nanostructure (Ag2O/Si & Psi) Films for Photodetector Applications
الخواص البصرية والتركيبية لأغشية (Ag2O/Si & Psi) النانوية لتطبيقات الكواشف البصرية

Authors: Intisar Abbas Hamad انتصار عباس حمد --- Rana Ismael Khaleel رنا اسماعيل خليل --- Asmaa Mohmmed Raoof اسماء محمد رؤوف
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2019 Volume: 16 Issue: 4 Supplement Pages: 1036-1042
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Ag2O (Silver Oxide) is an important p-type (in chasm to most oxides which were n-type), with a high conductivity semiconductor. From the optical absorbance data, the energy gap value of the Ag2O thin films was 1.93 eV, where this value substantially depends on the production method, vacuum evaporation of silver, and optical properties of Ag2O thin films are also affected by the precipitation conditions. The n-type and p-type silicon substrates were used with porous silicon wafers to precipitate ±125 nm, as thick Ag2O thin film by thermal evaporation techniques in vacuum and via rapid thermal oxidation of 400oC and oxidation time 95 s, then characterized by measurement of XRD, optical properties and scanning electron microscopy properties (SEM). Maximum value of photo response obtained from p-Ag2O/p-PS/Si photodetector results revealed two peak sat 600 nm and 800 nm. According to the x-ray diffraction four peaks appear, (111), (200), (110) and (311) Ag, respectively, (polycrystalline film) and lattice constant of (4.077 Å). Also the results showed a sharp increasing in the absorption-wave length plot of Ag2O film at UV and IR regions. The accumulation of the stars-like are semi-regular of the Ag2O nanocrystals on the surface of p-type PS and the other diffuse inside the pores in a nearly uniform distribution with a different grain size on the surface. The results of the dislocation density and strain are decreased with the grain size increasing.

اظهر غشاء اوكسيد الفضة نوع القابل (p-type) توصيلية عالية وفجوة طاقة بصرية مباشرة قيمتها ,1.93eVعلما ان فجوة الطاقة لغشاء اوكسيد الفضة (Ag2O) تعتمد وبشكل كبير على طريقة التحضير (التبخير الحراري للفضة بالفراغ ومن ثم الاكسدة الحرارية بدرجة 400 درجة سيليزية وبزمن 95 ثانية). ان الخصائص البصرية لاغشية اوكسيد الفضة تتأثر بشروط الترسيب, اذ تم ترسيب اغشية Ag2O بسمك ±125 على نوعين من السليكون المانح والقابل والمستعمل كقاعدة بصورته العادية مرة ومرة اخرى بصورة مسامية (منمشة) ومن ثم تم فحص حيود الاشعة السينية والفحوصات البصرية للنماذج وفحص المجهر الالكتروني حيث حقق الكاشف الضوئي (P-Ag2O/P-PSi/Si) اعلى استجابية ضوئية عند القمتين 600 nm)) و (800 nm) على التوالي مقارنة مع الكواشف الثلاثة الاخرى, وكان ثابت الشبيكة للفضة المتعددة التبلورعند القمم (111),(200),((110 311), ) هو 4.077 Ao, اظهرت النتائج ان زيادة الحجم الحبيبي تسبب التناقص بقيمة الاجهادات وكثافة الانخلاع . كما اظهرت زيادة حادة في مخطط طول موجة الامتصاص في المنطقة فوق البنفسجية وتحت الحمراء وكذلك تراكم نجمي شبه منتظم لبلورات اوكسيد الفضة النانوية موزعة على سطع العينة المسامية نوع (P) وانتشار اخر داخل المسام بتوزيع منتظم ايضاً وبحجم حبيبي مختلف.كما اظهرت النتائج نقصان كثافة الانخلاعات والمطاوعة بزيادة الحجم الحبيبي.

Listing 1 - 9 of 9
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (9)


Language

English (9)


Year
From To Submit

2019 (1)

2018 (1)

2016 (1)

2015 (1)

2014 (2)

More...