research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Structural and Optical Properties of In2O3 and Indium Tin Oxide Thin Films
الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية أوكسيد الأنديوم-أوكسيد القصدير الرقيقة

Authors: Iftikhar M. Ali افتخار محمود علي --- Maisam A. Al-Jenabi ميسم احمد الجنابي
Journal: Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة ISSN: ISSN: 19918941 Year: 2017 Volume: 11 Issue: 1 Pages: 39-46
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

The present paper discusses the structural and optical properties of In2O3 and ITO thin film growing on glass and silicon substrates by assistant microwave irradiation on seeded layer nucleated by spin coating technique. X-ray diffraction study shows that the films have cubic structure. Morphology analysis was studied by atomic force microscopy (AFM) and reveals that the grain size of the prepared thin film is approximately (62.56-76.66)nm , with a surface roughness of (0.447- 1.25) nm as well as root mean square of (0.532-1.44)nm for pure In2O3 and ITO films. Optical characteristics were studied and observed that the transmission value was more than 90 % at the visible wavelength range. The direct energy gap (Eg) was found to be between (3.7-2.6) eV, which decreased significantly with increasing Sn contents..

في هذا البحث تم مناقشة الخواص التركيبية والبصرية لأغشية In2O3 و ITO ، تم انماء هذه الاغشية على قواعد ترسيب من الزجاج والسليكون بواسطة استعمال اشعاع المايكروويف على طبقة البذرة بتقنية الطلاء البرمي. وعن طريق حيود الاشعة السينية بينت ان الاغشية تمتلك تركيب متعدد التبلور طور مكعبي. تم دراسة مورفولوجية السطح بواسطة مجهر القوة الذرية (AFM) حيث وجد ان الحجم الحبيبي للأغشية الرقيقة المحضرة In2O3 و ITO يساوي تقريبا nm(62.56 – 76.66) وخشونة السطح nm(0.447 – 1.25) ومتوسط الجذر التربيعي nm(0.532 – 1.44). تم دراسة الخصائص البصرية ولوحظ ان قيمة النفاذية اكثر من 90% في مدى الطول الموجي المرئي. ان فجوة الطاقة المباشرة (Eg) كانت قيمتها بين eV(3.7 – 2.6) والتي انخفضت بشكل ملحوظ عند زيادة نسب القصدير .

Keywords

In2O3 --- SnO2 --- ITO --- spin coating --- seed layer.


Article
Seed/Catalyst-Free Growth of 2D And 3D Zno Nanostructures on Glass Substrate by Thermal Evaporation Method: Effects of Carrier Gas Flow Rate

Authors: Forat H.Alsultany --- Rusul A.Ghazia
Journal: Al-Mustansiriyah Journal of Science مجلة علوم المستنصرية ISSN: 1814635X Year: 2018 Volume: 29 Issue: 3 ICSSSA 2018 Conference Issue Pages: 129-132
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

Here, we report the seed/catalyst-free growth of 2D and 3D ZnO nanostructures on a glass substrate by thermal evaporation of Zn powder in the presence of O2 gas. These nanostructures were grown on (75 ± 5 nm) ZnO seed layers, which were deposited on glass substrates by radio frequency magnetron sputtering. Prior to synthesized ZnO nanostructures, the sputtered ZnO seeds were annealed using the continuous wave CO2 laser at 450 ℃ in air for 15 min.The effects of carrier gas flow rate on the morphological, structural, and optical properties were systematically studied using field emission scanning electron microscopy, X-ray diffraction and UV-Vis spectroscopy.

هنا ، نقوم بالإبلاغ عن النمو الخالي من البذرة / المحفز للبُنى النانوية ثنائية وثلاثية الأبعاد على ركيزة زجاجية بواسطة التبخر الحراري لمسحوق الزنك في وجود غاز الاوكسجين. نمت هذه البنى النانوية على طبقات من بذور الزنك (75 ± 5 نانومتر) والتي تم ترسيبها على ركائز زجاجية بواسطة طريقة الرش. قبل تركيب البنى النانوية لأكاسيد الزنك ، تم ترسيب بذور أكسيد الزنك باستخدام ليزر ثاني اوكسيد الكاربون ذو الموجة المستمر عند ℃ 450 في الهواء لمدة 15 دقيقة. تم دراسة تأثير معدل تدفق الغاز الناقل على الخصائص المورفولوجيا والبنيوية والبصرية بشكل منهجي باستخدام انبعاثات مجال مسح المجهر الإلكتروني ، حيود الأشعة السينية والتحليل الطيفي للأشعة فوق البنفسجي .

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2018 (1)

2017 (1)