research centers


Search results: Found 73

Listing 1 - 10 of 73 << page
of 8
>>
Sort by

Article
Study of a Dye-Assisted Diode Laser System for Ablation of Dental Caries
استخدام ليزر شبه موصل لأستئصال نخر اسنان بمساعدةالصبغ العضويه

Author: Z. T. AL-DAHAN زياد طارق الدهان
Journal: AL-NAHRAIN JOURNAL FOR ENGINEERING SCIENCES مجلة النهرين للعلوم الهندسية ISSN: 25219154 / eISSN 25219162 Year: 2009 Volume: 12 Issue: 1 Pages: 47-57
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, a continuous wave semiconductor diode laser (GaAlAs) which emits radiation at 810 nm and power of 2W maximum was used to ablate caries enamel and dentine from extracted human teeth in conjunction with specialized diode laser absorbing dye “indocyanine green”. This technique offers selective ablation with minimal risk of thermal damage to surrounding dental tissues because the uptake of the dye and its irradiation by the diode laser together control the ablation.

شبه موصل موجةِ مستمرِ لليزر (GaAlAs) الذي يَبْعثُ الإشعاعَ في 810 nm وقوَّة 2 واط كحَدّ أعلى اُستَعملُ لإسْتِئْصال نخر المينا وعاجِ ِ الأسنان الإنسانيةِ المُنْتَزعةِ باستخدام ليزرَ يَمتصُّ صبغاً "أخضر indocyanine ". توفر هذه التقنيةِ بالخطرِ الأقل ما يمكنِ مِنْ الضررِ الحراريِ إلى أنسجةِ المحيطةِ بالأسنانِ لأن منفذَ الصبغِ وإنارتِه بليزرِ شبه الموصل يُسيطرانِ على الإستئصالِ سوية.


Article
Enhanced of the Two photon Absorption in Nanostructure Wide Band gap Semiconductor CdS using femtosecond Laser
تحسين عملية الامتصاص الفوتوني الثنائي في التراكيب النانويه للاشباه الموصلات ذات فجوة الطاقة الواسعة للـ CdS باستخدام ليزر نبضي ذات النبضات الفمتو ثانية

Authors: Raied K. Jamal رائد كامل جمال --- Kadhim A. Adem كاظم عبد الواحد --- Mohammed A. Hameed محمد عبد الله حميد
Journal: JOURNAL OF THI-QAR SCIENCE مجلة علوم ذي قار ISSN: 19918690 Year: 2014 Volume: 5 Issue: 1 Pages: 65-70
Publisher: Thi-Qar University جامعة ذي قار

Loading...
Loading...
Abstract

We observed strong nonlinear absorption in the CdS nanoparticles of dimension in the range 50-100 nm when irradiant with femtosecond pulsed laser at 800 nm and 120 GW/cm2 irradiance intensity. The repetition rate and average power were 250 kHz and 30 mW. The CdS nanoparticles sizes were controlled by reaction time of S-olylamine and Cd-alylamine components interacting at 300 oC. The structures of the prepared CdS nanoparticles was tested and its optical properties were investigated. The nonlinear absorption coefficient was measured using a fully computerized z-scan unit. The results show the value of ß is in order of 116 cm/GW. This value is in a good agreement with values mentioned by other studies.

تم ملاحظة الامتصاص اللاخطي القوي في رقيقة CdS ذات الجسيمات النانوية الابعاد وضمن مدى 50-100 nm عند تشعيعها بنبضات أشعة ليزر تتميز بأمد نبضة بوحدات فيمتوثانية وطول موجي nm800 نانومتر وقدرة اشعاع 120 GW/cm2 . معدل التكرار والقدرة لليزر المستخدم هما 250 kHz و 30 mW على التوالي. ان حجوم الجسيمات النانوية للـ CdS تم السيطرة عليها خلال زمن التفاعل بين المركبين S-olylamine و Cd-alylamine وعند درجة حرارة .300 oC اختبرت الخصائص البصرية للتراكيب الجسيمية النانوية المكونة للرقيقة النانوية CdS وقيس معامل الامتصاص اللاخطي بوحدة z-scan المسيطر عليها كليا بواسطة الحاسوب. بينت النتائج بان قيمة معامل الامتصاص اللاخطي مساوية للـ (116 cm/GW) وهذه القيمة هي عالية مقارنة مع بقية الدراسات حول الموضوع نفسه.


Article
Using chemical etching technique to determination the crystal orientation for silicon wafer
استخدام تقينة الاظهار الكيميائي في تحديد اتجاهية المستويات البلورية لشرائح السليكون

Authors: ساریة ذیاب محمد --- فاطمةعریص سلطان --- اقبال عبد المجید
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 8 Pages: 391-397
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

AbstractThe crystal orientation of a semiconductor play a significant role to effects thecharacteristics of manufactured semiconductor solar cells and the optical detectors.In this research we use the chemical etching technique and microscopic testingto determine the crystal orientation of the silicon wafer, where mechanicalpolishing and Wet Etching described the geometric dislocations pits which refersto thecrystallographicorientation. Microscopic examination has been describingdifferences geometric dislocations pits which reflected from plane (111) in thesilicon wafer, by the impact of different chemical solutions. CP-4 etch appeardislocations pits in geometric forms flat trigonometric, while using KOH solutionshow that pits in conical shape which refers to the vector [111] for silicon wafer.In this work acid chromium oxide solution has been used to showing thegeometric dislocations pits of plane (100) in the forms of four fold flat symmetrywhich refers to that plane in Silicon wafer, as the distribution of Miller Indices inthe cubic system.

تلعب الاتجاهية البلورية لأشباه الموصلات دورا كبيرا في التأثير على خصائص النبطيةالمصنعة كالخلية الشمسية والكاشف الضوئي ونحوهما .في هذا البحث تم استخدام تقنية الاظهار الكيميائي والفحوصات المجهرية لتحديد التوجيه البلوريلشرائح السليكون الاحادية ، حيث أدت عمليات التنعيم والصقل ومحاليل الاظهار المفضلة الى أظهار ندبالانخلاعات على شكل هيئات هندسية مميزة تشير الى المستويات البلورية لشرائح السليكون .بينت الفحوصات المجهرية الاختلاف في هيئات ندب الانخلاعات للمستوي ( 111 ) في شرائحالسليكون بتأثير اختلاف المحاليل الكيميائية ، حيث ظهرت ندب الانخلاعات بأشكال هندسية مثلثيةالى اظهار تلك الندب بهيئات مثلثية CP- بينما أدى محلول 4 KOH مسطحة عند استخدام محلول.[ هرمية يشير الرأس الى الاتجاهية [ 111استخدم خلال هذا البحث محلول أوكسيد الكروم الحامضي في اظهار ندب الانخلاعات للمستويات100 ) لشرائح السليكون حيث كانت على هيئة مربعات حادة الحافات مسطحة تشير الى تلك المستويات )وحسب توزيع معامل ملر في النظام المكعب لشرائح السليكون.


Article
Saturation Gain Characteristics of Quantum-Well Semiconductor Optical Amplifier
خصائص الربح المشبعه للمضخم شبه الموصل البصري ذو البئر الكمي

Author: Alhuda A. Al-mfrji م. م الهدى عبد الحسين عويد
Journal: AL-NAHRAIN JOURNAL FOR ENGINEERING SCIENCES مجلة النهرين للعلوم الهندسية ISSN: 25219154 / eISSN 25219162 Year: 2011 Volume: 14 Issue: 2 Pages: 205-212
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Recently, there is an increasing interest on quantum well (QW) semiconductor optical amplifier in optical communications and optical signal processing applications. This paper addresses the dependence of saturation power on QW structure parameters. Expressions are given to assess this dependency and the results indicate that the saturation power is a decreasing function of number of wells, well thickness, and amplifier length and it is almost independent of barrier thickness.

هنالك اهتمام كبير بأستخدام المضخم شبه الموصل البصريSOA) ) ذو البئر الكمي (QW) في تطبيقات الأتصالات البصريه و معالجة الاشاره بصرياً.يدرس هذا البحث اعتمادية القدرة المشبعة على معالم بناء البئر الكمي لمضخم .اعطيت تعابير لتقييم هذه الاعتمادية وتشير النتائج ان القدرة المشبعة هي دالة متناقصة لعدد الابار وسمك البئر وطول المضخم وفي اغلب الاحيان لاتعتمد على سمك الحاجز.


Article
Nonlinear Susceptibility in Semiconductor hetrostructures

Loading...
Loading...
Abstract

The linear and non-linear optical properties of three-level systems get a great importance from both theoretical and experimental points of view. This is due to the phenomena related to these systems, like electromagnetic induced transparency (EIT), coherent population trapping (CPT) and coherent adiabatic population (CAP). In contrast to CPT which is a‘‘spectroscopic’’ phenomenon that involves only modifications to the material states in an optically thin sample.


Article
Bulk heterojunction blend (NiPcTs:PEDOT:PSS)in gas sensing
المزيج الهجين من نيكل فثالوسايلين تتراسولفنك و بوليمر PEDOT:PSS كمتحسس غازي

Authors: Morooj A. Abood مروج علي عبود --- Izzat M. AI-Essa عزت محمود العيسى
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 32 Pages: 31-42
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of bulk heterojunction blend Ni-PhthalocyanineTetrasulfonic acid tetrasodium salt and dpoly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (NiPcTs:PEDOT:PSS) with different (PEDOT:PSS) concentrations(0.5,1, 2)are prepared using spin coating technique with thickness 100 nm on glass and Si substrate. The X-Ray diffraction pattern of NiPcTs powder was studied and compared with NiPc powder, the pattern showed that the structure is a polycrystalline with monoclinic phase.XRD analysis of as-deposited (NiPcTs/PEDOT:PSS) thin films blends in dicated that the film appeared at(100),(102) in concentrations (0.5,1) and (100) in concentration (2).The grain size is increased with increasing (PEDOT:PSS) concentrations. FTIR measurements for these bulk heterojunction blend thin films also carried out in this work and gave good information about the bonds and their locations. Sensor measurements of Si/NiPcTS:PEDOT:PSS bulk heterojunctions blend thin films show a good sensitivity for NO2 gas Compared to NH3gas. The NiPcTS/PEDOT:PSS gas sensor device work at room temperature than high temperature for NO2 gas but good sensitivity at100ºC for NH3 gas and sensor work more effectively in 0.5 concentration for both gases.

حضرت أغشيه رقيقه من المزيج المتغاير نيكل فثايوسايلين تترا سولفينك والبوليمر الموصلPEDOT:PSS بتركيز (0.5,1,2) بطريقة الطلاء ألبرمي بسمك 100نانومتر على الزجاج وشرائح السليكون. تم دراسة نمط حيود الأشعة السينية لمسحوق NiPcTs ومقارنتها مع مسحوق NiPc وقد تبين ان التركيب متعدد التبلور احادي الوجة. تحليل حيود الأشعة السينية للمزيج (NiPcTs:PEDOT:PSS) يبين أن الاغشيه المحضرة عند التركيز (0.5 ,1) تظهر قمم عند (100),(102) و(100) عند التركيز 2. الحجم الحبيبي يزداد مع زيادة تركيز(PEDOT:PSS). فحوصات FTIR أعطتنا معلومات جيده عن الأواصر ومواقعها.فحوصات التحسس الغازي للمزيج المتغاير المرسب على السيلكون Si/NiPcTs:PEDOT:PSS)) أظهرت تحسسية عالية لغاز اوكسيد النيتروجين مقارنة بغاز الامونيا. المتحسس الغازي لغاز اوكسيد النيتروجين يعمل بصوره افصل في درجة حرارة الغرفة مقارنة بالدرجات الحرارية الأعلى ولكن برجة 100ºC بالنسبة لغاز الامونيا ويعمل بصورة أكفأ عند التركيز 0.5 لكلا الغازين.


Article
Structural and Optical Properties of ZnS Thin Films Prepared by SprayPyrolysis Technique

Author: Nada M. Saeed
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2011 Volume: 14 Issue: 2 Pages: 86-92
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Zinc Sulfide (ZnS) is important II-VI semiconductors material for the development of various
modern technologies and photovoltaic applications. ZnS thin film was prepared by using chemical
spray pyrolysis technique. The spray solutions contains ZnCl2 and SC(NH2)2 with molar
concentration 0.1M/L. ZnS thin films was growth onto hot glass substrates at substrates temperature
400&#1086;C.
The Structure of the prepared film was studied from X-ray diffraction pattern, the results shows
that the film was polycrystalline with hexagonal structure, the grain size of ZnS film was calculated,
it was 139 &#197; at the high peak.
The optical properties of the film were studied using measurement from UV–VIS
spectrophotometer; the results appear that a good optical transparency of about 65 % was observed
in the visible region. The optical constants were studied as a function of the photon energy within
the wavelength in the range (300-900) nm. The refractive index was calculated in the visible region,
it was 2.45 at 500 nm. The optical band gaps for the direct and indirect transition were estimate too
and it was 3.2 – 3.1 eV respectively.

الخلاصةيعتبر كبريتيد الزنك من أشباه الموصلات المهمة نوع II-VI وذلك لدخوله في العديد من التقنيات الحديثة وكذلك في تطبيقات الخلايا الفوتوفولتائية. تم تحضير مجموعة من الأغشية الرقيقة لمركب كبريتيد الزنك باستخدام تقنية الرش الكيميائي الحراري، تم تحضير محلول الرش المتكون من خلط نسب معينة من كلوريد الخارصين والثايوريا بمولارية مقدارها 0.1 M/L وقد تكونت أغشية كبريتيد الخارصين الرقيقة على شرائح زجاجية ساخنة بدرجة حرارة أساس400OC .درست الخواص التركيبية للغشاء المحضر من خلال الفحص بواسطة حيود الأشعة السينية، وقد أظهرت النتائج أن الغشاء المحضر نوع متعددة التبلور (Polycrystalline). تم حساب الحجم الحبيبي وكانت قيمته 139 Å عند أعلى قمة.تم دراسة الخواص البصرية لغشاء ZnS باستعمال مطياف يعمل ضمن الأطوال الموحية المرئية وفوق البنفسجية .VIS-UV أظهرت الدراسة البصرية بان معدل النفاذية تقترب من 65% عند المدى المرئي. تم حساب الثوابت البصرية كدالة لطاقة الفوتون لمدى الاطوال الموجية nm 300-900. وكانت قيمة معامل الأنكسار ضمن المدى المرئي2.45 عند 500 nm. اما قيم فجوة الطاقة للانتقالات الالكترونية المباشرة والغير مباشرة فكانت 3.2 eV و 3.1 eVعلى التوالي.


Article
Instabilities and Chaos in Semiconductor LaserWith Optical Injection and Feedback

Authors: F. A. Al – Saymari --- I. A. Al – Saidi
Journal: JOURNAL OF THI-QAR SCIENCE مجلة علوم ذي قار ISSN: 19918690 Year: 2009 Volume: 1 Issue: 3 Pages: 123-140
Publisher: Thi-Qar University جامعة ذي قار

Loading...
Loading...
Abstract

A numerical has been under taken to study the effects of the optical injection and the optical feedback on the nonlinear dynamical behavior of the semiconductor laser using a simple model, based on the coupled electric field and population inversion rate equations. A number of distinct states are obtained. These include periodic limit – cycle operation , quasiperiodicity, and chaotic behaviors dependent on the type of the laser control parameter and the operating conditions.

تم استخدام الطرق العددية لدراسة تأثيرات الحقن البصري والارجاع البصري على سلوك الديناميكية اللاخطيه لليزر أشباه الموصلات بأستخدام نموذج مبسط مبني على مزدوج المجال الكهربائي ومعادلات النسب للتعداد العكسي. مجموعة من الحالات المنفصله تم ايضاحها . هذه تتضمن عملية الدورة المحدودة الدورية ، شبه الدورية والسلوك العشوائي يعتمد على نوع معامل السيطرة البصرية والشروط التشغيلية.


Article
Determination Of The Memory Switching Action In CdS/SiO/CdTe Structure
تحديد عمل المفتاحية الذاكرية في التركيبة CdS/SiO/CdTe

Author: Dr. Luqman Sufer Ali د.لقمان سفر علي
Journal: AL Rafdain Engineering Journal مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2011 Volume: 19 Issue: 1 Pages: 1-7
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract In this paper, an experimented study is presented which determines the memory switching criterion for CdS/SiO/CdTe devices. The dc. characteristics obtained from isolated devices on various glass substrates, but having the identical CdS and CdTe semiconductors with different sandwiched SiO thicknesses reveal that the device impedance at OFF state is almost determined by the tunnel oxide thickness. But the forward and reverse threshold voltages are determined by the top contact area of the device. Physical arguments are presented which adequately explain the experimental results in this paper.

الخلاصةفي هذا البحث كانت هنالك دراسة عملية لتراكيب من CdS/SiO/CdTe و التي أظهرت خواص المفتاحية الذاكرية. لقد تم الحصول على خواص مستقرة لنماذج مصنعة على قواعد زجاجية مختلفة فيها طبقات من CdS و CdTe متماثلة ولكن فيها طبقات نفقية من SiO لها أسماك مختلفة. لقد بينت الدراسة بأن الممانعة في حالة (OFF) للنبيطه تعتمد بشكل كبير على سمك الطبقة النفقية للأوكسيد, بينما مقدار فولتية العتبة الأمامية و العكسية يعتمد بشكل أساسي على مساحة طبقة التماس الفوقية. ان التغيرات الفيزيائية تبين بشكل واضح النتائج العملية في هذا البحث.


Article
Switching Study In CdS/CdTe Structures
دراسة المفتاحية في تركيب CdS/CdTe

Author: Dr. L. S. Ali د. لقمان سفر علي
Journal: AL Rafdain Engineering Journal مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2010 Volume: 18 Issue: 1 Pages: 51-56
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

AbstractThe paper reports preliminary data on the characteristics of a new electronic switching device based on CdS/CdTe hetero–junction. The device is polar and is switched from OFF to ON (WRITE) or ON to OFF (ERASE) by voltage opposite signs. The threshold voltage for WRITE operation is (3-4 V), depending on the device, and for ERASE is about (-2V). The OFF and ON resistance are typically 40MΩ, and 1.5kΩ respectively. Particularly notable features of the new memory device are its transition times (100µsec for both the WRITE or ERASE operations).Keywords:switching, semiconductor devices and materials.

الخلاصةالبحث يعطي بيانات أولية عن خواص نبيطة الغلق والفتح الالكترونية الحديثة والمبنية على المفرق المتباين CdS/CdTe . ان النبيطة هي قطبية وتتحول من حالة الفتح إلى حالة الغلق (الكتابة) أو من حالة الغلق إلى حالة الفتح (مسح) بواسطة أشارة فولتية متعاكسة القطبية. وفولتية العتبة لعملية الكتابة تتراوح بين (V 4-3) وهذه تعتمد على النبيطة . أما فولتية العتبة لعملية المسح فهي بحدود (-2V). ان مقاومة النبيطة في حالة (OFF)هي بحدود (40MΩ) بينما تكون مقاومة النبيطة بحدود (1.5kΩ)في حالة (ON). أن نبيطة الذاكرة هذة تظهر سرعة لابأس بها عند التحول (100µsec) للحالتين ; الكتابة والمسح.

Listing 1 - 10 of 73 << page
of 8
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (73)


Language

English (56)

Arabic (7)

Arabic and English (6)


Year
From To Submit

2019 (5)

2018 (4)

2017 (9)

2016 (9)

2015 (4)

More...