research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Self-Phase Modulation of Silicon Nanostructure Produced By Laser Induced Etching
تضمين الطورالذاتي لتراكيب السليكون النانوية المنتجة بالليزر

Authors: Hadeel F. Shaker هديل فائز شاكر --- Bassam G. Rasheed بسام غالب رشيد
Journal: AL-NAHRAIN JOURNAL FOR ENGINEERING SCIENCES مجلة النهرين للعلوم الهندسية ISSN: 25219154 / eISSN 25219162 Year: 2016 Volume: 19 Issue: 1 Pages: 137-144
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

A diode lasers of 532nm and 473nm wavelengths were used to produce silicon nanostructure by laser induced etching process for n-type silicon wafer of orientation <100>. The laser irradiation was carried out using different laser power density of (2, 5, 10 and 20 W/cm2 for recorder radiation time (4 min.). Optical fringes due to self-phase modulation are observed. Those fringe patterns depend on the size and depth of the nanostructure. It is found that fast changes in fringes when using short wavelength that indicates to further etching to produced smaller nanostructure at short irradiation time, this procedure could provide valuable details about silicon nanostructure during the etching process (in-situ). Fringes were represented by theoretical model to evaluate the size and change in the refractive index. The AFM images formation of uniform size distribution of 60 nm mean value when laser power density of 20 W/cm2 was used for 15 minutes.

تم تحضير سطح سليكوني مسامي ذو تراكيب نانوية فوق شريحة السليكون يمتاز هذا السطح بخصائص متنوعة من خلال عملیة التنمیش الضوئي بإستخدام ليزرات بأطوال موجي 532 نانومتر و473 نانومتر لتشعيع شريحة السيليكون من نوع (n-type) وبإتجاهية <100>. تم دراسة تأثير كثافة قدرة الليزر على خصائص طبقة السليكون النانوية باستخدام كثافة طاقة مختلفة وهي (2، 5، 10، 20 واط/ سم2) بزمن تشعيع قياسي اربع دقائق، ووجد بأن طبقة التركيب النانوي تولد نموذج الأهداب البصرية بسبب تأثير الحصر الكمي وتتغير هذه الاهداب بالاعتماد على عمق الحفر واحجام التراكيب النانوية المتكونة على السطح ووجد بان التغير السريع بالاهداب عند استخدام طول موجي قصير هو نتيجة سرعة عملية التنميش وتكوين تراكيب متناهية الصغر وان هذه التقنية ممكن الحصول على تفاصيل وقيم للتراكيب النانوية المتكونة اثناء عملية التنميش. وقد أستُخدم النموذج الرياضي بالإعتماد على تضمين الطور الذاتي لِدراسة تأثير كثافة قدرة الليزرعلى الأهداب البصرية ومقدار التغير في معامل الإنكسار وحساب قيم تقديرية لحجم تراكيب السيليكون النانوية وتوزيعها على السطح . أُجريت دراسة على طوبوغرافية السطح بإستخدام مجهر القوى الذَرية , وتم الحصول على أحجام لتراكيب السليكون النانوية بمعدل 60 نانومتر متوزعة بشكل منتظم على سطح السليكون عند إستخدام كثافة طاقة 20 واط/ سم2 بزمن تشعيع 15 دقيقة.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2016 (1)